公开(公告)号：CN101207155A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710305369.3

申请日：2007-12-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： U·E·阿夫奇 ,  P·L·常 ,  D·L·肯克 ,  I·班

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10802 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/16 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  Y10S257/903

Abstract: 描述了一种用于制作浮体存储单元(FBC)的方法以及其中采用有利于不同导电率类型区域的栅的所得FBC。在一个实施例中，具有较厚绝缘的p型背栅与较薄绝缘的n型前栅配合使用。描述了对于未对齐进行补偿的处理，这允许制作不同氧化物和栅材料。

公开(公告)号：CN115863431A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211022146.7

申请日：2022-08-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 童奕澄 ,  A·V·佩努马查 ,  成承训 ,  S·阿塔纳索夫 ,  J·T·卡瓦利罗斯 ,  M·V·梅茨 ,  U·E·阿夫奇 ,  R·拉马默蒂 ,  林家庆 ,  K·奥古斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及晶体管的利用零SIO2中间层工艺的高K或铁电栅极氧化物。在本文中公开的实施例包括晶体管和晶体管栅极堆叠。在实施例中，晶体管栅极堆叠包括半导体沟道。在实施例中，中间层（IL）在半导体沟道上。在实施例中，中间层具有1nm或更小的厚度并且包括锆。在实施例中，栅极电介质在中间层上，并且栅极金属在栅极电介质上。

公开(公告)号：CN115863308A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211017512.X

申请日：2022-08-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·H·奈罗尔 ,  K·马克西 ,  K·P·奥布里恩 ,  C·多罗 ,  S·李 ,  A·V·佩努马查 ,  U·E·阿夫奇 ,  M·V·梅茨 ,  S·B·克伦邓宁

IPC: H01L23/532

Abstract: 本公开涉及具有石墨烯接触的集成电路结构。本公开的实施例涉及先进集成‎电路（IC）结构制造，并且特别地涉及具有石墨烯接触的IC结构。‎其它实施例可以被公开或要求保护。

公开(公告)号：CN115863429A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211017389.1

申请日：2022-08-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·P·奥布里恩 ,  C·多罗 ,  C·H·奈洛尔 ,  U·E·阿夫奇 ,  T·A·特罗尼奇 ,  A·V·佩努马查 ,  K·马克西 ,  S·李 ,  S·B·克伦邓宁

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及具有单层边缘接触的晶体管结构。在本文中描述的实施例可以和与晶体管结构有关的装置、工艺和技术有关，所述晶体管结构包括在栅极金属上的氧化物材料内的单层。可以存在这些结构的堆叠。在实施例中，可以包括半导体材料的单层可以包括堆叠在彼此的顶部上的多个单层片。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN101207155B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200710305369.3

申请日：2007-12-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： U·E·阿夫奇 ,  P·L·常 ,  D·L·肯克 ,  I·班

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10802 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/16 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  Y10S257/903

Abstract: 本发明描述了一种用于制作浮体存储单元(FBC)的方法以及其中采用有利于不同导电率类型区域的栅的所得FBC。在一个实施例中，具有较厚绝缘的p型背栅与较薄绝缘的n型前栅配合使用。描述了对于未对齐进行补偿的处理，这允许制作不同氧化物和栅材料。