公开(公告)号：CN118712148A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410762800.0

申请日：2024-06-13

Applicant: 西安交通大学 ,  国网上海市电力公司

Inventor： 王来利 ,  张彤宇 ,  汪岩 ,  张鑫 ,  龚泓舟 ,  赵明智 ,  关国廉 ,  杨奉涛 ,  高凯

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明公开了一种芯片上表面互连增强散热的单面碳化硅功率模块，包括高导热绝缘基板，碳化硅芯片的上表面通过高导热绝缘基板完成电气连接，在降低了电气寄生参数的同时，为单面散热的碳化硅功率模块提供了一条额外的散热路径，将芯片所产生的热量扩散至更大的面积，增大了向底板传递热量的有效面积，大幅提高碳化硅功率半导体芯片的散热能力，有效降低碳化硅芯片的最高温度与温度波动。

公开(公告)号：CN119125847A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411353005.2

申请日：2024-09-26

Applicant: 西安交通大学 ,  国网上海市电力公司

Inventor： 王来利 ,  汪岩 ,  张彤宇 ,  张鑫 ,  董晓博 ,  龚泓舟 ,  赵明智 ,  孔航 ,  高凯

IPC: G01R31/28 ,  G01R1/04 ,  G01R1/28

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅器件动态特性测试系统及方法，属于碳化硅功率器件测试技术领域，PC端的输出端与控制板的输入端相连接，控制板的输出端与第一驱动板的输入端及第二驱动板的输入端相连接，第一驱动板的输出端与测试板中辅助开关管的控制端相连接，第二驱动板的输出端与测试板中被测碳化硅芯片的控制端相连接，示波器的输入端与测试板中被测碳化硅芯片的栅极、源极、漏极以及续流二极管相连接，示波器的输出端与PC端的输入端相连接，直流电源与控制板相连接，高压电源与测试板相连接，该系统及方法能够测量大功率碳化硅芯片的饱和区特性。

公开(公告)号：CN119008602A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411108612.2

申请日：2024-08-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  张鑫 ,  张彤宇 ,  侯晓东 ,  关国廉 ,  汪岩 ,  龚泓舟 ,  赵明智

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种基于铜夹扣的多芯片并联碳化硅功率模块，在多芯片并联碳化硅功率模块本体中通过铜夹扣连接组件将上桥臂DBC基板和下桥臂DBC基板连接，并且代替了传统铝键合线，完成碳化硅功率半导体芯片的功率源极和DBC基板的上表面金属区域间的电气互连，减小了互连部分的寄生参数，提高了互连结构的可靠性，同时为碳化硅功率半导体芯片增加了一条顶部的额外散热路径，从而增强了碳化硅功率模块的散热能力，通过调整铜夹扣的结构参数均衡了并联芯片的功率源极寄生电感，同时结合布局的对称性优化了多芯片并联碳化硅功率模块使用中存在的动态电流分配不均问题。

公开(公告)号：CN119833507A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411973242.9

申请日：2024-12-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  张彤宇 ,  苗昱 ,  赵明智 ,  杨奉涛 ,  裴云庆 ,  张虹 ,  甘永梅 ,  杨旭

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L23/64 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明公开了一种低电感碳化硅功率模块与换流回路结构，包括大面积的电流规划互连结构与极短路径的端子直连电容结构，通过大面积的电流规划互连结构与陶瓷基板的导电线路之间的互感大幅降低碳化硅功率模块内部的寄生电感，同时利用端子直连电容结构，缩短了从功率模块内部端子引出位置到达外部电容的路径长度，降低了碳化硅功率模块外部连接电路的寄生电感，从而降低了整个换流回路的寄生电感，抑制了开关电压过冲与震荡，降低了工作损耗。

公开(公告)号：CN119448742A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411532374.8

申请日：2024-10-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  张彤宇 ,  熊帅 ,  龚泓舟 ,  马早军 ,  张鑫 ,  汪岩 ,  关国廉 ,  赵明智

IPC: H02M1/088 ,  H02M1/00 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅功率模块动态均流方法及系统，设置多芯片并联碳化硅功率模块的基础布局，提取电路寄生参数；设置碳化硅功率模块工作条件，设置母线电压、负载电流、功率芯片开关速度；设置最高容许电压过冲，依据电压过冲限制分布式解耦电容组的总电容值；根据加入分布式解耦电容组后并联支路在设定开关速度下的等效阻抗，调整分布式解耦电容的电容值，使得各支路等效阻抗相同。本发明通过集成分布式解耦电容，解决了传统并联技术中电流分配不均的问题，对于提升电力电子系统的性能具有重要的理论和实际意义。

公开(公告)号：CN118983280A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411066005.4

申请日：2024-08-05

Applicant: 西安交通大学 ,  绍兴市通越宽禁带半导体研究院

Inventor： 王来利 ,  张彤宇 ,  赵明智 ,  关国廉 ,  汪岩 ,  龚泓舟 ,  张鑫 ,  朱梦宇 ,  冯科

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明公开了一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块，碳化硅芯片的上表面通过高导热垫块连接，主体为高导热绝缘材料的高导热垫块具有超出碳化硅功率芯片的面积，将芯片所产生的热量向上扩散至更大的面积，从而大幅提高了双面散热碳化硅功率模块的散热能力，有效降低了碳化硅芯片的最高温度与温度波动。