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公开(公告)号:CN110411949B
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN201910348504.5
申请日:2019-04-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及流体传感器和提供流体传感器的方法。流体传感器包括壳体和布置在壳体中的热发射器,其被配置成在测量间隔期间以第一功率水平将第一热辐射发射到具有测量气体的壳体的检测容积中并且在位于测量间隔之外的中间间隔期间,以降低的第一功率水平发射或不发射第一热辐射;还包括布置在检测容积中的测量元件,其被配置为在测量间隔期间接收基于第一热辐射的辐射信号;还包括布置在壳体中的第二热发射器,其被配置为在中间间隔期间,以第二功率水平将第二热辐射发射到检测容积中,使得在包括测量间隔和中间间隔的连续时间段期间,相对于基于第一功率水平和第二功率水平之和的检测容积中的热辐射的总功率水平,热辐射的热振动最多为±50%。
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公开(公告)号:CN109425390B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN201810959204.6
申请日:2018-08-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: MEMS传感器包括衬底和悬置在衬底处的膜,该膜的谐振频率受到作用到膜上的环境压力的影响。MEMS传感器包括评估设备,所述评估设备被配置为基于所述膜的谐振频率执行测量以获得测量结果。该评估设备被构造成考虑环境压力,使得环境压力对测量结果的影响至少得到部分补偿。
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公开(公告)号:CN109429158B
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN201811011584.7
申请日:2018-08-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor: J·斯特拉塞 , A·德厄 , G·梅茨格-布吕克尔 , J·瓦格纳 , A·沃瑟
Abstract: 双膜MEMS器件的制造方法,具有:在衬底上提供层布置,具有第一膜结构、邻接第一膜结构的牺牲材料层和在牺牲材料层中并与第一膜结构间隔的反电极结构,在牺牲材料层中形成通孔,直到第一膜结构并与反电极结构分离,通过将第一填充材料层施加到通孔的壁区域,在通孔中形成填充材料结构,以在通孔中邻接第一填充材料层获得内部体积区域,在层布置上施加第二膜结构,以密封内部体积区域,反电极结构布置在由牺牲材料填充的位于第一和第二膜结构之间的中间区域中并分别与其间隔,从中间区域中去除牺牲材料以暴露填充材料结构,以在第一和第二膜结构之间获得机械连接元件,其机械耦合到第一和第二膜结构之间并与反电极结构机械解耦。
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公开(公告)号:CN109525928B
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN201811089999.6
申请日:2018-09-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请涉及一种MEMS麦克风。该MEMS麦克风可以包括:声音检测单元以及阀。声音检测可以包括:第一膜;与第一膜间隔布置的第二膜;被提供在第一膜和第二之间的低压区域,在该低压区域中存在与常压相比较小的气压;至少部分地布置在低压区域中的反电极;以及声通孔,该声通孔在声音检测单元的厚度方向上延伸穿过声音检测单元。阀被被提供在声通孔处,并且设置成能够取多个阀状态,其中每个阀状态对应于所述声通孔对于声音的一个预设透射度。
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公开(公告)号:CN108414449B
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN201711480070.1
申请日:2017-12-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N21/17 , G01N21/01 , G01N21/61 , G01N21/3504
Abstract: 气体分析装置,包括:用于容纳待分析气体的气体腔;辐射源,被设置用于将电磁辐射发射到气体腔中,其中电磁辐射被设置用于选择性地激发待分析气体的分子;以及传感器,被设置用于侦测物理参量,物理参量包含关于由辐射源发射的电磁辐射与容纳在气体腔中的气体的相互作用程度的信息,其中辐射源包括:可电加热的扁平的辐射元件,被设置用于发射电磁辐射;以及壳体,具有扁平的第一和第二壳壁,这些壳壁在它们之间限定并直接邻接不透流体地与辐射源的周边环境分离的辐射元件容纳腔,在辐射元件容纳腔中具有比常压小的气压并且辐射元件的至少一个区段与第一和/或第二壳壁间隔布置,其中第一和/或第二壳壁对于从辐射源可发射的电磁辐射是可透射的。
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公开(公告)号:CN108966101B
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN201810807426.6
申请日:2015-03-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 公开了一种换能器结构,该换能器结构包括具有开口的载体和悬挂结构,该悬挂结构被装配在载体上并且至少部分地在该载体的开口之上延伸。该换能器结构可进一步包括,将该悬挂结构配置为通过改变悬挂结构和载体之间的距离,在悬挂结构和载体之间提供静电场。可替换地,该悬挂结构可被配置为响应于被提供在悬挂结构的部分和载体之间的静电力,改变悬挂结构和载体之间的距离。
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公开(公告)号:CN109678105A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201811217950.4
申请日:2018-10-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor: G·梅茨格-布吕克尔 , A·德厄 , U·赫科勒 , J·斯特拉塞 , A·沃瑟
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C1/00293 , B81C2201/0178 , B81C2201/0181 , B81C2203/0145 , B81C1/00277 , B81B7/0035 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本公开的实施例涉及封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件。该方法具有以下步骤:提供具有第一层结构的层布置和与第一层结构邻接地布置的空腔,其中第一层结构具有通向空腔的进入开口;执行CVD层沉积以便在具有进入开口的第一层结构上形成具有层厚度的第一覆盖层;和执行具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积以便在第一覆盖层上形成第二覆盖层,其中在第一子步骤中,在第一覆盖层上发生衬垫材料层的沉积,其中在第二子步骤中,在进入开口的区域中实现衬垫材料层的以及第一覆盖层的局部背向溅射,并且其中第一子步骤和第二子步骤交替地且多次重复地执行。
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公开(公告)号:CN109534280A
公开(公告)日:2019-03-29
申请号:CN201811100718.2
申请日:2018-09-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor: A·沃瑟 , A·德厄 , G·梅茨格-布吕克尔 , J·斯特拉塞
Abstract: 本申请涉及用于MEMS器件的制造方法,包括以下步骤:在载体衬底上提供层布置,其中层布置具有第一和第二层结构,其中在第一和第二层结构之间的中间区域中布置有牺牲材料,其中在第一和第二层结构之间延伸的蚀刻停止结构将中间区域划分为裸露区域和与裸露区域横向相邻的壁区域,并且其中第一和第二层结构中的至少一个层结构具有通向裸露区域的通道开口,并且借助于蚀刻过程通过通道开口而从裸露区域中去除所述牺牲材料,以暴露裸露区域,其中蚀刻停止结构被用作对蚀刻过程的横向限界,并且其中边缘区域中存在的牺牲材料被用作第一和第二层结构之间的机械连接。
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公开(公告)号:CN108540911A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810171550.8
申请日:2018-03-01
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor: A·德厄
Abstract: 公开了电容式MEMS设备、电容式MEMS声换能器、用于形成电容式MEMS设备的方法以及操作电容式MEMS设备的方法。在实施例中,电容式MEMS设备包括:第一电极结构,包括第一导电层;以及第二电极结构,包括第二导电层,其中所述第二导电层至少部分地与第一导电层相对,并且其中第一导电层包括在第二导电层的至少三个部分之间提供电隔离的多分段。
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公开(公告)号:CN108449702A
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201810151536.1
申请日:2018-02-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor: A·沃瑟 , C·阿伦斯 , A·德厄 , G·梅茨格-布吕克尔 , J·斯特拉塞
IPC: H04R19/04
Abstract: 微型机电麦克风可以包括:参考电极,布置在所述参考电极的第一侧并且能够通过待检测的声音移动的第一膜,以及布置在与参考电极的第一侧相对的所述参考电极的第二侧上并且能够通过待检测的声音移动的第二膜。第一膜和第二膜中的一个的、通过声音相对于参考电极移动的区域,不取决于其相对于参考电极的位置,该区域可以包括平坦部分以及邻近该平坦部分并且在膜的与第一膜和第二膜中另一个的重叠区域中布置的波纹部分。
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