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公开(公告)号：CN107026141A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610950764.6
申请日：2016-10-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 一种半导体器件包括：引线框架和包括接触部的半导体芯片。所述接触部面向所述引线框架并且通过焊料电耦接至所述引线框架。所述半导体器件包括与所述芯片的所述第一接触部和边缘邻近的焊料屏障。
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公开(公告)号：CN112420629A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010841996.4
申请日：2020-08-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/373 , H01L23/42 , H01L21/50 , H01L23/495
Abstract: 一种功率半导体封装体包括：功率半导体芯片；电连接器，其布置在所述功率半导体芯片的第一侧处并包括耦合到所述功率半导体芯片的功率电极的第一表面；包封体，其至少部分地包封所述功率半导体芯片和所述电连接器，以及电绝缘层，其布置在所述电连接器的与所述第一表面相反的第二表面处，其中，所述包封体的部分和所述电绝缘层的部分形成所述功率半导体封装体的共面表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107026141B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201610950764.6
申请日：2016-10-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 一种半导体器件包括：引线框架和包括接触部的半导体芯片。所述接触部面向所述引线框架并且通过焊料电耦接至所述引线框架。所述半导体器件包括与所述芯片的所述第一接触部和边缘邻近的焊料屏障。
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公开(公告)号：CN115426778A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210532825.2
申请日：2022-05-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种用于制造电气或电子器件封装体的方法(100)，所述方法(100)包括：提供第一可镀覆包封层(110)；激活第一可镀覆包封层的主表面上的第一选择性区域(120)；通过电镀覆或非电式镀覆在激活的第一选择性区域上形成第一金属化层(130)；和基于第一金属化层制造无源电构件(140)。
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公开(公告)号：CN114975144A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210177737.5
申请日：2022-02-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 用于制造电模块的方法(10)包括：提供包括可镀覆包封材料的底部单元(11)；激活所述底部单元的所选区域并进而将它们变成导电区域(12)；提供包括外部接触元件的至少一个电器件(13)；将所述电器件放置在所述底部单元上，使得所述外部接触元件定位在导电区域的至少第一子集上方(14)；以及在导电区域上执行镀覆工艺以用于生成镀覆区域并用于将所述外部接触元件与所述镀覆区域的至少第一子集电连接(15)。
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公开(公告)号：CN114121854A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110988107.1
申请日：2021-08-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体芯片，包括布置在半导体芯片的表面处的芯片焊盘。介电层布置在半导体芯片的表面处。介电层具有开口，在该开口内暴露芯片焊盘的接触部分，开口具有至少一个直边。介电层包括助焊剂排气沟槽，该助焊剂排气沟槽被布置成与开口的至少一个直边分离并且在其附近，并且横向延伸超过开口的与直边邻接的边。
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公开(公告)号：CN113257770A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110115896.8
申请日：2021-01-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 一种电互连结构，包括：具有基本上平面的接合表面的接合焊盘；以及焊料增强结构，该焊料增强结构设置在接合表面上，并且包括多个凸起辐条，该多个凸起辐条均从接合表面升高。凸起辐条中的每一个具有比接合表面低的相对于液化焊料材料的润湿性。凸起辐条中的每一个从焊料增强结构的中心径向向外延伸。
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