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公开(公告)号：CN117914447A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410038673.X
申请日：2024-01-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于USB‑PD的物理层编解码收发系统，包括：发送部分、接收部分和PHY层控制寄存器模块，发送部分包括接收校验模块、序列生成模块、CC驱动模块、空闲检测模块和发送控制单元，接收部分包括CC判定及滤波模块、BMC解码及64bit前导码检测模块、序列检测模块和接收控制单元。该系统中采用校验速度可调的多字节信息流并行校验码生成方法对协议层数据进行CRC校验码计算，提升了系统的发送稳定性；采用空闲检测模块检测CC判定及滤波模块的输出信号以判定当前总线是否空闲，降低了消息碰撞风险；PHY层控制寄存器模块采用寄存器读写的控制模式，提升了该系统的通用性和可移植性。
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公开(公告)号：CN118676245A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410633542.6
申请日：2024-05-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及一种Si基Ge SPAD器件及其制备方法，制备方法包括：在SOI衬底的顶层硅离子注入形成n+‑Si电极接触层；在n+‑Si电极接触层上依次层叠制备i‑Si倍增层和绝缘层；刻蚀部分绝缘层露出i‑Si倍增层，形成电荷层窗口区域；利用原位掺杂工艺和原位生长工艺，在电荷层窗口区域的i‑Si倍增层上依次层叠制备p‑Si电荷层、i‑Ge吸收层和p+‑Ge电极接触层；对绝缘层和i‑Si倍增层进行刻蚀，形成n+区接触层通孔，在n+区接触层通孔内以及p+‑Ge电极接触层上，制备金属化工艺定义电极；在p+‑Ge电极接触层上制备抗反射层。本发明通过引入原位生长和原为掺杂工艺，避免引入大量晶格缺陷，从而提高了器件灵敏度和探测效率。
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公开(公告)号：CN117369585A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311590543.9
申请日：2023-11-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/66
Abstract: 本发明提供了一种具有快速响应且可调节瞬态响应的LDO电路和芯片，包括：误差放大器EA0、功率管MP0、低增益级模块、补偿电容选择器、数字控制电阻分压阵列、瞬态增强电路；补偿电容选择器，用于根据第一外部控制信号为误差放大器EA0的输出端和功率管MP0的漏极提供相应容值的电容；数字控制电阻分压阵列，用于根据第二外部控制信号来控制LDO电路中的反馈电阻的阻值，从而产生相应的输出电压；瞬态增强电路，用于根据误差放大器EA0和数字控制电阻分压阵列之间的反馈电压来调整功率管MP0的栅极电压，该电路结构简单、响应快速、输出电压可编程，且能够灵活的调节瞬态响应。
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公开(公告)号：CN117374145A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311094338.3
申请日：2023-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0256 , G01J1/42
Abstract: 本发明涉及一种波长可调谐光电探测器及其探测方法，光电探测器包括：衬底层、第一介质层、浮栅层、第二介质层、沟道层、源电极和漏电极；第一介质层位于衬底层的上表面；浮栅层、源电极和漏电极位于第一介质层的上表面；源电极和漏电极分别位于浮栅层的两侧，且均与浮栅层之间具有间隔；第二介质层覆盖在浮栅层的上表面和侧表面；沟道层位于第二介质层的上表面；衬底层的材料为Ge，对红外光负响应；沟道层对可见光正响应。通过衬底层和沟道层对光的吸收完成光探测功能。将光电探测器与电阻R串联，调整栅控电压的大小改变浮栅层和沟道层中的电子分布，从而改变沟道电阻。根据光电探测器的阻值和电阻R的阻值比值的改变，实现波长选择性探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116706685A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310652986.X
申请日：2023-06-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于SiN应力的阶梯状结构GeSn激光器及制备方法，激光器包括：衬底层；设置在衬底层上的缓冲层；设置在缓冲层上的N型Ge层；分别设置在N型Ge层两端的DBR反射镜和DBR反射镜；设置在N型Ge层上的阶梯状结构；设置在阶梯状结构上的P型Ge层；设置在P型Ge层内的P型重掺杂欧姆接触区；设置在阶梯状结构上和N型Ge层上的Si3N4应力层；设置在贯通Si3N4应力层的第一沟槽内和P型重掺杂欧姆接触区之上的电极；设置在金属电极之下且在N型Ge层内的N型重掺杂欧姆接触区。本发明能够有效提高Ge激光器的发光效率、降低Ge激光器的阈值电流密度，为高效的Ⅳ族材料集成光源提供了一种可行方案。
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公开(公告)号：CN118748221A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410848779.6
申请日：2024-06-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种电荷耦合型单光子雪崩二极管探测阵列结构及其制备方法，阵列结构包括：Si衬底、第一掺杂类型保护环、第一掺杂类型电极低阻接触区、第二掺杂类型阱区、第二掺杂类型电极低阻接触区、光吸收层、金属互联结构和钝化层。该结构在第一掺杂类型保护环的外围围绕第二掺杂类型阱区，并且第二掺杂类型阱区与光吸收层相接触，单像素内四周的第二掺杂类型阱区、光吸收层和第一掺杂类型电极低阻接触区之间形成环形的电场区域，利用空间位置上的电势差将光吸收层中的光生载流子输运至倍增区域，增大了器件有效光敏区域，在保证器件暗计数参数的情况下提高了阵列的填充因子和光探测效率，解决了光检测效率与填充因子的相互制约问题。
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公开(公告)号：CN117748945A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311785320.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种低成本低温漂高电源抑制比振荡电路，包括：温度补偿电流产生电路、共源共栅镜像电路、充放电控制电路、放电判别电路、以及复位置位RS触发器，第一电流源。其通过温度补偿电流产生电路和共源共栅镜像电路，产生具有与电容充放电电压差具有相同的温度系数的补偿电流，降低温度漂移，其工艺及结构简单，能够在实现较高的温度系数和电源抑制比的同时，降低电路面积和成本，具有更广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117543965A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311478718.7
申请日：2023-11-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明公开了一种快速响应、低纹波电压的无片外电容电感稳压电路，包括交叉耦合电荷泵、误差放大器模块、数字逻辑控制模块和低压差线性稳压器，其中，交叉耦合电荷泵带有衬底动态偏置电路，用于将原始电源电压进行抬升，并消除了阈值压降效应及体效应的影响；数字逻辑控制模块用于通过电阻反馈环路产生不同的输出电压，实现电路中输出电压的可编程功能；误差放大器模块用于缓冲并调节数字逻辑控制模块中电阻反馈环路中的节点电压；低压差线性稳压器用于对数字逻辑控制模块的输出电压进行稳压处理，提升电路的瞬态响应速度以及稳定性。本发明改善了传统稳压电路瞬态响应时间长、纹波大的问题，以及采用片外大电容而引起的成本问题。
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公开(公告)号：CN116901096A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310541708.7
申请日：2023-05-12
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
Abstract: 本发明公开了一种机器人探测器，涉及微电子技术领域，包括：主体；多个支腿，与主体固定连接，支腿包括活动连接的第一支部和第二支部，且第一支部与第二支部之间的夹角不为0，每个支腿为一个独立的弹簧悬挂系统；辅助支腿，与主体固定连接，辅助支腿不受压力作用；辅助支腿包括电阻式压力传感器；光探测器阵列，与主体固定连接，光探测器阵列包括多个光探测器；电阻式压力传感器与光探测器阵列集成于同一电路，通过电阻式压力传感器探测凹陷，通过光探测器阵列识别障碍物。本发明能够降低处理器对数据处理的复杂度，提高了机器人探测器的可靠性。
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