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公开(公告)号：CN103946819A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180075090.5
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R.K.拉马努简
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0689 , G06F2212/7211 , G11C16/06 , G11C16/3495
Abstract: 描述了对于非易失性系统存储器而言可以特别有用的统计耗损均衡。在一个实施例中，本发明包括：耗损均衡移动状态机，基于耗损准则来选择活动块，将所选择的活动块的内容移动到来自空闲块列表的块，并且将所选择的活动块移动到未使用块列表；空闲块列表扩展状态机，从目标空闲块列表中取块，将该块的内容移动到来自未使用块列表的块，并且将取自目标块列表的块移动到空闲块列表；以及目标空闲块生成状态机，从未使用块列表中选择块，并且将所选择的块移动到目标空闲块列表。
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公开(公告)号：CN104025060A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201180075116.6
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F13/1694 , G06F9/467 , G06F11/1064 , G06F12/0238 , G06F12/0802 , G06F12/0804 , G06F12/0811 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F13/1668 , G06F13/4068 , G06F13/42 , G06F13/4234 , G06F2212/1008 , G06F2212/1016 , G06F2212/1044 , G06F2212/2024 , G06F2212/7203 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/151
Abstract: 一种半导体芯片，包括存储器控制器电路，所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还包括第二逻辑电路以在存储器通道上实现第二存储器通道协议。第二存储器通道协议特定于第二非易失性系统存储器技术。第二存储器通道协议是事务协议。
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公开(公告)号：CN107391397B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201710382875.6
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
IPC: G06F12/0804 , G06F9/46 , G06F11/10 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F13/16 , G06F13/40 , G06F13/42
Abstract: 一种半导体芯片，包括存储器控制器电路，所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还包括第二逻辑电路以在存储器通道上实现第二存储器通道协议。第二存储器通道协议特定于第二非易失性系统存储器技术。第二存储器通道协议是事务协议。
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公开(公告)号：CN106462410B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201580027785.4
申请日：2015-06-01
Applicant: 英特尔公司
IPC: G06F9/4401 , G06F3/06 , G06F8/71 , G11C7/20
Abstract: 用于加速基于非易失性存储器（NVM）技术的存储器的引导时间清零的设备与方法被描述。在一实施例中，储存装置储存对应于非易失性存储器的部分的引导版本号。存储器控制器逻辑响应每个后续引导事件而引起所储存的引导版本号的更新。存储器控制器逻辑响应针对所述非易失性存储器的所述部分的读操作以及在所储存引导版本号与当前引导版本号之间的失配而返回零。其它实施例也被公开和要求权利。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103946826B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201180075093.9
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F12/0811 , G06F12/0238 , G06F12/08 , G06F12/0802 , G06F12/0848 , G06F12/0866 , G06F12/0897 , G06F13/1684 , G06F2212/2024 , G06F2212/304
Abstract: 描述一种用于集成包含计算机系统内非易失性存储器层的存储器和存储装置层级的系统和方法。在一个实施例中，PCMS存储器装置被用作层级中的一层，有时被称为“远存储器”。较高性能存储器装置（诸如DRAM）放在远存储器前面，并且用于掩蔽远存储器的一些性能限制。这些较高性能存储器装置被称为“近存储器”。
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公开(公告)号：CN107391397A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710382875.6
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
IPC: G06F12/0804 , G06F9/46 , G06F11/10 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F13/16 , G06F13/40 , G06F13/42
CPC classification number: G06F13/1694 , G06F9/467 , G06F11/1064 , G06F12/0238 , G06F12/0802 , G06F12/0804 , G06F12/0811 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F13/1668 , G06F13/4068 , G06F13/42 , G06F13/4234 , G06F2212/1008 , G06F2212/1016 , G06F2212/1044 , G06F2212/2024 , G06F2212/7203 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/151
Abstract: 一种半导体芯片，包括存储器控制器电路，所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还包括第二逻辑电路以在存储器通道上实现第二存储器通道协议。第二存储器通道协议特定于第二非易失性系统存储器技术。第二存储器通道协议是事务协议。
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公开(公告)号：CN103946819B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201180075090.5
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R.K.拉马努简
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0689 , G06F2212/7211 , G11C16/06 , G11C16/3495
Abstract: 描述了对于非易失性系统存储器而言可以特别有用的统计耗损均衡。在一个实施例中，本发明包括：耗损均衡移动状态机，基于耗损准则来选择活动块，将所选择的活动块的内容移动到来自空闲块列表的块，并且将所选择的活动块移动到未使用块列表；空闲块列表扩展状态机，从目标空闲块列表中取块，将该块的内容移动到来自未使用块列表的块，并且将取自目标块列表的块移动到空闲块列表；以及目标空闲块生成状态机，从未使用块列表中选择块，并且将所选择的块移动到目标空闲块列表。
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公开(公告)号：CN104025060B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201180075116.6
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
IPC: G06F12/0804 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F11/10 , G06F13/14 , G06F13/16 , G06F13/40 , G06F13/42 , G06F9/46
CPC classification number: G06F13/1694 , G06F9/467 , G06F11/1064 , G06F12/0238 , G06F12/0802 , G06F12/0804 , G06F12/0811 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F13/1668 , G06F13/4068 , G06F13/42 , G06F13/4234 , G06F2212/1008 , G06F2212/1016 , G06F2212/1044 , G06F2212/2024 , G06F2212/7203 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/151
Abstract: 一种半导体芯片，包括存储器控制器电路，所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还包括第二逻辑电路以在存储器通道上实现第二存储器通道协议。第二存储器通道协议特定于第二非易失性系统存储器技术。第二存储器通道协议是事务协议。
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公开(公告)号：CN103946812B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201180075118.5
申请日：2011-09-30
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R.K.拉马努简 , R.阿加瓦尔 , 郑凯 , T.波尔佩迪 , C.C.拉德 , D.J.齐默曼 , M.P.斯瓦米纳桑 , D.齐亚卡斯 , M.J.库马 , B.N.库里 , G.J.欣顿
CPC classification number: G06F12/0811 , G06F12/0895 , G06F12/0897 , G06F2212/2024 , G06F2212/205 , G11C11/40615 , G11C14/009 , Y02D10/13
Abstract: 描述了用于集成存储器和存储分级体系的系统和方法，所述存储分级体系包括在计算机系统内的非易失性存储器层。在一个实施例中，PCMS存储器装置用作在分级体系中的一个层，有时被称作“远存储器”。将诸如DRAM的更高性能的存储器装置放置在远存储器的前面，并且用来屏蔽远存储器的性能限制中的一些。这些更高性能的存储器装置被称作“近存储器”。
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