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公开(公告)号：CN118777668A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411153365.8
申请日：2024-08-21
Abstract: 本发明涉及封装测试技术领域，具体为一种高压碳化硅MOSFET的漏电流检测电路及方法，该电路包括HTRB测试主电路、采样电路，测试所用的加热台和待测高压碳化硅MOSFET均与主电路连接，采样电路包括采样电阻、仪用放大器、ADC转换器和DSP处理器，待测高压碳化硅MOSFET的栅极接在采样电阻与HTRB测试主电路之间，采样电阻的一端与HTRB测试主电路的负极连接，采样电阻与仪用放大器的输入端连接，仪用放大器的输出端与ADC转换器的输入端连接，ADC转换器的输出端与DSP处理器的输入端连接，本发明设计合理、全面，能够准确评估MOSFET在极端条件下的漏电流性能，通过进一步优化电路设计和检测方法，可以进一步提高测试的准确性和可靠性，为MOSFET的可靠性评估和筛选提供有力支持。
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公开(公告)号：CN118965896A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411086779.3
申请日：2024-08-08
IPC: G06F30/23 , G06F119/08 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种基于功率器件表面温度检测焊层老化形貌的方法及系统，建立未老化功率器件的有限元仿真模型，获取功率器件未老化时表面温度及热流密度的变化规律；建立老化后功率器件的有限元仿真模型，获取功率器件老化后的表面温度及热流密度的变化规律；获取老化后具有任意形貌的功率器件芯片表面温度，利用以上获取的表面温度及热流密度与老化形貌之间关系的规律，根据此表面温度判断出焊层的老化形貌。本发明可以通过观测芯片表面的热流密度分布来检测出焊层空洞的边界，从而确定焊层的形貌。
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公开(公告)号：CN118888523A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410953188.5
申请日：2024-07-16
IPC: H01L23/367 , H01L23/488 , H01L25/16 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，具体为一种适用于多模块并联的碳化硅双面功率模块设计，功率模块为半桥结构，上半桥臂与下半桥臂均设置有两个并联且布局完全对称的碳化硅功率芯片，模块正负极连接节点、交流中间节点均通过功率端子进行引出，上下半桥驱动连接点也通过驱动端子进行引出，并设有集成驱动电阻；上桥臂DBC基板和下桥臂DBC基板通过金属柱实现硬件和电气连接。本发明实现了两芯片并联完全对称的布局设计，对功率端子布局和驱动部分分别进行了优化，可以做到内部并联芯片电流均衡；采用先进双面模块封装工艺，具有较高的功率密度和散热性能，并利于扩展为多模块并联，以适应在电动汽车应用领域中更大电流的场合。
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公开(公告)号：CN1819072A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610041774.4
申请日：2006-02-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 基于可控精度浸粉机构的电子元器件粉末包封机，包括机架及设置在机架上的流化床、在流化床的上端设置有浸粉机构和热风循环箱，浸粉机构包括固定在机架上的水平安装板和与水平安装板相互垂直的安装立板，安装立板上设有伺服电机、蜗轮蜗杆和直线滑轨，伺服电机通过同步带与蜗轮蜗杆相连接，在安装立板上还设置有与蜗轮蜗杆相连接的滚珠丝杠，且在滚珠丝杠上设置有与套装在直线滑轨上的连接座固定连接的丝母套，连接座通过挂架连杆与挂架相连接。本发明采用了由伺服电机、滚珠丝杠、直线滑轨组成的浸粉机构，通过伺服电机的调整可以保证浸粉的精度控制在±0.1mm，以适应不同电子元器件对包封精度的要求。
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公开(公告)号：CN1801416A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510096307.7
申请日：2005-11-07
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种电子元器件粉末包封设备的控制方法，根据电子元器件的包封的工艺要求，通过流量控制单元使绝缘粉末达到均匀疏松状态，等待电子元器件的浸粉；然后根据包封的工艺要求设定的粉末包封的浸粉参数，通过浸粉机构控制单元，使安装在浸粉机构上的电子元器件插入粉末流化床机构的绝缘粉末中进行浸粉，当满足设定的粉末包封浸粉参数时，电子元器件进入加热与保温机构中流平，熔融电子元器件表面的绝缘粉末。本发明通过流量控制单元控制粉末流化床机构保证了绝缘粉末流态化的均匀性，提高了电子元器件浸粉的均匀性与一致性；通过浸粉机构控制单元实现了浸粉机构运动的精确控制，减少了电子元器件运动过程的预热温度的散失。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118033357A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410165273.5
申请日：2024-02-05
Applicant: 西安交通大学 , 绍兴市通越宽禁带半导体研究院
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件结温在线检测系统及方法和控制器，包括控制器、在线测量电路以及用于提取待测器件饱和漏极电流信息的检测模块，其中，在线测量电路的一端与待测器件的漏极相连接，在线测量电路的另一端及待测器件的源极相连接；当待测器件进入饱和区工作时，在线测量电路中的储能元件自动向待测器件的漏极注入电流，使得待测器件的漏极电流上升；控制器与所述检测模块相连接，控制器根据所述检测模块提取的待测器件饱和漏极电流信息确定待测器件的结温，该系统、方法及控制器能够在线检测半导体器件的结温，且具有低成本、高精度、高灵敏度以及高响应速度的特点。
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公开(公告)号：CN1253721C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200410025871.5
申请日：2004-02-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 基于非线性金属氧化物电阻片冲击电流测试装置，包括设置在金属框架内的储能组件及波形形成电阻、电感，导电的金属板分别将电容器两个电极连接到一起，电容高压端与放电装置相连接，放电装置与电阻片输送机构上的测试用电极的高压端相连接，输送机构是由步进电机驱动金属转盘，当电阻片转动到夹片机构的位置时，金属转盘自动停止，夹片机构自动动作。当夹片机构检测到有电阻片时，放电间隙自动接通，完成一次放电过程。本发明具有转盘自动定位、自动放电、自动接地功能。结构简单、操作方便、可靠性强、能够快速、准确地对金属氧化物电阻片进行冲击电流电气性能自动化测试。
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公开(公告)号：CN1588572A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410073118.3
申请日：2004-09-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 冲击电流波形调整用调波电阻，包括上电极、下电极以及固定在上、下电极之间的绝缘板和电阻片，在上、下电极上还设置有接线柱，其特点是，绝缘板的一侧开设有一凹槽，且相邻的绝缘板的凹槽交替排列，电阻片以S对折的方式缠绕在绝缘板上。由于本发明的电阻片可采用镍铬、铁铬合金材料，以S对折的方式制作100kA以上4/10μs、8/20μs冲击电流电路的调波电阻，每层电阻片由绝缘板(如环氧、聚四氟乙烯等)分隔并压紧固定，且每层电阻片都由绝缘板通过连接柱压紧，在100kA以上的4/10μs、8/20μs脉冲电流作用下，调波电阻不会出现断裂、放电等现象。
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公开(公告)号：CN119786470A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411973349.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/64 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种AI算力芯片垂直供电结构，包括AI算力芯片、硅通孔转接板、有机转接板及低感氮化镓模块；AI算力芯片、硅通孔转接板、有机转接板及低感氮化镓模块自上到下依次分布，有机转接板与硅通孔转接板之间设置有若干输出电容，相邻输出电容设置有第一组焊锡球，有机转接板的下方还设有第一芯片电感及第二芯片电感，其中，第一芯片电感与有机转接板之间、第二芯片电感与有机转接板之间以及低感氮化镓模块与有机转接板之间均设置有第二组焊锡球，该结构能够避免供电回路较长而导致的线路损耗和电压动态振荡幅值较大的问题。
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公开(公告)号：CN100370669C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200510041865.3
申请日：2005-03-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种真空环境下的过电压保护装置，包括设置在绝缘密闭外壳内的相对布置的左电极和右电极，左电极和右电极为柱状结构，左、右电极分别通过左密封端盖和右密封端盖密封在绝缘密闭外壳内且绝缘密闭外壳内的压力为10-3-10-4Pa。由于本发明由封装在真空环境下的柱状电极构成，真空环境下的柱状电极具有极大的导出瞬态脉冲电流的能力，较长的使用寿命，并对工频电源所产生的后续电流有非常优良的抑制作用。
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