公开(公告)号：CN101416282B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200780011855.2

申请日：2007-04-02

Applicant: 郡是株式会社

Inventor： 船崎浩司 ,  儿岛久富 ,  林直哉 ,  横井正之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/304 ,  B32B27/32 ,  C09J7/243 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/114 ,  C09J2423/046 ,  C09J2431/006 ,  C09J2433/006 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片背磨工艺过程中所用的表面保护带，以及一种用于所述表面保护带的基材膜，所述表面保护带具有均一的厚度精度，优异的表面平整性，优异的表面滑动(surface sliding)性而没有粘连等。特别地，提供一种用于半导体晶片表面保护带的基材膜，所述基材膜的特征在于具有至少一个含基于聚乙烯的树脂的层，并且满足下述条件：(1)所述基材膜的两个表面根据JIS B0601测得的表面粗糙度Ra都不大于0.8μm，并且至少一个表面的表面粗糙度Ra不小于0.05μm；以及(2)所述基材膜的最大厚度与最小厚度之差不大于4μm。特别地，本发明还提供了一种包含所述基材膜和粘合剂层的半导体晶片表面保护带。

公开(公告)号：CN101416282A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780011855.2

申请日：2007-04-02

Applicant: 郡是株式会社

Inventor： 船崎浩司 ,  儿岛久富 ,  林直哉 ,  横井正之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/304 ,  B32B27/32 ,  C09J7/243 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/114 ,  C09J2423/046 ,  C09J2431/006 ,  C09J2433/006 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片背磨工艺过程中所用的表面保护带，以及一种用于所述表面保护带的基材膜，所述表面保护带具有均一的厚度精度，优异的表面平整性，优异的表面滑动(surface sliding)性而没有粘连等。特别地，提供一种用于半导体晶片表面保护带的基材膜，所述基材膜的特征在于具有至少一个含基于聚乙烯的树脂的层，并且满足下述条件：(1)所述基材膜的两个表面根据JIS B0601测得的表面粗糙度Ra都不大于0.8μm，并且至少一个表面的表面粗糙度Ra不小于0.05μm；以及(2)所述基材膜的最大厚度与最小厚度之差不大于4μm。特别地，本发明还提供了一种包含所述基材膜和粘合剂层的半导体晶片表面保护带。