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公开(公告)号:CN110068935A
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201810061862.3
申请日:2018-01-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本公开涉及一种微距激光散斑产生装置及方法,所述装置包括激光发射器、准直镜、光学衍射器件DOE、聚焦镜;所述激光发射器、准直镜、光学衍射器件DOE和聚焦镜四个部件之间的间距可调,且四个部件的倾斜角度可调;其中:准直镜经激光发射器发出的光线形成平行光线;光学衍射器件DOE将所述平行光线衍射出散斑点,形成散斑图案;聚焦镜聚焦将散斑图案进行缩小。本公开提出的装置投射的散斑图案对比度更高,均匀性更好,可以应用到微距范围,尤其在医疗方面,如口腔扫描,内窥镜等;工业方面,狭小空间近距离三维成像应用等。
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公开(公告)号:CN101593592A
公开(公告)日:2009-12-02
申请号:CN200910021868.9
申请日:2009-04-03
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及开关电源模块,公开了一种用于开关电源模块无源基板的铁氧体嵌板和磁芯结构。铁氧体嵌板包括垫板以及粘贴在垫板上的铁氧体单元,所述铁氧体单元为长方体,所述铁氧体单元之间的气隙中固化有铁氧体胶状聚合物;磁芯结构通过铁氧体嵌板经过裁剪、层叠、拼接或者其组合的方法而做成。
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公开(公告)号:CN109615601A
公开(公告)日:2019-04-12
申请号:CN201811281646.6
申请日:2018-10-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本公开揭示了一种融合彩色与灰阶深度图像的方法,包括:对三维深度感知设备的深度传感器和RGB传感器的内、外参进行标定;通过深度传感器获取灰阶深度图像,生成相应的YUV深度图像,同时,通过RGB传感器获取RGB彩色图像;将YUV深度图像转换为RGB深度图像,并与RGB彩色图像压缩编码后输出;将压缩编码的RGB深度图像与RGB彩色图像解压缩,将解压缩后的RGB深度图像转换为YUV深度图像,并恢复映射到YU或YV通道中的灰阶深度图像中各像素的深度值;对YUV深度图像和RGB彩色图像进行配准;将被恢复的灰阶深度图像中各像素的深度值和配准后的RGB彩色图像的纹理信息融合,生成彩色与灰阶融合的深度图像。
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公开(公告)号:CN101593592B
公开(公告)日:2012-01-04
申请号:CN200910021868.9
申请日:2009-04-03
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及开关电源模块,公开了一种用于开关电源模块无源基板的铁氧体嵌板和磁芯装置。铁氧体嵌板包括垫板以及粘贴在垫板上的铁氧体单元,所述铁氧体单元为长方体,所述铁氧体单元之间的气隙中固化有铁氧体胶状聚合物;磁芯装置通过铁氧体嵌板经过裁剪、层叠、拼接或者其组合的方法而做成。
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公开(公告)号:CN116145084A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202310181149.3
申请日:2023-02-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种事故容错型Cr/Nb纳米多层涂层及其制备方法,通过磁控溅射在洁净的硅基体上沉积制备Cr/Nb纳米多层涂层,其原理是Ar气经辉光放电后产生高密度Ar+,Ar+在电场的作用下被强烈吸引到负电极并以高速率轰击金属Cr直流靶和金属Nb直流靶,形成碰撞级联过程溅射出靶原子和二次电子,Cr原子和Nb原子最终反向运动至阳极的硅基体上沉积,而二次电子在正交电磁场的运动方向与电场、磁场垂直,以旋轮线的形式循环运动,提高了Ar的电离率,增加了离子密度和能量,从而实现高速率溅射。该方法通过控制调制比来对事故容错型Cr/Nb纳米多层涂层的微观结构进行调控,提高Cr/Nb纳米多层涂层的抗氧化性能。
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公开(公告)号:CN109615601B
公开(公告)日:2020-12-25
申请号:CN201811281646.6
申请日:2018-10-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本公开揭示了一种融合彩色与灰阶深度图像的方法,包括:对三维深度感知设备的深度传感器和RGB传感器的内、外参进行标定;通过深度传感器获取灰阶深度图像,生成相应的YUV深度图像,同时,通过RGB传感器获取RGB彩色图像;将YUV深度图像转换为RGB深度图像,并与RGB彩色图像压缩编码后输出;将压缩编码的RGB深度图像与RGB彩色图像解压缩,将解压缩后的RGB深度图像转换为YUV深度图像,并恢复映射到YU或YV通道中的灰阶深度图像中各像素的深度值;对YUV深度图像和RGB彩色图像进行配准;将被恢复的灰阶深度图像中各像素的深度值和配准后的RGB彩色图像的纹理信息融合,生成彩色与灰阶融合的深度图像。
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公开(公告)号:CN118186341A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410300671.3
申请日:2024-03-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种事故容错型Cr/CrTa纳米多层涂层及其制备方法,属于材料表面改性领域,该Cr/CrTa纳米多层涂层包括交替层叠设置的Cr层和CrTa层,所述Cr层和CrTa层的厚度比为0.1‑9;所述Cr层为晶态,晶体为柱状晶,CrTa层为非晶态,晶体为纳米晶颗粒;采用金属Cr靶和Ta靶进行直流共溅射,在基体交替沉积Cr层和CrTa层制备Cr/CrTa纳米多层涂层,通过控制调制参数改变会金属Cr/CrTa纳米多层涂层沉积生长过程中的优先生长方向,进而改变Cr/CrTa纳米多层涂层的微观组织结构,使Cr/CrTa纳米多层涂层必须具备均匀致密的微观组织以及优异的性能。
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