公开(公告)号：CN106030757A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009268.4

申请日：2015-01-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.J.麦克马洪 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  S.D.阿瑟 ,  T.B.戈尔奇卡 ,  R.A.博普雷 ,  Z.M.斯坦 ,  A.V.波罗特尼科夫

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068

Abstract: 提出了半导体装置。该装置包括半导体层，该半导体层包括碳化硅，并且具有第一表面和第二表面。栅极绝缘层设置于半导体层的第一表面的一部分上，并且栅极电极设置于栅极绝缘层上。该装置进一步包括氧化物，该氧化物设置于栅极绝缘层与栅极电极之间在与栅极电极的边缘相邻的拐角处，以便栅极绝缘层具有在拐角处比在层的中心处的厚度大的厚度。还提供用于制作装置的方法。