公开(公告)号：CN106461799A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580029613.0

申请日：2015-04-01

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.I.索罗维夫 ,  P.M.桑维克 ,  S.I.多林斯基 ,  C-P.陈 ,  H.C.克莱门 ,  S.帕利特

IPC: G01T1/208

CPC classification number: G01V5/08 ,  E21B47/00 ,  G01T1/2006 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/24 ,  G01T1/248 ,  G01V5/04 ,  G01T1/208

Abstract: 公开了用于检测光子的方法以及设备。所述设备包含固态光电倍增器装置，其中所述固态光电倍增器装置具有多个微单元，所述微单元具有在25℃大于大约1.7 eV的带隙。所述固态光电倍增器装置进一步包含与微单元的每一个相关联的集成抑制装置以及薄膜涂层。本文中公开的所述固态光电倍增器装置在大约-40℃到大约275℃的温度范围中操作。

公开(公告)号：CN106461799B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201580029613.0

申请日：2015-04-01

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.I.索罗维夫 ,  P.M.桑维克 ,  S.I.多林斯基 ,  C-P.陈 ,  H.C.克莱门 ,  S.帕利特

IPC: G01T1/208

Abstract: 公开了用于检测光子的方法以及设备。所述设备包含固态光电倍增器装置，其中所述固态光电倍增器装置具有多个微单元，所述微单元具有在25℃大于大约1.7 eV的带隙。所述固态光电倍增器装置进一步包含与微单元的每一个相关联的集成抑制装置以及薄膜涂层。本文中公开的所述固态光电倍增器装置在大约‑40℃到大约275℃的温度范围中操作。

公开(公告)号：CN107393897A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710345864.0

申请日：2017-05-16

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.W.罗斯 ,  D.L.麦克丹尼尔 ,  S.I.多林斯基 ,  S.帕利特

IPC: H01L23/498 ,  H01L31/02 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144 ,  H01L31/18 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L31/02005 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/028 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1804 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L27/1446

Abstract: 本发明公开一种硅光电倍增器阵列，所述硅光电倍增器阵列包括在所述光电倍增管阵列内且位于硅晶片上的多个微单元，所述多个微单元以行和列布置，所述多个微单元中的每一个包括输出端口，并且配置成提供：具有脉冲特征的脉冲波形；与硅晶片层背表面接触的至少一个重新图案化介电层，所述硅晶片具有与所述背表面相对的有源表面；以及多个相应的硅通孔，所述硅通孔将所述硅晶片的所述有源表面上的所述多个微单元中的相应微单元的输出端口连接到设置在所述硅晶片的所述背表面的所述至少一个重新图案化介电层上的多个相应电路线路。本发明还公开了一种用于制造硅光电倍增器阵列的方法。