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公开(公告)号：CN111620711B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010438326.8
申请日：2020-05-21
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 福建工程学院 , 东北大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/645 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了无机陶瓷材料技术领域的一种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该种仿生氮化硅陶瓷材料的原料包括：β氮化硅晶须晶种；α氮化硅颗粒粉末；分散剂；粘结剂；塑化剂；溶剂，所述β氮化硅晶须直径为10～1000nm，长径比为4：1～100：1，所述α氮化硅颗粒粒径为0.01～10微米，氮化硅原料中β氮化硅晶须晶种占比5～50wt％，该种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该方法以晶须定向增强薄膜为基元，提高基元的强度，薄层层叠形成陶瓷的氮化硅陶瓷材料，通过仿生人骨结构，溅射助剂形成梯度助剂，保证错排层叠结构的形成，形成错排层叠结构后，提高氮化硅陶瓷的强度和韧性。
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公开(公告)号：CN111620711A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010438326.8
申请日：2020-05-21
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 福建工程学院 , 东北大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/645 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了无机陶瓷材料技术领域的一种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该种仿生氮化硅陶瓷材料的原料包括：β氮化硅晶须晶种；α氮化硅颗粒粉末；分散剂；粘结剂；塑化剂；溶剂，所述β氮化硅晶须直径为10～1000nm，长径比为4：1～100：1，所述α氮化硅颗粒粒径为0.01～10微米，氮化硅原料中β氮化硅晶须晶种占比5～50wt％，该种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该方法以晶须定向增强薄膜为基元，提高基元的强度，薄层层叠形成陶瓷的氮化硅陶瓷材料，通过仿生人骨结构，溅射助剂形成梯度助剂，保证层状结构的形成，形成层状结构后，提高氮化硅陶瓷的强度和韧性。
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公开(公告)号：CN117821793A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202310466784.6
申请日：2023-04-27
Applicant: 福建工程学院
Abstract: 本发明公开了一种WC颗粒增强CoCrNi中熵合金材料及其制备方法。该方法首先将气雾化CoCrNi粉末与WC粉末通过卧式球磨机混合，保证粉体均匀分散，而后采用放电等离子烧结，得到(CoCrNi)100‑x(WC)x中熵合金材料。本发明所得中熵合金的晶粒尺寸小，成分均匀，实现了添加微量WC即可有效提升材料的强度和硬度，且其制备方法简单，可经一次烧结制得，能够显著降低能耗和减少设备损耗，具有良好的经济效益和市场前景。
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公开(公告)号：CN113387335A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110843491.6
申请日：2021-07-26
Applicant: 福建工程学院
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明公开了一系列多层高熵结构化合物及其制备方法。所述的多层高熵结构化合物为一系列的过渡金属层状化合物，分子式表达为(HEMB)x(HEMA)X2，HEM为高熵金属元素组合，由四种或四种以上金属元素组成，HEMA、HEMB分别为两组高熵元素，x为HEMB高熵金属元素的插层量，元素总量为x，0＜x≤1，X为S、Se、Te元素中的一种或多种的组合。本发明在本就是在MX2层状结构的M位由高熵金属元素组合HEMA替换的基础上，在层与层之间再引入一层高熵金属原子HEMB，同时可对其插层量进行调控，得到具有多层高熵结构的一系列化合物，该系列材料在能源转换、能源存储等应用领域具有巨大潜力。本发明多层高熵的结构设计理念为人们探索新高熵化合物提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN107760963B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711014188.5
申请日：2017-10-26
Applicant: 福建工程学院
Abstract: 一种含氮FeCoCrNiMn高熵合金，所用成分的原子百分数为：铁：5～35％；钴：5～35％；铬：5～35％；镍：5～35％；锰：5～35％；氮：0.01～0.3％。其制备方法，包括：配料；熔炼：采用感应磁悬浮炉、真空电弧炉或真空感应炉熔炼，在氩气保护下制备CoCrFeMnNiNx高熵合金。将配备好的合金原料放入炉内，关闭炉门，抽真空，然后充入氩气，通电开始熔炼；试样至少重复熔炼5次，以确保合金成分均匀；对熔炼后的铸锭进行锻造，再将锻造后的FeCoCrNiMnNx高熵合金进行在1100℃下保温6h的固溶处理；高熵合金块体的轧制；对轧制后的合金在800℃下保温6h后，取出空冷。本发明在保持高塑性的前提下，明显提高合金的强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113184924B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110678681.7
申请日：2021-06-18
Applicant: 福建工程学院
IPC: C01G53/00
Abstract: 本发明公开了一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法，所述高熵层状化合物的分子式表达为(HEM)xMX2，其中HEM为元素周期表中的任意四种或四种以上金属元素的组合，元素总量为x，，M为过渡族金属元素，X为S、Se、Te元素中的一种。本发明采用固相插层法合成了一系列的过渡族金属层状化合物(HEM)xMX2，即在MX2层与层之间引入一层高熵原子层，可以对其插层量进行调控，从而得到不同的晶体结构，该系列材料在新能源等应用领域具有巨大潜力，本发明的制备方法简易，反应周期短，成本低，可以获得高纯度的产物。
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公开(公告)号：CN112941391B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202011640360.X
申请日：2020-12-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建工程学院 , 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种含NbC的高致密复合金属陶瓷材料及其制备方法，高致密的Ti(C,N)‑WC‑NbC‑HEAs复合金属陶瓷材料是以FeCoCrNiAl高熵合金为粘结剂，WC为陶瓷相，NbC和Ti(C,N)做添加相，采用第三代SPS放电等离子快速烧结炉烧结而成。其主要组分由以下材料组成：FeCoCrNiAl高熵合金粉末：6‑15wt.%(纯度99%，粒度
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公开(公告)号：CN114724957A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210151557.X
申请日：2022-02-18
Applicant: 福建闽航电子有限公司 , 福建工程学院
Abstract: 本发明提供一种用于陶瓷封装体的孤导引镀工艺，包括：配制陶瓷浆料，之后注入流延机进行流延，形成生坯带材，之后将生坯带材切割成板坯；将每个板胚进行冲孔、注浆，并在每个板坯上印刷对应的线路，之后再进行层压，切割；板坯上分别印刷线路，使得一底片上将所需引线金属化引出，冲孔使得该底片上的孤导区与另一底片连通，使得孤导区从另一底片引出导通；进行端头印刷，将所述引线与孤导以及封接区金属化相连；并进行烧结；进行化学镀镍，装配钎焊以及电镀，最后将端头进行打磨，得到陶瓷封装体；使得得键合区，芯片粘结区上不存在凸点。
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公开(公告)号：CN110158008A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910244996.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 福建工程学院
IPC: C23C4/08 , C23C4/134 , C23C14/30 , C23C14/16 , C22C30/00 , C22C19/07 , C22C19/05 , C22C27/06 , C22C38/52 , C22C38/06
Abstract: 本发明公开了一种高熵合金涂层及其制备方法，本发明所述高熵合金涂层采用等离子喷涂-物理气相沉积方法制备，具有良好的宏观形貌且涂层与基体结合强度高，具有较高的硬度、优异的抗高温氧化性能、高耐摩擦磨损性能等特点。喷涂所用材料为真空雾化法制备的高熵合金粉末，其组分及原子百分比为：10%~40%的Fe、10%~50%的Co、10%~40%的Ni、10%~50%的Cr、10%~50%的Al。高熵合金粉末的制备方在氩气保护条件下，通过高压气流将金属液体雾化干燥获得粒度均匀的球形或近似球形颗粒，经筛分后粒径范围为10～100μm。将真空雾化的高熵合金粉末利用PS-PVD工艺在基体表面喷涂沉积即可获得高熵合金涂层。
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公开(公告)号：CN107760963A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711014188.5
申请日：2017-10-26
Applicant: 福建工程学院
Abstract: 一种含氮FeCoCrNiMn高熵合金，所用成分的原子百分数为：铁：5～35％；钴：5～35％；铬：5～35％；镍：5～35％；锰：5～35％；氮：0.01～0.3％。其制备方法，包括：配料；熔炼：采用感应磁悬浮炉、真空电弧炉或真空感应炉熔炼，在氩气保护下制备CoCrFeMnNiNx高熵合金。将配备好的合金原料放入炉内，关闭炉门，抽真空，然后充入氩气，通电开始熔炼；试样至少重复熔炼5次，以确保合金成分均匀；对熔炼后的铸锭进行锻造，再将锻造后的FeCoCrNiMnNx高熵合金进行在1100℃下保温6h的固溶处理；高熵合金块体的轧制；对轧制后的合金在800℃下保温6h后，取出空冷。本发明在保持高塑性的前提下，明显提高合金的强度。
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