公开(公告)号：CN118748221A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410848779.6

申请日：2024-06-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘阳 ,  王利明 ,  尤杰 ,  苗田 ,  胡进 ,  张宁宁 ,  王夏宇 ,  李栋 ,  马瑞 ,  胡辉勇 ,  朱樟明

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种电荷耦合型单光子雪崩二极管探测阵列结构及其制备方法，阵列结构包括：Si衬底、第一掺杂类型保护环、第一掺杂类型电极低阻接触区、第二掺杂类型阱区、第二掺杂类型电极低阻接触区、光吸收层、金属互联结构和钝化层。该结构在第一掺杂类型保护环的外围围绕第二掺杂类型阱区，并且第二掺杂类型阱区与光吸收层相接触，单像素内四周的第二掺杂类型阱区、光吸收层和第一掺杂类型电极低阻接触区之间形成环形的电场区域，利用空间位置上的电势差将光吸收层中的光生载流子输运至倍增区域，增大了器件有效光敏区域，在保证器件暗计数参数的情况下提高了阵列的填充因子和光探测效率，解决了光检测效率与填充因子的相互制约问题。

公开(公告)号：CN118472095A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410507523.9

申请日：2024-04-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  姚悠远 ,  王博 ,  尤杰 ,  张宁宁 ,  胡辉勇

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明涉及一种基于栅电极控制的红外波导光电探测器及其制备方法，探测器包括：衬底层、氧化层、波导层、吸收层、源电极、漏电极和栅电极，其中，波导层的一端形成有P型区，另一端形成有N型区；栅电极位于氧化层的内部，且位于P型区和N型区之间的波导层的下方，栅电极通过引出结构引出至氧化层的表面。通过对栅电极施加正栅压，能够实现对垂直方向光生载流子的控制，使光生载流子可以更好地以饱和速度运动，减小光生载流子进入沟道区的时间，在不影响器件响应度的同时提高了器件的探测灵敏度和工作速度；通过栅电极施加负栅压，器件在较小的反偏电压下即可实现雪崩，降低了器件的工作功耗。

公开(公告)号：CN117748945A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311785320.8

申请日：2023-12-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡辉勇 ,  付子杰 ,  舒斌 ,  王利明 ,  张宁宁 ,  苗田 ,  林大松 ,  吴颖颖

IPC: H02M3/07 ,  H02M1/32 ,  H03B5/04

Abstract: 本发明提供了一种低成本低温漂高电源抑制比振荡电路，包括：温度补偿电流产生电路、共源共栅镜像电路、充放电控制电路、放电判别电路、以及复位置位RS触发器，第一电流源。其通过温度补偿电流产生电路和共源共栅镜像电路，产生具有与电容充放电电压差具有相同的温度系数的补偿电流，降低温度漂移，其工艺及结构简单，能够在实现较高的温度系数和电源抑制比的同时，降低电路面积和成本，具有更广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN117543965A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311478718.7

申请日：2023-11-07

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡辉勇 ,  吴颖颖 ,  舒斌 ,  王利明 ,  张宁宁 ,  苗田 ,  曾妮 ,  付子杰

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明公开了一种快速响应、低纹波电压的无片外电容电感稳压电路，包括交叉耦合电荷泵、误差放大器模块、数字逻辑控制模块和低压差线性稳压器，其中，交叉耦合电荷泵带有衬底动态偏置电路，用于将原始电源电压进行抬升，并消除了阈值压降效应及体效应的影响；数字逻辑控制模块用于通过电阻反馈环路产生不同的输出电压，实现电路中输出电压的可编程功能；误差放大器模块用于缓冲并调节数字逻辑控制模块中电阻反馈环路中的节点电压；低压差线性稳压器用于对数字逻辑控制模块的输出电压进行稳压处理，提升电路的瞬态响应速度以及稳定性。本发明改善了传统稳压电路瞬态响应时间长、纹波大的问题，以及采用片外大电容而引起的成本问题。

公开(公告)号：CN116901096A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310541708.7

申请日：2023-05-12

Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

Inventor： 王利明 ,  韩钊 ,  胡霁亭 ,  苗田 ,  张宁宁 ,  胡辉勇

IPC: B25J11/00 ,  B25J19/00

Abstract: 本发明公开了一种机器人探测器，涉及微电子技术领域，包括：主体；多个支腿，与主体固定连接，支腿包括活动连接的第一支部和第二支部，且第一支部与第二支部之间的夹角不为0，每个支腿为一个独立的弹簧悬挂系统；辅助支腿，与主体固定连接，辅助支腿不受压力作用；辅助支腿包括电阻式压力传感器；光探测器阵列，与主体固定连接，光探测器阵列包括多个光探测器；电阻式压力传感器与光探测器阵列集成于同一电路，通过电阻式压力传感器探测凹陷，通过光探测器阵列识别障碍物。本发明能够降低处理器对数据处理的复杂度，提高了机器人探测器的可靠性。

公开(公告)号：CN115684087A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211261095.3

申请日：2022-10-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭谦 ,  王石语 ,  蔡德芳 ,  李兵斌 ,  尚佩瑾 ,  李哲远 ,  黄杨金 ,  张宁宁

IPC: G01N21/45

Abstract: 本发明公开了一种基于布里渊散射的材料弹光系数测量装置及方法，该装置包括：入射光产生模块用于产生测量激光并将其转化为圆偏振光；光束变换模块用于将圆偏振光转化为第一预设偏振方向的线偏振光后进行准直和缩束，使得到的入射光从待测样品的第一表面入射；散射光收集模块用于获取在待测样品中发生布里渊效应而产生的散射光，并在散射光由第二表面出射后，将与自身光轴方向平行的散射光聚焦于F‑P干涉仪的孔径处；F‑P干涉仪用于利用散射光形成等倾干涉，并对干涉后的散射光进行成像，通过测量得到的多张布里渊散射谱，确定待测样品的弹光系数。本发明缩小了大立体角带来的弹光系数误差，有利于测量得到精度更高的弹光系数。

公开(公告)号：CN118676245A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410633542.6

申请日：2024-05-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  刘阳 ,  高亮 ,  苗田 ,  胡进 ,  张宁宁 ,  王夏宇 ,  李栋 ,  马瑞 ,  胡辉勇 ,  朱樟明

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明涉及一种Si基Ge SPAD器件及其制备方法，制备方法包括：在SOI衬底的顶层硅离子注入形成n+‑Si电极接触层；在n+‑Si电极接触层上依次层叠制备i‑Si倍增层和绝缘层；刻蚀部分绝缘层露出i‑Si倍增层，形成电荷层窗口区域；利用原位掺杂工艺和原位生长工艺，在电荷层窗口区域的i‑Si倍增层上依次层叠制备p‑Si电荷层、i‑Ge吸收层和p+‑Ge电极接触层；对绝缘层和i‑Si倍增层进行刻蚀，形成n+区接触层通孔，在n+区接触层通孔内以及p+‑Ge电极接触层上，制备金属化工艺定义电极；在p+‑Ge电极接触层上制备抗反射层。本发明通过引入原位生长和原为掺杂工艺，避免引入大量晶格缺陷，从而提高了器件灵敏度和探测效率。

公开(公告)号：CN117369585A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311590543.9

申请日：2023-11-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡辉勇 ,  吴颖颖 ,  舒斌 ,  曾妮 ,  王利明 ,  张宁宁 ,  苗田 ,  付子杰

IPC: G05F1/66

Abstract: 本发明提供了一种具有快速响应且可调节瞬态响应的LDO电路和芯片，包括：误差放大器EA0、功率管MP0、低增益级模块、补偿电容选择器、数字控制电阻分压阵列、瞬态增强电路；补偿电容选择器，用于根据第一外部控制信号为误差放大器EA0的输出端和功率管MP0的漏极提供相应容值的电容；数字控制电阻分压阵列，用于根据第二外部控制信号来控制LDO电路中的反馈电阻的阻值，从而产生相应的输出电压；瞬态增强电路，用于根据误差放大器EA0和数字控制电阻分压阵列之间的反馈电压来调整功率管MP0的栅极电压，该电路结构简单、响应快速、输出电压可编程，且能够灵活的调节瞬态响应。

公开(公告)号：CN113517363B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202110548026.X

申请日：2021-05-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  张蓓 ,  胡辉勇 ,  张一驰 ,  张宁宁 ,  孙浩 ,  韩钊 ,  苑西西 ,  舒斌

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种红外光电探测器，涉及光电技术领域，红外光电探测器包括本征衬底层、以及位于本征衬底层一侧的纳米线、金属线和电极，由于本征衬底层和纳米线均包括锗锡材料，因此不仅增强了半导体材料本征吸收，也能够扩展中红外探测器的光响应截止波长；同时，金属线结构与纳米线结构的引入可有效提高光电探测器在红外通信波段的响应度，拓宽光电探测器的探测范围。此外，纳米线包括多条第一纳米线和多条第二纳米线、且多条第一纳米线与多条第二纳米线垂直，此种设计方式可使红外光电探测器呈对称结构，当入射光在0到360°之间变化时，红外光电探测器的光吸收性能基本上不发生变化，保证了红外光电探测器的可靠性。

公开(公告)号：CN118507577A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410540232.X

申请日：2024-04-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  姚悠远 ,  张磊 ,  米青 ,  张宁宁 ,  胡辉勇

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种双机制等离增强的硅基锗红外雪崩光电探测器及制备方法，光电探测器包括：SOI衬底、Ge外延层、金属光栅、第一电极和第二电极，其中，SOI衬底的顶层硅中设置有P区和N区，P区和N区间隔设置且贯穿顶层硅；Ge外延层位于P区和N区之间的顶层硅表面；金属光栅由若干金属纳米线形成，若干金属纳米线沿Ge外延层的长度方向分布在Ge外延层的表面；第一电极位于P区的表面，第二电极位于N区的表面。该光电探测器通过双机制等离增强提高了吸收效率，提高了光电探测器在红外通信波段的响应度，拓宽了光电探测器的探测范围，进一步提高硅基锗红外光电探测器在红外通信波段的探测能力，现了高性能的硅基锗红外光电探测器。