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公开(公告)号：CN101405244B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200780010041.7
申请日：2007-03-16
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 光电子器件包括由氢硅氧烷和包含式(I)的结构单元的聚芴之间的反应生成的聚合物组合物，其中R1和R2独立地为烷基、取代烷基、链烯基、炔基、取代链烯基、取代炔基、烷氧基、取代烷氧基、烯氧基、炔氧基、取代烯氧基、取代炔氧基、或其组合；Ar1和Ar2独立地为芳基或取代芳基；m和n独立地为0或1；且R1和R2的至少一个是链烯基、炔基、取代链烯基或取代炔基。
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公开(公告)号：CN1890287B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200480036218.7
申请日：2004-10-06
Applicant: 通用电气公司
Inventor： J·A·塞拉
IPC: C08G61/12
CPC classification number: H01L51/0039 , C07C29/40 , C07C29/44 , C07C39/17 , C07C2603/18 , C08G61/02 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1416 , H01L51/0058 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , C07C35/52
Abstract: 本发明涉及一种遥爪发射、半导电端基官能化低聚物，可用多种常规技术将其聚合得到发射聚合物。所述聚合物适于用作发光以及光电器件中的活性层。
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公开(公告)号：CN1796391A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510113489.4
申请日：2005-10-17
Applicant: 通用电气公司
IPC: C07F7/08 , C09J125/08 , H05B33/22 , G02F1/13 , B32B7/12
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L51/0039 , H01L51/5012 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S428/917
Abstract: 在本发明的一个实施方式中公开了一种制备电活化装置第一层的方法，包括步骤(i)通过混合至少一种助粘剂材料和至少一种电活化材料制备第一层组合物；和(ii)将该组合物沉积在所述电活化装置的第二电活化层上形成所述第一层；和(iii)任选进一步在所述第一层的与第二层相反的表面上沉积第三层的电活化材料，其中该第一层组合物确保了所述第一层与所述第二层之间或所述第一层与所述第三层之间的粘合，或者所述第一层与所述第二层和所述第三层之间的粘合。
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公开(公告)号：CN102186800B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN200980141362.X
申请日：2009-07-23
Applicant: 通用电气公司
Inventor： J·A·塞拉 , J·J·香 , E·W·尚克林 , P·M·小斯米格尔斯基
IPC: C07C39/42 , C07C43/225 , C07F5/02 , C07D295/088 , C09K11/00
CPC classification number: C07F5/025 , C07C39/42 , C07C43/225 , C07C2603/18 , C07D295/088 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , H05B33/14
Abstract: 具有相当量(10-100％)的芴的聚芴聚合物和共聚物在其中需要三线态能量＞2.10eV的OLED器件中可用作活性层，所述相当量(10-100％)的芴连接在芴的2位和5位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101405244A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780010041.7
申请日：2007-03-16
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 光电子器件包括由氢硅氧烷和包含式(I)的结构单元的聚芴之间的反应生成的聚合物组合物，见右化学式其中R1和R2独立地为烷基、取代烷基、链烯基、炔基、取代链烯基、取代炔基、烷氧基、取代烷氧基、烯氧基、炔氧基、取代烯氧基、取代炔氧基、或其组合；Ar1和Ar2独立地为芳基或取代芳基；m和n独立地为0或1；且R1和R2的至少一个是链烯基、炔基、取代链烯基或取代炔基。
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公开(公告)号：CN1566123A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN200410063614.0
申请日：2000-07-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： J·R·坎贝尔 , J·A·塞拉 , G·R·吉莱特 , J·E·科钱诺夫斯基 , M·L·雷茨
IPC: C07F9/645
CPC classification number: C07F9/2458 , C07F9/650952 , C07F9/6521
Abstract: 本发明涉及通过位阻氯代磷酸二芳酯如氯代磷酸二(2，6－二甲苯基)酯与含至少两个碱性N－H基团的碱性含氮化合物(优选杂环化合物如哌嗪)在基本为液态的无溶剂反应混合物中反应来制备位阻氨基磷酸酯，如N，N’－双[二－(2，6－二甲苯氧)氧膦基]哌嗪。所述反应可在熔融态下进行或在非溶剂载体(通常为脂族烃)的存在下进行。使用过量的碱性含氮化合物作为酸受体。
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公开(公告)号：CN1503720A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN02808474.8
申请日：2002-04-19
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C08G73/1042 , B29C59/005 , C08G73/10 , C08G73/1039 , C08G73/106 , C08G73/1064 , C08G73/1067 , C08G73/1071 , G11B5/74 , G11B5/8404 , G11B7/241 , G11B7/263 , G11B11/10582 , H01B3/306
Abstract: 一种含有具有第一玻璃化转变温度Tg1的聚合物的压花表面的制备方法，包括在温度T压花下对该表面进行压花和使压花聚合物表面的第一玻璃化转变温度Tg1升高到第二玻璃化转变温度Tg2，使得Tg2＞T压花。在另一个实施方案中，一种用于聚合物表面从压花工具脱模的改进方法，包括将氟原子、硅原子或硅氧烷链段的一种或多种引入到聚合物的骨架上。该方法尤其适合于光刻胶的直接图案形成，交叉电极的制造，和数据存储介质的制造。
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公开(公告)号：CN100539201C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510087971.5
申请日：2005-07-28
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L51/4253 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0034 , H01L51/0045 , H01L51/005 , H01L51/0072 , H01L51/0077 , H01L51/0595 , H01L51/4206 , H01L51/426 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 公开了光电池，所述光电池包括：能够吸收电磁辐射的吸收剂；包括第一导电表面的第一基底；包括第二导电表面的第二基底，第二导电表面和第一导电表面相对，并且面对着第一基底的第一导电表面；电子传送剂，它和第二基底的第二导电表面进行电传递，但是和第一基底是电绝缘的；空穴传送剂，它和第一基底的第一导电表面进行电传递，但是和第二基底是电绝缘的；其中空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到电绝缘壳层上，并且空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到吸收剂上。
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公开(公告)号：CN1734792A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510087971.5
申请日：2005-07-28
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L51/4253 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0034 , H01L51/0045 , H01L51/005 , H01L51/0072 , H01L51/0077 , H01L51/0595 , H01L51/4206 , H01L51/426 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 公开了光电池，所述光电池包括：能够吸收电磁辐射的吸收剂；包括第一导电表面的第一基底；包括第二导电表面的第二基底，第二导电表面和第一导电表面相对，并且面对着第一基底的第一导电表面；电子传送剂，它和第二基底的第二导电表面进行电传递，但是和第一基底是电绝缘的；空穴传送剂，它和第一基底的第一导电表面进行电传递，但是和第二基底是电绝缘的；其中空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到电绝缘壳层上，并且空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到吸收剂上。
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