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公开(公告)号：CN107369879A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710626730.6
申请日：2017-07-26
Applicant: 西安电子科技大学 , 成都飞机工业(集团)有限责任公司
Abstract: 本发明涉及天线技术领域，尤其涉及一种天线。所述天线通过可转动组件设置在天线支架上，所述天线先通过第一级传输线变压器实现宽带阻抗匹配和电路不平衡到平衡的转换，再通过第二级传输线变压器实现宽带阻抗匹配，使所述输入阻抗与平行线辐射器和终端分布式负载阻抗匹配，使所述天线各输入输出端口的阻抗达到匹配。所述平行线辐射器将来自第二级传输线变压器的输出信号转换后发射至自由空间。通过上述技术方案，解决了现有技术中当低频大功率信号输入到天线时，天线各输入输出端的阻抗匹配较差，驻波较大的问题，达到了使天线在低频大功率信号输入时，输入端阻抗匹配较好，驻波比减小技术效果。
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公开(公告)号：CN107369879B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201710626730.6
申请日：2017-07-26
Applicant: 西安电子科技大学 , 成都飞机工业(集团)有限责任公司
Abstract: 本发明涉及天线技术领域，尤其涉及一种天线。所述天线通过可转动组件设置在天线支架上，所述天线先通过第一级传输线变压器实现宽带阻抗匹配和电路不平衡到平衡的转换，再通过第二级传输线变压器实现宽带阻抗匹配，使所述输入阻抗与平行线辐射器和终端分布式负载阻抗匹配，使所述天线各输入输出端口的阻抗达到匹配。所述平行线辐射器将来自第二级传输线变压器的输出信号转换后发射至自由空间。通过上述技术方案，解决了现有技术中当低频大功率信号输入到天线时，天线各输入输出端的阻抗匹配较差，驻波较大的问题，达到了使天线在低频大功率信号输入时，输入端阻抗匹配较好，驻波比减小技术效果。
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公开(公告)号：CN114883384A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210325718.2
申请日：2022-03-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种三维条形元胞结构，包括：第一导电类型外延区，位于第一导电类型外延区内的第二导电类型阱区，位于第二导电类型阱区内的回形第一导电类型源区，以及位于回形第一导电类型源区内的第二导电类型体区；其中，沿水平方向，第一导电类型外延区、第二导电类型阱区、回形第一导电类型源区以及第二导电类型体区上均设有高度和宽度相同的若干凸起或者凹槽，以在条形元胞结构上形成若干一字型台面结构或者若干一字型凹槽结构。该结构使得器件除了拥有平行于元胞表面的平行沟道外，还拥有垂直于元胞表面的垂直沟道，从而提升了沟道密度，降低了沟道的导通电阻，进而提升了器件的通流能力。
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公开(公告)号：CN108963460A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810771683.9
申请日：2018-07-13
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有源频率选择表面单元及阵列、方向图可重构天线，所述单元包括第一PIN二极管、第二PIN二极管以及由下而上依次层叠设置的第一介质层、金属接地层、第二介质层；所述第一介质层的下表面设置有第一形状的第一金属片，所述第一金属片设置有第一通孔，所述第一通孔的水平投影呈凹型；所述第二介质层的上表面设置有第二形状的第二金属片和矩形的第三金属片，所述第二金属片设置有矩形通孔，所述第三金属片位于所述矩形通孔内，所述矩形通孔的中心和所述第三金属片的中心重合。本发明提供的有源频率选择表面单元及阵列、方向图可重构天线，通过控制PIN二极管的通断使得天线的辐射方向图在空间实现可重构。
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公开(公告)号：CN118755671A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410970128.4
申请日：2024-07-19
Abstract: 本发明提供一种超声组装和刺激的无支架肿瘤类器官的培养方法。将肿瘤细胞放置在细胞培养腔室中，然后在超声的作用下被团聚成三维的细胞球；同时，细胞在超声的刺激下离子通道被激活，加速细胞的自组织进程；最后，将超声处理后得到的细胞球连同细胞培养腔室放入细胞培养箱中培养并定时更换细胞培养基，最终形成无支架的肿瘤类器官。该培养方法可以在不引入支架材料的培养腔室中形成肿瘤类器官，从而可以快速、安全地构建肿瘤类器官‑免疫细胞共培养体系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114883387A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210327018.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的SM‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供一N+衬底；在N+衬底的一侧表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、以及在第一N‑外延层远离N+衬底的一侧表面进行离子注入后形成的浮结p区和JTE区；在至少一层外延结构远离N+衬底的一侧表面生长第二N‑外延层，并制作表面终端；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面生长氧化层；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。本发明将JTE区分割为多个SMJTE结构，能够将JTE区的单点的电场峰值分散至这些SMJTE结构，从而在降低电场峰值的同时，使功率器件具有更强的抗剂量偏移特性。
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公开(公告)号：CN114883385A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210325719.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种三维方形元胞结构，包括：第一导电类型外延区，位于第一导电类型外延区内的第二导电类型阱区，位于第二导电类型阱区内的回形第一导电类型源区，以及位于回形第一导电类型源区内的第二导电类型体区；其中，第二导电类型体区为凸起状；沿水平和垂直方向，第一导电类型外延区、第二导电类型阱区和回形第一导电类型源区上均设有宽度和高度相同的若干凸起，以分别在水平和垂直方向形成若干凸起台面，同时在方形元胞结构上形成相交于第二导电类型体区的十字型台面结构。该结构使得器件同时拥有了平行于元胞表面和垂直于元胞表面的两种沟道，从而提升了沟道密度，降低了沟道的导通电阻，提升了器件的通流能力。
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公开(公告)号：CN114883383A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210325695.5
申请日：2022-03-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的SIMS‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供一N+衬底；在N+衬底的一侧表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、浮结p区和JTE；在至少一层外延结构远离N+衬底的一侧表里生长第二N‑外延层，并在第二N‑外延层内制作表面终端；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面生长氧化层；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。由于JTE靠近N+衬底的一侧为阶梯结构，因此JTE电荷量在总体上形成了横向分区梯度递减，能够效地降低JTE的最大峰值电场、并使整体电场分布变得均匀，进而改善功率器件对JTE剂量的敏感性。
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公开(公告)号：CN114883388A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210327031.2
申请日：2022-03-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种三维六角元胞结构，包括：第一导电类型外延区，位于第一导电类型外延区内的第二导电类型阱区，位于第二导电类型阱区内的第一导电类型源区，以及位于第一导电类型源区内的第二导电类型体区；其中，第二导电类型体区为凸起状；且沿六角元胞结构的六个边的垂直方向，第一导电类型外延区、第二导电类型阱区和第一导电类型源区上均设有宽度和高度相同的若干凸起，以分别在每个方向形成若干凸起台面，同时在六角元胞结构上形成相交于第二导电类型体区的六角台面结构。该结构使得器件同时拥有了平行于元胞表面和垂直于元胞表面的两种沟道，从而提升了沟道密度，降低了沟道的导通电阻，提升了器件的通流能力。
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公开(公告)号：CN108963460B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810771683.9
申请日：2018-07-13
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有源频率选择表面单元及阵列、方向图可重构天线，所述单元包括第一PIN二极管、第二PIN二极管以及由下而上依次层叠设置的第一介质层、金属接地层、第二介质层；所述第一介质层的下表面设置有第一形状的第一金属片，所述第一金属片设置有第一通孔，所述第一通孔的水平投影呈凹型；所述第二介质层的上表面设置有第二形状的第二金属片和矩形的第三金属片，所述第二金属片设置有矩形通孔，所述第三金属片位于所述矩形通孔内，所述矩形通孔的中心和所述第三金属片的中心重合。本发明提供的有源频率选择表面单元及阵列、方向图可重构天线，通过控制PIN二极管的通断使得天线的辐射方向图在空间实现可重构。
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