一种碳化硅器件动态特性测试系统及方法

    公开(公告)号:CN119125847A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411353005.2

    申请日:2024-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅器件动态特性测试系统及方法,属于碳化硅功率器件测试技术领域,PC端的输出端与控制板的输入端相连接,控制板的输出端与第一驱动板的输入端及第二驱动板的输入端相连接,第一驱动板的输出端与测试板中辅助开关管的控制端相连接,第二驱动板的输出端与测试板中被测碳化硅芯片的控制端相连接,示波器的输入端与测试板中被测碳化硅芯片的栅极、源极、漏极以及续流二极管相连接,示波器的输出端与PC端的输入端相连接,直流电源与控制板相连接,高压电源与测试板相连接,该系统及方法能够测量大功率碳化硅芯片的饱和区特性。

    一种基于碳化硅双面子模块并联的大容量电力电子模块

    公开(公告)号:CN118889873A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410953174.3

    申请日:2024-07-16

    Abstract: 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域,具体为一种基于碳化硅双面子模块并联的大容量电力电子模块,包括适用于多模块并联的双面碳化硅功率半桥模块、双面散热器、薄膜解耦电容、交流端汇流排、并联模块驱动PCB板、直流侧母排、母线支撑薄膜电容。功率模块属于多模块并联的半桥结构,每个功率子模块与双面散热器紧密结合,通过直流侧母排与交流段汇流排实现并联。本发明通过优化母排并联支路端子寄生参数,集成双面散热器,使用集成栅源电压稳定电路的单驱动板,保证了该大容量电力电子模块各并联双面碳化硅功率模块间电流均衡的同时还具备良好的散热性能和较高功率密度,适用于电动汽车应用领域中大容量电流的应用场合。

    一种适用于多模块并联的碳化硅双面功率模块设计

    公开(公告)号:CN118888523A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410953188.5

    申请日:2024-07-16

    Abstract: 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域,具体为一种适用于多模块并联的碳化硅双面功率模块设计,功率模块为半桥结构,上半桥臂与下半桥臂均设置有两个并联且布局完全对称的碳化硅功率芯片,模块正负极连接节点、交流中间节点均通过功率端子进行引出,上下半桥驱动连接点也通过驱动端子进行引出,并设有集成驱动电阻;上桥臂DBC基板和下桥臂DBC基板通过金属柱实现硬件和电气连接。本发明实现了两芯片并联完全对称的布局设计,对功率端子布局和驱动部分分别进行了优化,可以做到内部并联芯片电流均衡;采用先进双面模块封装工艺,具有较高的功率密度和散热性能,并利于扩展为多模块并联,以适应在电动汽车应用领域中更大电流的场合。

    一种基于铜夹扣的多芯片并联碳化硅功率模块

    公开(公告)号:CN119008602A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411108612.2

    申请日:2024-08-13

    Abstract: 本发明涉及半导体封装技术领域,公开了一种基于铜夹扣的多芯片并联碳化硅功率模块,在多芯片并联碳化硅功率模块本体中通过铜夹扣连接组件将上桥臂DBC基板和下桥臂DBC基板连接,并且代替了传统铝键合线,完成碳化硅功率半导体芯片的功率源极和DBC基板的上表面金属区域间的电气互连,减小了互连部分的寄生参数,提高了互连结构的可靠性,同时为碳化硅功率半导体芯片增加了一条顶部的额外散热路径,从而增强了碳化硅功率模块的散热能力,通过调整铜夹扣的结构参数均衡了并联芯片的功率源极寄生电感,同时结合布局的对称性优化了多芯片并联碳化硅功率模块使用中存在的动态电流分配不均问题。

    基于导电金属带的宽禁带半导体双面散热模块封装结构

    公开(公告)号:CN114649279A

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202210269699.6

    申请日:2022-03-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于导电金属带的宽禁带半导体双面散热模块封装结构,不同桥臂的半导体功率芯片设置于不同的功率衬底上,减小模块的体积,极大提高了模块功率密度;功率垫片设置于顶部、底部功率衬底之间,起机械支撑和电气连接作用,在双面散热的基础上为每一个半导体功率芯片提供额外的散热路径,降低芯片之间热耦合程度,达到芯片均温效果,同时改善芯片散热环境;驱动回路与换流回路近于在空间上近于垂直,回路之间电磁耦合程度得到极大降低,模块可靠性得到进一步提升;换流回路使用导电金属带完成芯片所须的电气连接,模块寄生电感数值极大减小,其中源极导电金属带于连接处开有孔槽,可以使寄生电感分布均匀度得到提升,达到芯片均流效果。

    一种适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构

    公开(公告)号:CN111146164B

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN201911360511.3

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种适用于恶劣环境的宽禁带功率模块的封装结构,包括顶部功率基板、底部功率基板、若干功率垫片、功率端子以及电子电子功率半导体芯片;若干功率垫片设置于顶部导电金属基板和底部导电金属基板之间;功率端子包括一个与顶部导电金属基板相连的交流功率端子,以及两个与底部导电金属基板相连的直流功率端子正极和直流功率端子负极;相邻的芯片不在同一个水平面上,交错排布的方式能够极大的减小所有芯片之间的热耦合程度,使得所有芯片于其他芯片的热耦合程度较为平均,以便达到所有芯片均温的效果;本发明得益于模块的均温、均流和低热阻的优点,芯片可以轻松地紧密排布,从而缩小了功率模块的体积,减少了散热冷却系统的成本。

    一种碳化硅功率模块动态均流方法及系统

    公开(公告)号:CN119448742A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411532374.8

    申请日:2024-10-30

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅功率模块动态均流方法及系统,设置多芯片并联碳化硅功率模块的基础布局,提取电路寄生参数;设置碳化硅功率模块工作条件,设置母线电压、负载电流、功率芯片开关速度;设置最高容许电压过冲,依据电压过冲限制分布式解耦电容组的总电容值;根据加入分布式解耦电容组后并联支路在设定开关速度下的等效阻抗,调整分布式解耦电容的电容值,使得各支路等效阻抗相同。本发明通过集成分布式解耦电容,解决了传统并联技术中电流分配不均的问题,对于提升电力电子系统的性能具有重要的理论和实际意义。

    适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构

    公开(公告)号:CN114400220A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202210037750.0

    申请日:2022-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构,包括顶部陶瓷基板、底部陶瓷基板、第一SiC MOSFET器件、第二SiC MOSFET器件、第三SiC MOSFET器件、第四SiC MOSFET器件、第五SiC MOSFET器件、第六SiC MOSFET器件、第七SiC MOSFET器件、第八SiC MOSFET器件、第一钼柱、第二钼柱、第三钼柱、第四钼柱、第五钼柱、第六钼柱、第七钼柱、第八钼柱、第一金属引出端子、第二金属引出端子、第三金属引出端子、第四金属引出端子、第五金属引出端子、第六金属引出端子及第七金属引出端子,该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度以及便于级联的特点。

    基于导电金属夹扣互连的多芯片宽禁带功率模块封装结构

    公开(公告)号:CN111540730A

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN202010324003.6

    申请日:2020-04-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于导电金属夹扣互连的多芯片宽禁带功率模块封装结构,包括功率基板、导电金属夹扣、功率端子、驱动端子以及电子电子功率半导体芯片,适用于多个宽禁带半导体功率芯片并联的大电流等级功率模块。若干串联或并联的电力电子功率半导体芯片排布在功率基板上表面的导电金属基板上;功率回路中使用导电金属夹扣替代传统的铝键合线完成功率模块中功率回路的电气连接;导电金属夹扣的布局设计使得功率模块中并联支路的寄生电感分布均匀度得到极大提升,达到并联芯片均流的效果;相邻芯片的间距相同保证散热条件几乎相同,达到芯片均温的效果;导电金属夹扣接头的形状设计降低了工作产生的热-机械应力,提升了功率模块的可靠性;导电金属夹扣的热量传递能力使功率模块实现双面散热结构。

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