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公开(公告)号：CN113860873A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111218230.1
申请日：2021-10-19
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , B22F3/02 , B22F3/14 , B22F7/02 , B22F9/04 , H01L35/34 , H01L35/16 , H01L35/02 , H01L35/28
Abstract: 本公开揭示了一种碲化铋热电器件的制备方法，包括：选取适量的Ni粉原料和C粉原料混合后球磨，获得Ni‑C混合粉料；在磨具中填入适量碲化铋粉料并进行预压，形成碲化铋热电材料层；将Ni‑C混合粉料干燥后填入磨具中，并均匀堆积在碲化铋热电材料层上进行二次预压，形成Ni‑C阻挡层；对碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层进行SPS烧结，冷却后获得碲化铋热电器件。本公开通过选用C原料部分代替Ni原料，能够在一定程度上减少Ni元素和Te元素在碲化铋热点材料层和阻挡层界面处的扩散和反应，在一定程度上能够抑制碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层界面处的劣化。
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公开(公告)号：CN113860873B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202111218230.1
申请日：2021-10-19
IPC: H10N10/01 , H10N10/10 , H10N10/852 , H10N10/80
Abstract: 本公开揭示了一种碲化铋热电器件的制备方法，包括：选取适量的Ni粉原料和C粉原料混合后球磨，获得Ni‑C混合粉料；在磨具中填入适量碲化铋粉料并进行预压，形成碲化铋热电材料层；将Ni‑C混合粉料干燥后填入磨具中，并均匀堆积在碲化铋热电材料层上进行二次预压，形成Ni‑C阻挡层；对碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层进行SPS烧结，冷却后获得碲化铋热电器件。本公开通过选用C原料部分代替Ni原料，能够在一定程度上减少Ni元素和Te元素在碲化铋热点材料层和阻挡层界面处的扩散和反应，在一定程度上能够抑制碲化铋热电材料层和Ni‑C阻挡层界面处的劣化。
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公开(公告)号：CN116693292B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310661743.2
申请日：2023-06-06
IPC: C04B35/547 , H10N10/852 , H10N10/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/65
Abstract: 公开了一种p型Bi2Te3基热电材料的制备方法及热电材料，方法包括以下步骤：以Bi，Cu，Sb，Te单质为原料，按照热电材料化学式Bi0.5Cu2xSb1.5Te3+x称量后混合，放入球磨罐中，其中，x的取值范围为0～0.15；球磨机球磨所述球磨罐中的原料得到粉料；球磨完成后的粉料采用SPS烧结法在真空加压条件下烧结形成p型Bi2Te3基热电材料。本方法显著提高电导率，通过高能球磨结合SPS烧结工艺，可以获得不同尺度的微纳米粉末。
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公开(公告)号：CN116693292A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310661743.2
申请日：2023-06-06
IPC: C04B35/547 , H10N10/852 , H10N10/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/65
Abstract: 公开了一种p型Bi2Te3基热电材料的制备方法及热电材料，方法包括以下步骤：以Bi，Cu，Sb，Te单质为原料，按照热电材料化学式Bi0.5Cu2xSb1.5Te3+x称量后混合，放入球磨罐中，其中，x的取值范围为0～0.15；球磨机球磨所述球磨罐中的原料得到粉料；球磨完成后的粉料采用SPS烧结法在真空加压条件下烧结形成p型Bi2Te3基热电材料。本方法显著提高电导率，通过高能球磨结合SPS烧结工艺，可以获得不同尺度的微纳米粉末。
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公开(公告)号：CN115752203B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202211479658.6
申请日：2022-11-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 公开了一种基于摩擦纳米发电的真空开关位移传感器装置，基于摩擦纳米发电的真空开关位移传感器装置中，梳状电极嵌入所述一对卡槽，定位轴安装于所述第一通孔，所述定位轴两端设有轴承，所述轴承在所述一对轴承滑道中垂直移动，高分子摩擦薄片经由薄片夹持器设置于所述夹持器卡槽且所述高分子摩擦薄片抵接所述梳状电极，高分子摩擦薄片与梳状电极接触摩擦输出电压信号，卡箍可拆卸连接所述夹持器卡槽，压力调节装置设于所述第二通孔且抵接所述薄片夹持器以调节所述高分子摩擦薄片抵接所述梳状电极的接触压力，采样集成电路电连接梳状电极以采集所述电压信号以转换为位移信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117979803A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410168221.3
申请日：2024-02-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H10N10/817 , H10N10/854 , H10N10/80 , H10N10/01 , H10N10/17
Abstract: 公开了一种半霍斯勒热电器件及其界面连接方法，器件中，第一氮化铝陶瓷板导热绝缘层层叠于第一覆铜层上，第一焊料层层叠于第二覆铜层上，第一镍箔层叠于第一焊料层，第一半霍斯勒热电臂一端支承于第一银箔上，第二银箔层叠于第一半霍斯勒热电臂的另一端，第三覆铜层间隔且平行第一覆铜层，第二氮化铝陶瓷板导热绝缘层层叠于第三覆铜层上，第三银箔层叠于第二镍箔，第二半霍斯勒热电臂一端支承于第三银箔上，第四银箔层叠于第二半霍斯勒热电臂的另一端，第三镍箔层叠于第二银箔和第四银箔上，第五覆铜层层叠于第三焊料层上，第三氮化铝陶瓷板导热绝缘层层叠于第五覆铜层上，第六覆铜层层叠于第三氮化铝陶瓷板导热绝缘层上。
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公开(公告)号：CN117871605A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410168235.5
申请日：2024-02-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 公开了一种热电材料性能参数表征装置和测试方法，装置中，底板包括真空连接器；真空罐体密封连接底板以形成真空环境；水冷凸台设于底板上表面且位于真空环境；低温端传感器设于水冷凸台的上表面；一对支撑柱竖直固定于底板的上表面且位于真空环境；加压装置设于一对支撑柱的顶部，加热模块设于加压装置之下且位于一对支撑柱之间，待测样品一端连接传热块底部，另一端连接低温端传感器，待测样品为热电材料；探针测量待测样品的温度信号和电压信号；测试控制和数据处理系统，其连接至热电偶表、电压表、电流源和温度控制模块以控制表征测试流程、数据采集和后处理。
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公开(公告)号：CN117805178A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410168246.3
申请日：2024-02-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 公开了一种用于热电材料性能参数表征的探针，装置中，支撑底座包括基座以及竖直连接基座的支撑杆，金属壳体包括设于一端的一对贯穿孔以及设于金属壳体底部的穿线孔，填充材料填充于金属壳体靠近贯穿孔的一端，一对限位套管分别设于贯穿孔，一对双线线路依次穿设且延伸出填充材料和限位套管，第一正连接线及第一负连接线自穿线孔进入金属壳体中的一个双线线路的一端且自另一端延伸，第一正连接线及第一负连接线在另一端形成第一测试点，第二正连接线及第二负连接线自穿线孔进入金属壳体中的另一个双线线路的一端且自另一端延伸，第二正连接线及第二负连接线在另一端形成第二测试点，第一测试点和第二测试点接触待热电材料的测材料样品。
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公开(公告)号：CN117566695A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311562273.0
申请日：2023-11-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种P型碲化铋基材料及其制备方法，所述P型碲化铋基材料中掺杂有稀土元素，通过稀土材料、Sb源、Te源和Bi源经包括熔融、球磨和烧结制得所述P型碲化铋基材料。稀土元素的外层原子轨道，能够极大程度地改善基体相的能带结构。同时，利用稀土原子与Sb原子之间的大原子差，提供质量势场，增强声子散射几率，降低晶格热导率，稀土元素双重作用协同增强所述P型碲化铋基材料的热电性能。本发明提供的P型碲化铋基材料的制备方法简单，仅需原位掺杂稀土元素，即可获得高热电性能的P型碲化铋基材料，在优化碲化铋基热电材料性能方面提供了重要的技术指导。
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公开(公告)号：CN116281880A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310294318.4
申请日：2023-03-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B19/00 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种P型碲化铋基材料及其制备方法，所述P型碲化铋基材料的通式表示为：Bi0.4Sb1.6‑xYbxTe3，0
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