一种添加磁性颗粒来增强微量磁矩量测信号的方法

    公开(公告)号:CN112083361A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN202010956471.5

    申请日:2020-09-11

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本发明公开了一种添加磁性颗粒来增强微量磁矩量测信号的方法,包括以下步骤:S1:制作没有磁矩各向异性的磁性颗粒;S2:将S1所制作的磁性颗粒均匀混合于非磁性的定型材料,用来制成一任意形状的固体;S3:将S2所制成的固体置于每一感测线圈或磁场传感器或超导量子干涉组件的中心位置;S4:将待测样品放置于感测线圈或磁场传感器或超导量子干涉组件可侦测讯号的范围内进行量测;S5:量测时,可施加不同的外部磁场于待测样品上,并持续对待测样品以一定方式施加一固定量测频率的震动或来回移动,并利用讯号撷取设备将感测线圈内固定量测频率的讯号撷取出来,经扣除S2所贡献的量测讯号即可得到对应待测样品的磁矩大小。

    一种结构弯曲变形的无损检测方法

    公开(公告)号:CN112082469A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN202010933451.6

    申请日:2020-09-08

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本发明公开了一种结构弯曲变形的无损检测方法,包括:在原待测结构表面嵌入或贴附或激光打入由均匀且连续的网格或图案单元所构成的表面检测结构;通过无损检测方法进行表面检测结构的图案化扫描;处理分析表面检测结构的图案化扫描结果,由网格或图案单元的弯曲变形程度可得到原待测结构的弯曲变形程度。本发明利用电磁感应原理可无损检测出待测结构内部或外部的弯曲变形,可以进行全域性测量,不局限于某一方向;适用范围广泛,可用于任何可能发生弯曲变形的结构,也可用于房屋建筑或桥梁建筑结构的前预防性的无损安全性检测。

    一种基于磁性颗粒清洁毛孔内油脂和粉刺的方法

    公开(公告)号:CN112137892A

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN202010955619.3

    申请日:2020-09-11

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本发明公布了一种基于磁性颗粒清洁毛孔内油脂和粉刺的方法,包括以下步骤:制备磁性颗粒,在磁性颗粒表面固载表面活性剂或者氧化石墨烯,将固载表面活性剂或者氧化石墨烯的磁性颗粒加入清洁泥膜、清洁剂、清洁贴纸、卸妆棉、面膜、洁面乳等清洁物品中,在欲清洁的皮肤表面部位涂抹或贴附上述清洁物品,使固载有表面活性剂或氧化石墨烯的磁性颗粒与皮肤上的油脂和粉刺相结合,使用磁性物质将已结合油脂和粉刺的磁性颗粒吸出,达到清洁皮肤油脂和粉刺的效果。本方法可以轻松高效清洁皮肤油脂和粉刺,又不刺激皮肤损伤毛孔,使肌肤恢复清洁通透。

    一种用于磁流体纯化的装置设计

    公开(公告)号:CN112117115A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202010956397.7

    申请日:2020-09-11

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本发明涉及一种用于磁流体纯化的装置设计,属于磁流体的制备领域。本发明包括内层容器、中层容器和外层收集容器且内、中、外三层容器可分离。内层容器内底部设计有多个可嵌入磁铁且互相分离的内层凹槽,此内层凹槽从外底部看为各自凸出的构型,并于装入磁铁后盖上密封盖。中层容器则设计为与内层容器外部形状相同但尺寸略大于内层容器外部尺寸的大小,使两容器可以完全吻合的套在一起。外层收集容器的尺寸设计需满足能够使内层容器与中层容器装入到外层收集容器中,此容器用于装入待纯化的磁流体溶液。本发明能够实现对磁流体的纯化。

    一种将曝光平面对准成像平面的方法

    公开(公告)号:CN112485983A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011442267.8

    申请日:2020-12-08

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 在微纳加工的光刻成型技术领域,本发明公开了一种将曝光平面对准成像平面的方法,可应用于微纳加工领域中的精密步进紫外光光刻机与微纳3D打印机上。包括:利用曝光基板最大边缘处的基板与光源距离误差,作为细部估算每一步进曝光点精微对准距离误差的方法,进而作为成像平面对准的补偿。由于微纳加工的基板中每一步进曝光点的距离都是以极微小距离等级的平移,进行每一步进的曝光,在此极微小距离间的曝光对准距离误差是很难估算的,因此本发明利用基板的最大边缘作为误差的量测,再用此量测结果去运算每一步进曝光位置的曝光对准距离误差。

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