公开(公告)号：CN105051900A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480019621.2

申请日：2014-04-04

Applicant: 通用电气公司

Inventor： N.K.劳 ,  J.W.罗斯 ,  C.D.昂格尔 ,  A.伊赫列夫 ,  J.D.肖尔特

IPC: H01L27/146 ,  H01T1/20

CPC classification number: G01T1/247 ,  A61B6/42 ,  A61B6/4233 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/14663

Abstract: 改进的成像系统被公开。更确切地，本公开提供了用于成像系统的改进的图像传感器组装件，所述图像传感器组装件具有集成光电探测器阵列，及在相同衬底上制作的它的关联的数据采集电子器件。通过与光电探测器阵列在相同衬底上集成电子器件，这从而减少了制作成本，和减少了互连复杂度。因为光电二极管触点和关联的电子器件在相同衬底/平面上，这从而大体上除去了某些昂贵的/耗时的处理技术。此外，邻近或接近于光电探测器阵列的电子器件的共处提供精细得多的分辨率的探测器组装件，因为电子器件和光电探测阵列间的互连瓶颈被大体上除去/减少。邻近或接近于光电探测器阵列的电子器件的共处还能够实现/帮助可编程像素配置，以用于最佳的图像质量。

公开(公告)号：CN105051900B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201480019621.2

申请日：2014-04-04

Applicant: 通用电气公司

Inventor： N.K.劳 ,  J.W.罗斯 ,  C.D.昂格尔 ,  A.伊赫列夫 ,  J.D.肖尔特

IPC: H01L27/146 ,  H01T1/20

CPC classification number: G01T1/247 ,  A61B6/42 ,  A61B6/4233 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/14663

Abstract: 改进的成像系统被公开。更确切地，本公开提供了用于成像系统的改进的图像传感器组装件，所述图像传感器组装件具有集成光电探测器阵列，及在相同衬底上制作的它的关联的数据采集电子器件。通过与光电探测器阵列在相同衬底上集成电子器件，这从而减少了制作成本，和减少了互连复杂度。因为光电二极管触点和关联的电子器件在相同衬底/平面上，这从而大体上除去了某些昂贵的/耗时的处理技术。此外，邻近或接近于光电探测器阵列的电子器件的共处提供精细得多的分辨率的探测器组装件，因为电子器件和光电探测阵列间的互连瓶颈被大体上除去/减少。邻近或接近于光电探测器阵列的电子器件的共处还能够实现/帮助可编程像素配置，以用于最佳的图像质量。

公开(公告)号：CN107393897A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710345864.0

申请日：2017-05-16

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.W.罗斯 ,  D.L.麦克丹尼尔 ,  S.I.多林斯基 ,  S.帕利特

IPC: H01L23/498 ,  H01L31/02 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144 ,  H01L31/18 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L31/02005 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/028 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1804 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L27/1446

Abstract: 本发明公开一种硅光电倍增器阵列，所述硅光电倍增器阵列包括在所述光电倍增管阵列内且位于硅晶片上的多个微单元，所述多个微单元以行和列布置，所述多个微单元中的每一个包括输出端口，并且配置成提供：具有脉冲特征的脉冲波形；与硅晶片层背表面接触的至少一个重新图案化介电层，所述硅晶片具有与所述背表面相对的有源表面；以及多个相应的硅通孔，所述硅通孔将所述硅晶片的所述有源表面上的所述多个微单元中的相应微单元的输出端口连接到设置在所述硅晶片的所述背表面的所述至少一个重新图案化介电层上的多个相应电路线路。本发明还公开了一种用于制造硅光电倍增器阵列的方法。