公开(公告)号：CN107968085A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201710979390.5

申请日：2017-10-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 张超发 ,  蔡国耀 ,  李瑞家 ,  黄志洋 ,  V·索洛姆科

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/552 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/3025 ,  H01L23/535 ,  H01L21/76895

Abstract: 一种装置包括衬底，所述衬底包括导电结构并且具有与第二表面相反的第一表面。导电柱构建在所述导电结构中的至少一个之上并且与该至少一个电耦合。集成电路设置在所述第一表面之上并且电耦合到所述导电结构。模制化合物形成在所述衬底的所述第一表面之上。

公开(公告)号：CN103366798B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201310289419.9

申请日：2013-07-10

Applicant: 格科微电子(上海)有限公司

Inventor： 赵立新 ,  兰军强 ,  章涛

IPC: G11C11/4063 ,  H01L27/108 ,  H01L23/488 ,  H01L25/18 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L27/108 ,  G11C2207/107 ,  H01L21/485 ,  H01L22/22 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/10897 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了一种动态随机存取存储器及制造方法、半导体封装件及封装方法。动态随机存取存储器制造方法包括：提供存储器晶圆，存储器晶圆上有存储器裸片，存储器裸片上有顶层金属层，顶层金属层上有电源焊盘、信号焊盘和微焊盘，引出存储器裸片的内部总线与微焊盘电相连；对存储器晶圆进行修复；若存储器晶圆的良品率大于等于预定阈值，对微焊盘进行重新排布，形成对接焊盘，对接焊盘与微焊盘、电源焊盘电相连。半导体封装方法，包括：提供有动态随机存取存储器的第一晶圆；提供有逻辑芯片的第二晶圆；第一晶圆和第二晶圆通过相适应的对接焊盘的电连接实现晶圆级封装。本发明不对DRAM结构做较大改动，而提高DRAM的数据带宽，同时保证较高的良品率。

公开(公告)号：CN104916623A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510108355.7

申请日：2015-03-12

Applicant: 联发科技股份有限公司

Inventor： 许文松 ,  于达人

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/485 ,  H01F17/00 ,  H01F17/0006 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/705 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/17 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/2064 ,  H05K1/165 ,  H05K1/181 ,  H05K1/183 ,  H05K3/0017 ,  H05K3/0026 ,  H05K3/0047 ,  H05K3/107 ,  H05K3/188 ,  H05K3/303 ,  H05K2201/10098 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体封装和用于制造半导体封装基底的方法。半导体封装包括基底。所述基底具有装置连接面。射频(RF)装置被嵌入所述基底中。所述RF装置靠近所述装置连接面。本发明提供的半导体封装及其方法能够获得更好的品质因数。

公开(公告)号：CN103579159A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210575914.1

申请日：2012-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/485 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5382 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09051 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17515 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0295 ,  H05K2201/09954 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种器件，该器件包括第一封装部件，以及位于第一封装部件下面的第二封装部件。第二封装部件包括位于第二封装部件的顶面上的第一电连接件，其中，第一电连接件与第一封装部件相接合。第二封装部件进一步包括位于第二封装部件的顶面上的第二电连接件，其中，没有封装部件位于第二电连接件上且与其相接合。本发明还提供了一种封装组件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103533751B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310154368.9

申请日：2013-04-28

Applicant: 苹果公司

Inventor： M·E·拉斯特 ,  黄丽丽 ,  宏曾杰 ,  R·E·考弗曼 ,  T·T·江

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/20

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/485 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开涉及一种传感器阵列包装，可以包括被置于衬底的第一侧上的传感器。信号沟槽可以沿衬底的边缘形成，导电层可以淀积在信号沟槽中并且可以耦合到传感器信号垫块。接合导线可以附连到导电层并且可以布置成在传感器的表面平面之下。传感器阵列包装可以嵌在印制电路板中，使得接合导线能够在印制电路板中的其它导体处终止。

公开(公告)号：CN106252348A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610703053.9

申请日：2016-08-22

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 崔丛丛

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/485

Abstract: 一种低电容密度电容测试结构的版图布局方法，低电容密度电容测试结构包括位于外边框中的器件和金属衬垫组；其中，器件在版图平面上两者重叠摆放在金属衬垫组正下方；器件包括金属线、作为电容的上极板多晶硅栅、作为电容的下极板有源区、位于上下极板间的氧化隔离层和通孔；其中，金属衬垫组包括与有源区相连的第一金属衬垫、与多晶硅栅相连的第二金属衬垫，以及测试时仅与探针组中测试探针相连的第三金属衬垫；在测试时，通过探针组中相应的测试探针给第二金属衬垫加电位由于第二金属衬垫与多晶硅栅相连避免引入寄生电容，且将第三金属衬垫的内层金属层去掉以避免引入寄生电容。

公开(公告)号：CN104410373B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201410509826.0

申请日：2013-06-13

Applicant: 西凯渥资讯处理科技公司

Inventor： 霍华德·E·陈 ,  亦凡·郭 ,  庭福·吴·黄 ,  迈赫兰·贾纳尼 ,  田·敏·古 ,  菲利浦·约翰·勒托拉 ,  安东尼·詹姆斯·洛比安可 ,  哈迪克·布潘达·莫迪 ,  黄·梦·阮 ,  马修·托马斯·奥扎拉斯 ,  山德拉·刘易斯·培帝威克 ,  马修·肖恩·里德 ,  詹斯·阿尔布雷希特·理吉 ,  大卫·史蒂芬·雷普利 ,  宏晓·邵 ,  宏·沈 ,  卫明·孙 ,  祥志·孙 ,  帕特里克·劳伦斯·韦尔奇 ,  小彼得·J·札帕帝 ,  章国豪

IPC: H03F3/19 ,  H03F3/24

CPC classification number: H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及包含相关系统、装置及方法的功率放大器模块，其包含：功率放大器，其包含GaAs双极晶体管，所述GaAs双极晶体管具有集极、邻接所述集极的基极及射极，所述集极在与所述基极的结处具有至少约3×1016cm-3的掺杂浓度，所述集极还具有其中掺杂浓度远离所述基极增加的至少第一分级；及RF发射线，其由所述功率放大器驱动，所述RF发射线包含导电层及所述导电层上的表面处理镀层，所述表面处理镀层包含金层、接近所述金层的钯层及接近所述钯层的扩散势垒层，所述扩散势垒层包含镍且具有小于约镍在0.9GHz下的集肤深度的厚度。本发明还提供所述模块的其它实施例连同其相关方法及组件。

公开(公告)号：CN106711123A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610179428.6

申请日：2016-03-25

Applicant: 哈纳米克罗恩公司

Inventor： 金炫柱 ,  李承焕

IPC: H01L23/552 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L24/97 ,  H01L2021/60022 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L24/91

Abstract: 本发明涉及一种半导体封装件及其制造方法。具体地讲，本发明涉及一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：基板；安装在所述基板上的半导体芯片；连接元件，所述连接元件包括安装在所述基板上的绝缘体以及形成在所述绝缘体的端部的导电材料的第一连接部分；模制部分，所述模制部分包围所述半导体芯片，并且密封所述连接元件以便暴露所述第一连接部分的上表面；以及屏蔽层，所述屏蔽层包围所述模制部分，并且在与所述第一连接部分对应的部分上形成开口部分。

公开(公告)号：CN103579159B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210575914.1

申请日：2012-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/485 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5382 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09051 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17515 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0295 ,  H05K2201/09954 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种器件，该器件包括第一封装部件，以及位于第一封装部件下面的第二封装部件。第二封装部件包括位于第二封装部件的顶面上的第一电连接件，其中，第一电连接件与第一封装部件相接合。第二封装部件进一步包括位于第二封装部件的顶面上的第二电连接件，其中，没有封装部件位于第二电连接件上且与其相接合。本发明还提供了一种封装组件及其形成方法。

公开(公告)号：CN105607306A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510527205.X

申请日：2015-08-25

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李弘范 ,  闵庚孩 ,  白然贺 ,  申智勋 ,  申昊容 ,  李在贤

IPC: G02F1/13 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: G02F1/136259 ,  G02F1/1309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2001/136263 ,  G02F2201/42 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2330/08 ,  G09G2330/12 ,  H01L21/485 ,  H01L21/76894 ,  H01L22/22 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L2221/101 ,  H01L27/1214

Abstract: 提供了一种制造显示基板的方法、一种修复显示基板的方法和一种显示基板，所述显示基板包括：栅极金属图案，包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到栅极线的栅电极；数据金属图案，包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、电连接到数据线的源电极以及与源电极分隔开的漏电极；有机层，设置在数据金属图案上；修复孔，穿透有机层并暴露栅极线与数据线交叉的交叉区；以及像素电极，设置在有机层上并电连接到漏电极。