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公开(公告)号：CN116344708A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310576969.2
申请日：2023-05-22
Applicant: 西湖烟山科技(杭州)有限公司
Abstract: 本发明公开一种基于自对准工艺的Micro‑LED器件制作方法，包括：步骤一，基于光滑面板制备行列电极层和绝缘保护层，并在绝缘保护层开设Hole孔层，完成显示背板的制备；步骤二，基于自对准工艺在显示背板上制备Micro‑LED晶粒结构，形成Micro‑LED样片；步骤三，对所述Micro‑LED样片依次进行AL层碱腐蚀、钝化绝缘层蒸镀、帽层酸脱落操作；步骤四，对帽层脱落后的样片进行表面开孔至露出列电极层，后制备电流扩展层于样片表面，最后在Micro‑LED晶粒结构侧壁及结构间溅射金属反光层，完成Micro‑LED器件的制作。本发明有效提高了Micro‑LED器件上表面的发光强度。
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公开(公告)号：CN118983332B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411456629.7
申请日：2024-10-18
Applicant: 西湖烟山科技(杭州)有限公司
IPC: H10H29/14 , H10H20/831 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开一种微显示单元和显示面板，第一外延结构和第二外延结构堆叠设置，使得微显示单元占用的平面面积减小，使得微显示单元的尺寸减小。第一外延结构所形成的发光器件和第二外延结构所形成的发光器件形成串联，使得微显示单元的电流密度增大，进而可以提高微显示单元的发光效率。本发明技术方案中，第一导电接触部在第一外延结构的一侧，在将第一外延结构和第二外延结构进行对位键合时，直接将第一外延结构和第二外延结构通过键合层进行键合，然后在第一导电接触部对应位置形成第一过孔，并在第二外延结构侧形成连接电极对应的第二过孔，可以降低对键合工艺要求。
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公开(公告)号：CN119546027A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202510096665.5
申请日：2025-01-22
Applicant: 西湖烟山科技(杭州)有限公司
IPC: H10H29/30 , H10H29/01 , H10H29/851 , H10H29/85
Abstract: 本发明公开了一种微显示模组及其制备方法，涉及显示技术领域，其中微显示模组包括：驱动基板；至少两层堆叠的像素层，键合在驱动基板的同一侧，在相邻像素层之间具有平坦界面；每一像素层包含微型LED阵列以及位于微型LED之间的钝化层，微型LED与驱动基板电连接；其中，到驱动基板距离最远的像素层背离驱动基板一侧的表面包括多个凹槽，凹槽中设置有用于将部分的微型LED发出的光转换成红光的色转换层。本发明提供的技术方案，提高了微显示模组的生产良率，以及改善了红色微型LED制备难度大且外量子效率低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118983332A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411456629.7
申请日：2024-10-18
Applicant: 西湖烟山科技(杭州)有限公司
Abstract: 本发明公开一种微显示单元和显示面板，第一外延结构和第二外延结构堆叠设置，使得微显示单元占用的平面面积减小，使得微显示单元的尺寸减小。第一外延结构所形成的发光器件和第二外延结构所形成的发光器件形成串联，使得微显示单元的电流密度增大，进而可以提高微显示单元的发光效率。本发明技术方案中，第一导电接触部在第一外延结构的一侧，在将第一外延结构和第二外延结构进行对位键合时，直接将第一外延结构和第二外延结构通过键合层进行键合，然后在第一导电接触部对应位置形成第一过孔，并在第二外延结构侧形成连接电极对应的第二过孔，可以降低对键合工艺要求。
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公开(公告)号：CN116344708B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310576969.2
申请日：2023-05-22
Applicant: 西湖烟山科技(杭州)有限公司
Abstract: 本发明公开一种基于自对准工艺的Micro‑LED器件制作方法，包括：步骤一，基于光滑面板制备行列电极层和绝缘保护层，并在绝缘保护层开设Hole孔层，完成显示背板的制备；步骤二，基于自对准工艺在显示背板上制备Micro‑LED晶粒结构，形成Micro‑LED样片；步骤三，对所述Micro‑LED样片依次进行AL层碱腐蚀、钝化绝缘层蒸镀、帽层酸脱落操作；步骤四，对帽层脱落后的样片进行表面开孔至露出列电极层，后制备电流扩展层于样片表面，最后在Micro‑LED晶粒结构侧壁及结构间溅射金属反光层，完成Micro‑LED器件的制作。本发明有效提高了Micro‑LED器件上表面的发光强度。
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公开(公告)号：CN119767908A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411948685.2
申请日：2024-12-27
Applicant: 西湖烟山科技(杭州)有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种重构晶圆、晶圆重构方法和显示面板的制备方法，通过将较小尺寸的待分割晶圆分割成多个晶片，将多个晶片的外延结构层远离第一衬底的一侧与较大尺寸的载体进行键合以得到重构晶圆，可以实现将小尺寸的待分割晶圆重构成大尺寸的重构晶圆，使得重构晶圆的尺寸可以满足先进工艺制程的要求。另外，本发明技术方案，通过将晶片的外延结构层远离第一衬底的一侧与载体进行键合，由于外延结构层的厚度较薄，相比于将第一衬底与外延结构层进行键合的方式，键合时不容易形成气泡，有利于提升键合良率，进而提升由重构晶圆制备得到的显示面板的良率。
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公开(公告)号：CN116387145A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310349486.9
申请日：2023-04-04
Applicant: 西湖烟山科技(杭州)有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L31/0304 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体材料工艺刻蚀技术领域，尤其涉及一种氮化镓材料侧壁刻蚀角度的方法，分别通过在氮化镓材料上制备光刻胶后进行ICP刻蚀、在氮化镓材料上制备金属硬掩膜后进行ICP刻蚀，以及对氮化镓样品材料使用碱性溶液进行化学刻蚀，来实现氮化镓材料在三个角度区域的侧壁刻蚀；其中，三个角度区域分别为：低角度区域即为低于70°角度区域，高角度区域即为高于70°角度区域，以及垂直角度即90°角度；则所述侧壁刻蚀，具体包括：与水平面呈低角度的侧壁刻蚀，与水平面呈高角度的侧壁刻蚀，以及与水平面呈垂直角度的侧壁刻蚀。本发明可以实现不同氮化镓器件刻蚀侧壁的角度，满足各种氮化镓器件对侧壁倾斜角度的需求。
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公开(公告)号：CN119421580A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411944011.5
申请日：2024-12-27
Applicant: 西湖烟山科技(杭州)有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种重构晶圆、晶圆重构方法和显示面板的制备方法，通过将待分割晶圆的外延结构层一侧的第一衬底去除以得到第一中间结构，将对应于较小尺寸待分割晶圆的第一中间结构分割成多个晶片，将晶片与较大尺寸的载体进行键合以得到重构晶圆，可以实现将小尺寸的待分割晶圆重构成大尺寸的重构晶圆，使得重构晶圆的尺寸可以满足先进工艺制程的要求。另外，首先去除第一衬底，可以减少后续步骤中晶圆分割得到的晶片缺陷，并减少后续重构晶圆过程中以及得到重构晶圆后的显示面板制备过程中的离子污染，有利于提高重构晶圆和显示面板的良率。在切割时包含砷化镓的第一衬底容易有毒性气体产生，提前去除第一衬底，有利于提高生产安全性。
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