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公开(公告)号：CN116403985A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211599789.8
申请日：2022-12-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 公开了一种形成封装半导体装置的方法和封装半导体装置。该方法包括：提供包括管芯焊盘和多个引线的引线框架；提供第一半导体管芯，第一半导体管芯包括设置在主表面上的第一负载端子；提供第二半导体管芯，第二半导体管芯包括设置在主表面上的多个I/O端子；将第一半导体管芯和第二半导体管芯安装在引线框架上，使得第一半导体管芯和第二半导体管芯的主表面背离管芯焊盘，形成封装第一半导体管芯和第二半导体管芯的电绝缘模制料的封装体，在封装体的上表面上形成多个导电轨道，导电轨道将多个I/O端子中的至少一些电连接至多个引线中的第一组引线，以及在封装体的上表面上形成金属盘，金属盘将第一负载端子电连接至多个引线中的第二引线。
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公开(公告)号：CN112291690B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010704242.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R17/02
Abstract: 本公开的实施例涉及压力传感器。提供了压力传感器及其制造方法。压力传感器可以包括：无盖结构，限定用于密封环境的内部腔室并且呈现孔；芯片，包括能够在外部压力的基础上变形的隔膜，芯片以与孔对应的方式安装在无盖结构的外部，使得隔膜封闭密封环境；以及电路系统，被配置为基于隔膜的变形来提供压力测量信息。制造至少一个压力传感器的方法可以包括：准备具有腔的叠层结构，腔通过孔与外部环境流体连通，使得叠层结构具有施加在其上的电路系统；从外部侧将芯片安装到与孔相对应的叠层结构上，芯片包括能够在外部压力的基础上变形的隔膜，隔膜封闭腔的内部环境；以及施加密封材料以在由隔膜、密封材料和叠层结构限定的空间内获得密封环境。
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公开(公告)号：CN116190245A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211465651.9
申请日：2022-11-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 公开了一种形成半导体封装的方法和半导体封装。该方法包括：设置具有基部和多个金属柱的金属基板，基部是具有基本上均匀厚度的平面盘，多个金属柱各自从基部的平面上表面向上延伸；在金属基板的上表面上安装第一半导体管芯；在基部的上表面上形成电绝缘的模制料的封装体；将第一半导体管芯的端子电连接至金属柱；以及去除基部，以在封装体的第一表面处从金属柱形成封装触点。
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公开(公告)号：CN114975144A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210177737.5
申请日：2022-02-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 用于制造电模块的方法(10)包括：提供包括可镀覆包封材料的底部单元(11)；激活所述底部单元的所选区域并进而将它们变成导电区域(12)；提供包括外部接触元件的至少一个电器件(13)；将所述电器件放置在所述底部单元上，使得所述外部接触元件定位在导电区域的至少第一子集上方(14)；以及在导电区域上执行镀覆工艺以用于生成镀覆区域并用于将所述外部接触元件与所述镀覆区域的至少第一子集电连接(15)。
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公开(公告)号：CN116190253A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211481516.3
申请日：2022-11-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 公开了一种形成半导体封装的方法和半导体封装。该方法包括：提供金属基板，该金属基板包括基部和多个金属柱，基部是具有基本均匀厚度的平面盘，多个金属柱各自从基部的平面上表面向上延伸；在金属基板的上表面上安装半导体管芯；在基部的上表面上形成电绝缘模制料的封装体；将半导体管芯的端子电连接至金属柱；以及去除基部，以便在封装体的第一表面处从金属柱形成封装触点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114649274A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111548738.8
申请日：2021-12-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了半导体封装及其制造方法。一种封装（100），其包括电介质载体（102）、安装在电介质载体（102）上的电子组件（104）以及包封电介质载体（102）和电子组件（104）的至少一部分的包封体（106）。
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公开(公告)号：CN111799233A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010273675.9
申请日：2020-04-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 一种封装半导体器件包括：具有管芯附接表面的载体；安装在管芯附接表面上的半导体管芯，其包括设置在上侧上的第一和第二导电端子；在半导体管芯之上延伸并且电连接至第一导电端子的第一夹；在半导体管芯之上延伸并且电连接至第二导电端子的第二夹；以及包封半导体管芯的电绝缘包封主体。第一夹的外端从包封主体露出，并且为第一导电端子提供外部电接触点。第二夹的外端与第一夹从包封主体的相同的或不同的侧面露出，并且为第二导电端子提供外部电接触点。
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公开(公告)号：CN109841598A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811424992.5
申请日：2018-11-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/49 , H01L25/07 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装包括：多个半桥组件，每一个包括：金属引线、附着至金属引线的第一侧的第一功率晶体管管芯、以及设置在第一功率晶体管管芯下面且附着至与第一侧相对的金属引线的第二侧的第二功率晶体管管芯。每个金属引线具有缺口，其暴露在第二功率晶体管管芯的附着至金属引线的一侧处的一个或多个结合焊盘。该半导体封装还包括：控制器管芯，其被配置成控制功率晶体管管芯。每个功率晶体管管芯、每个金属引线和控制器管芯被嵌入模塑料中。在由对应金属引线中的缺口所暴露的每个第二功率晶体管管芯的该侧处的一个或多个结合焊盘和控制器管芯之间提供结合线连接。
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公开(公告)号：CN116417413A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211625442.6
申请日：2022-12-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种芯片封装和一种形成芯片封装的方法。该芯片封装包括：芯片，该芯片具有至少一个接触垫；接触结构，该接触结构由至少一个连续纵向延伸的导电元件通过在至少三个接触位置将所述至少一个导电元件附接至接触垫而形成，其中，所述至少一个导电元件在成对的连贯接触位置之间弯曲远离接触垫；以及包封件，该包封件部分地包封接触结构，其中，包封件包括背离芯片的外表面，并且其中，接触结构部分地暴露在外表面。
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公开(公告)号：CN109841598B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201811424992.5
申请日：2018-11-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/49 , H01L25/07 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装包括：多个半桥组件，每一个包括：金属引线、附着至金属引线的第一侧的第一功率晶体管管芯、以及设置在第一功率晶体管管芯下面且附着至与第一侧相对的金属引线的第二侧的第二功率晶体管管芯。每个金属引线具有缺口，其暴露在第二功率晶体管管芯的附着至金属引线的一侧处的一个或多个结合焊盘。该半导体封装还包括：控制器管芯，其被配置成控制功率晶体管管芯。每个功率晶体管管芯、每个金属引线和控制器管芯被嵌入模塑料中。在由对应金属引线中的缺口所暴露的每个第二功率晶体管管芯的该侧处的一个或多个结合焊盘和控制器管芯之间提供结合线连接。
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