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公开(公告)号：CN118936567A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411430683.4
申请日：2024-10-14
Abstract: 本发明属于半导体传感器技术领域，公开了一种基于硅纳米通道的温盐深传感器及其制造方法；所述基于硅纳米通道的温盐深传感器中：硅衬底层上设置有SiO2埋氧层；SiO2埋氧层上设置有三个硅纳米通道，每个硅纳米通道的两侧均为欧姆接触区硅膜；金属引线及电极层设置于SiO2埋氧层上，且与各个欧姆接触区硅膜相连接；SiO2隔离层用于作为保护层；其中一个硅纳米通道的上方设置有SiO2栅氧层；其中一个硅纳米通道下方的硅衬底层设置有用于作为背腔的空腔。本发明技术方案解决了传统温盐深传感器结构复杂、体积较大、集成化程度低的难题，且能够保证温盐深传感器的高灵敏度探测以及参数一致性。
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公开(公告)号：CN118817829A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411296038.8
申请日：2024-09-18
IPC: G01N29/024
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，公开了一种基于CMUT的茶多酚浓度测量装置及方法；其中，所述茶多酚浓度测量装置包括：超声波探头模块、电源模块以及信号获取计算模块；其中，超声波探头模块包括发射端CMUT和接收端CMUT；电源模块包括信号发生器和直流电压源；信号获取计算模块用于获取发射端CMUT、接收端CMUT之间的距离以及超声飞行时间并计算获得待测茶多酚溶液的声速，与已标定茶多酚浓度的茶多酚溶液中的声速对比，得到待测茶多酚溶液的茶多酚浓度。本发明公开的技术方案，具有精度高、稳定性好、成本低、小型化、可靠性高、操作简单等优点，在茶多酚浓度检测领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118936567B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411430683.4
申请日：2024-10-14
Abstract: 本发明属于半导体传感器技术领域，公开了一种基于硅纳米通道的温盐深传感器及其制造方法；所述基于硅纳米通道的温盐深传感器中：硅衬底层上设置有SiO2埋氧层；SiO2埋氧层上设置有三个硅纳米通道，每个硅纳米通道的两侧均为欧姆接触区硅膜；金属引线及电极层设置于SiO2埋氧层上，且与各个欧姆接触区硅膜相连接；SiO2隔离层用于作为保护层；其中一个硅纳米通道的上方设置有SiO2栅氧层；其中一个硅纳米通道下方的硅衬底层设置有用于作为背腔的空腔。本发明技术方案解决了传统温盐深传感器结构复杂、体积较大、集成化程度低的难题，且能够保证温盐深传感器的高灵敏度探测以及参数一致性。
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公开(公告)号：CN119947224A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510040261.4
申请日：2025-01-10
Applicant: 中北大学
IPC: H10D84/03 , B82Y10/00 , C30B28/14 , C30B29/06 , C23C28/00 , C23C14/35 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C14/48 , C23C14/58 , C30B23/02 , C30B25/02 , G01D5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS侧墙工艺的金属栅控硅纳米线敏感单元的制备方法，属于传感器技术领域。本发明方法先在半导体衬底向上生长外延层，外延层上覆盖氧化层，N阱位于外延层上，多晶硅栅位于N阱上，在硅栅间隙进行第一次低能量注入形成超浅结，淀积氮氧化硅侧墙后进行第二次中能离子注入形成P+有源区，P+有源区连有金属引线，多晶硅栅和氮氧化硅侧墙上溅射一层金属引出硅栅电极，硅栅电极电压调节硅纳米线中载流子浓度。本发明硅纳米线敏感单元具备巨压阻效应，可大幅提高传感器灵敏度，氮氧化硅侧墙作为栅绝缘层，其上的硅栅电极电压调节硅纳米线的载流子浓度，形成金属‑氮氧化硅侧墙‑硅纳米线的MOS结构。
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公开(公告)号：CN114890374B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210525263.9
申请日：2022-05-15
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种L型连接梁声发射器件及其制备方法。该声发射器件由下而上依次为基底层、交替设置的介质层及金属层、钝化层，第n层介质层上刻蚀有矩形空腔，空腔顶部形成矩形振膜、L型连接梁及上电极，空腔底部形成下电极。制备时，使用COMS工艺的后端（BEOL）层作为MEMS器件的结构层，COMS电子层在MEMS器件层下方集成，各金属层间通过钨塞互连，最后通过刻蚀形成矩形空腔、矩形振膜及L型连接梁。本发明L型连接梁声发射器件具有可靠性好、体积小、灵敏度高、制造成本低、易于批量生产等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119290243A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411418441.3
申请日：2024-10-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种微型电容式压力传感器及其制备方法，涉及传感器技术领域，该传感器由上至下依次包括：上电极金属层、单晶硅薄膜层、真空腔体、二氧化硅绝缘层、单晶硅衬底、下电极金属层；其中，真空腔体为单晶硅薄膜层与二氧化硅绝缘层键合在一起形成的凹弧形密闭空腔；该结构极大的提高了微型电容式压力传感器的线性度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN115265754B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202211028088.9
申请日：2022-08-25
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明为一种MEMS同振型三维组合水听器，属于水声传感器技术领域。该水听器包括圆球状封装舱，圆球状封装舱内设有控制电路板，控制电路板上集成有一支构成矢量通道的MEMS电容式三轴加速度计以及一支构成声压通道的MEMS电容式全向性麦克风，控制电路板上连接有输出信号缆和输入信号缆，圆球状封装舱内还设有上下对称设置的气体密封腔。该水听器集成了一款MEMS电容式三轴加速度计作为矢量通道、集成了一款MEMES全向性麦克风作为声压通道，大大减小了MEMS同振型三维组合水听器的体积，增加了MEMS同振型三维组合水听器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN114871083B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202210559051.2
申请日：2022-05-22
Applicant: 中北大学
IPC: B06B1/02
Abstract: 本发明公开了一种电容式微机械超声换能器柔性柱面阵，属于MEMS技术领域。该柱面阵由多个相同的曲面阵对接拼装而成，单个曲面阵主要由叠置的模具、柔性PCB板和CMUT晶圆组成，CMUT晶圆划割形成多条线阵，线阵之间填充PDMS，CMUT晶圆顶面设置有金属上电极、底面设置有金属下电极。本发明柔性柱面阵具有高密度、高一致性的优点，能够包围在乳腺四周进行筛查，可在孔径为20cm的CMUT柱面阵空间内实现对乳腺组织的检测，在超声成像领域将具有很好的成本和性能优势。
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公开(公告)号：CN112957066B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110182398.5
申请日：2021-02-10
Applicant: 中北大学
IPC: A61B7/04
Abstract: 本发明为一种基于n型悬臂梁式一维MEMS声传感器的电子听诊器，属于生物医疗器件技术领域。该电子听诊器包括由三角支撑架、支撑柱、紧固螺栓、滑块、连接杆、支撑板、支撑杆组成的支撑螺纹连接体，由椭圆形壳体、盖体和感应薄膜组成的心音探头壳体以及设置于心音探头壳体内的MEMS声传感器微结构。本发明电子听诊器设计科学，结构合理，体积小巧美观，成本低廉，加工简单易于批量生产，使用操作方便稳定，检测灵敏度高，抗干扰能力强、信噪比高、可靠性高、带宽高、检测效果好，值得推广使用。
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公开(公告)号：CN115900926A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310046717.9
申请日：2023-01-31
Applicant: 中北大学
IPC: G01H11/08
Abstract: 本发明为一种全指向型水听器，包括水听器敏感探头、数据采集模块、数据存储模块和电源管理模块，水听器敏感探头包括球形封装外壳、环形PCB板、前级信号处理电路和双向微机械超声波换能器，双向微机械超声波换能器包括衬底，衬底的顶面和底面上设有对称设置的绝缘层、下电极层、器件层、真空腔体和上电极层。本发明全指向型水听器设计科学，结构合理，使用效果好，实现了在水听器所在的平面360度范围内对声压信号具有同样敏感性的目的。
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