一种振动式激光改质晶片分离机构

    公开(公告)号:CN118664132A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410658266.9

    申请日:2024-05-27

    Abstract: 本发明涉及半导体加工设备技术领域,尤其涉及一种振动式激光改质晶片分离机构,解决改质层剥离过程收缩力控制难度大,易造成碎片的技术缺陷,其包括底板、支撑架、下吸盘组件和上吸盘组件,上吸盘组件包括竖直驱动组件和上吸盘,上吸盘的下表面配置有负压槽,上吸盘连接至竖直驱动组件的活动端,上吸盘的左右两侧固定连接有振动器;下吸盘组件包括下吸盘底座和下吸盘,下吸盘的上表面配置有负压槽,下吸盘通过导向销钉和直线轴承与下吸盘底座连接;下吸盘底座上连接有光电传感器,下吸盘上连接有与光电传感器对应配合的传感器片。通过该机构能顺利将晶锭表层从晶锭分离开,整个过程简单高效,该过程中振动力容易控制,能最大限度避免造成碎片。

    一种用于硬脆材料激光改质的温度可控加工装置

    公开(公告)号:CN118616876A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410608926.2

    申请日:2024-05-16

    Abstract: 本发明涉及硬脆材料的激光加工技术领域,尤其涉及一种用于硬脆材料激光改质的温度可控加工装置,解决了现有激光改质加工技术中存在待加工材料温度升高导致其加工质量与一致性差,激光一次性改质诱导的裂纹扩展范围难以扩大的技术问题,其包括激光光源、光路系统、激光加工头、真空吸附载物台、制冷装置和运动平台;真空吸附载物台固定连接至制冷装置上,制冷装置安装至运动平台的活动块上,真空吸附载物台上设置温度传感器,制冷装置中设置有温度控制器,温度控制器电连接有红外测温仪,运动平台上设置有运动控制器,真空系统、温度控制器和运动控制器均电连接至计算机。本发明能调节待加工板材的温度,提高硬脆材料激光诱导裂纹扩展的效率。

    双频超声裂纹扩展及剥离单晶SiC装置

    公开(公告)号:CN117133632B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311393588.7

    申请日:2023-10-26

    Abstract: 本发明属于晶片加工的技术领域,具体为双频超声裂纹扩展及剥离单晶SiC装置,包括箱体,箱体内升降电机通过同步带与旋转支撑轴连接,旋转支撑轴上连接有连接板,箱体的顶板上密封固定有水槽,水槽内设置有超声振动台,超声振动台支撑在支撑板上,连接板与支撑板通过支撑轴相连;箱体内还设置有旋转电机、减速器,减速器的输出轴的端部和超声振动台连接;在箱体的顶板上还设置有超声振动杆。本发明装置通过双频超声振动可使单晶SiC晶锭应力强度因子下降、断裂韧性降低,超声振动使内部改质层裂纹进一步扩展以达到直接剥离的效果,解决了单晶SiC晶锭在激光照射后内部改质层仍有较大结合力而使得晶片剥离困难的问题。

Patent Agency Ranking