一种TZM和WRe异种合金的低温连接方法

    公开(公告)号:CN107081517B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201710505127.2

    申请日:2017-06-28

    Abstract: 本发明提供了一种TZM和WRe异种合金的低温连接方法,是以Ti粉作为活性中间层,通过放电等离子烧结技术对TZM合金与WRe合金在低于母材的再结晶温度下进行扩散焊接,获得TZM合金与WRe合金的连接件。通过本发明的焊接方法可保证母材不发生再结晶的同时,得到强度高、成型好的TZM/WRe异种合金连接件,接头室温剪切强度可达263MPa。

    一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的低温沉积工艺

    公开(公告)号:CN105244416B

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201510707635.X

    申请日:2015-10-27

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的低温沉积工艺,其中光吸收层铜锑硒采用多源共蒸发沉积工艺制备,用束源炉蒸发各组成元素,能精确控制各源的蒸发速率至“埃每秒”量级,尤其能降低沉积速率、微调铜和锑的比例,由于铜锑硒熔点较低,且降低沉积速率可促进薄膜有序外延生长、提高结晶性,经优化薄膜沉积工艺。本发明在衬底温度低于300度即可制备出结晶性良好、符合化学计量比的铜锑硒薄膜。本发明制备方法相对于传统的热蒸发法降低了沉积温度,节约了生产成本,并为制备柔性衬底太阳能电池打下基础。

    一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的低温沉积工艺

    公开(公告)号:CN105244416A

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201510707635.X

    申请日:2015-10-27

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/18 H01L31/032

    Abstract: 本发明公开了一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的低温沉积工艺,其中光吸收层铜锑硒采用多源共蒸发沉积工艺制备,用束源炉蒸发各组成元素,能精确控制各源的蒸发速率至“埃每秒”量级,尤其能降低沉积速率、微调铜和锑的比例,由于铜锑硒熔点较低,且降低沉积速率可促进薄膜有序外延生长、提高结晶性,经优化薄膜沉积工艺。本发明在衬底温度低于300度即可制备出结晶性良好、符合化学计量比的铜锑硒薄膜。本发明制备方法相对于传统的热蒸发法降低了沉积温度,节约了生产成本,并为制备柔性衬底太阳能电池打下基础。

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