公开(公告)号：CN107968085A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201710979390.5

申请日：2017-10-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 张超发 ,  蔡国耀 ,  李瑞家 ,  黄志洋 ,  V·索洛姆科

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/552 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/3025 ,  H01L23/535 ,  H01L21/76895

Abstract: 一种装置包括衬底，所述衬底包括导电结构并且具有与第二表面相反的第一表面。导电柱构建在所述导电结构中的至少一个之上并且与该至少一个电耦合。集成电路设置在所述第一表面之上并且电耦合到所述导电结构。模制化合物形成在所述衬底的所述第一表面之上。