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公开(公告)号：CN102804422A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080030361.0
申请日：2010-05-03
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L31/055 , H01L33/0079 , H01L33/502 , H01L2224/48463 , H01L2933/0041 , H05B33/10 , Y02E10/52
Abstract: 本发明公开了与LED结合使用的重发射半导体构造(RSC)以及有关器件、系统和方法。制造方法包括提供半导体基底、在所述基底的第一侧面上形成半导体层叠件、将载体窗口附接到所述层叠件、以及在所述附接步骤之后移除所述基底。层叠件包括有源区，所述有源区适于将第一波长λ1的光转换成第二波长λ2的可见光，所述有源区包括至少第一势阱。实施所述附接步骤，使得所述层叠件设置在所述基底和所述载体窗口之间，所述载体窗口透射所述第二波长λ2。所述载体窗口也可具有大于所述层叠件的横向尺寸。实施所述移除步骤，以便得到RSC载体器件，所述RSC载体器件包括所述载体窗口和所述层叠件。
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公开(公告)号：CN100557830C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200580042503.4
申请日：2005-08-22
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/28 , B82Y20/00 , H01L33/0008 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供一种包括位于pn结内部的第一势阱和不位于pn结内部的第二势阱的半导体器件。该势阱可以是量子阱。该半导体器件典型地为LED，可以是白光或接近白光的LED。该半导体器件可能另外包含一个不位于pn结内部的第三势阱。该半导体器件可能另外包含围绕或靠近或直接相邻第二势阱或第三量子阱的吸收层。此外，提供包括根据本发明的半导体器件的图形显示设备和照明设备。
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公开(公告)号：CN100479279C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200580018674.3
申请日：2005-04-29
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: H01S5/183 , H01L31/0248 , H01L33/00
CPC classification number: H01S5/183
Abstract: 提供一种包括InP基板和II-VI及III-V材料交替层的多层结构。一般地，II-VI及III-V材料交替层与InP基板晶格匹配或者假同晶。一般地，II-VI材料选自ZnSe、CdSe、BeSe、MgSe、ZnTe、CdTe、BeTe、MgTe、ZnS、CdS、BeS、MgS和它们的合金，更一般地，选自CdZnSe、CdMgZnSe、BeZnTe和BeMgZnTe合金，最一般选自CdxZn1-xSe，其中x在0.44和0.54之间。一般地，III-V族材料选自InAs、AlAs、GaAs、InP、AlP、GaP、InSb、AlSb、GaSb和它们的合金，更一般地选自InP、InAlAs、GaInAs、AlInGaAs和GaInAsP合金，最一般地选自InP或InyAl1-yAs，其中y在0.44和0.52之间。在一个实施方案中，该多层结构形成一个或多个分布布喇格反射镜(DBR)。另一方面，本发明提供一种含有InP基板和分布布喇格反射镜(DBR)的多层结构，该分布布喇格反射镜具有95%或更高的反射率并至多包括15对外延半导体材料涂层。另一方面，本发明提供一种含有本发明所述多层结构的激光器。另一方面，本发明提供一种含有本发明所述多层结构的光电探测器。
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公开(公告)号：CN101467279B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780022256.0
申请日：2007-06-06
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 迈克尔·A·哈斯 , 托马斯·J·米勒 , 安德鲁·J·乌德科克 , 凯瑟琳·A·莱瑟达勒
IPC: H01L51/50 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L33/08 , G02F1/133603 , H01L33/502
Abstract: 本发明公开了一种制品，该制品包括具有再发光表面的LED。再发光半导体结构具有发射表面并将有所述LED发射的光转化为不同波长的光。所述发射表面的至少一个阻止全内反射。
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公开(公告)号：CN101341022B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200680048486.X
申请日：2006-10-31
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: B32B9/04
CPC classification number: H01L31/1032 , H01L31/0296 , H01L31/03046 , H01L31/1035 , H01L33/10 , H01S5/183 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供一种层状构造，所述层状构造包括InP基板以及II-VI和III-V材料的交替层。II-VI和III-V材料的所述交替层典型地与所述InP基板晶格匹配或假晶。典型地，所述II-VI材料选自CdZnSe、CdMgZnSe、BeZnTe、或BeMgZnTe合金，并且最典型地为CdxZn1-xSe，其中x介于0.55和0.57之间。典型地，所述III-V材料选自InAlAs或AlInGaAs合金，并且最典型地为InP或InyAl1-yAs，其中y介于0.53和0.57之间。所述层状构造可形成一个或多个分布的布拉格反射器(DBR)。在另一方面，本发明提供一种层状构造，所述层状构造包括InP基板以及具有95％或更大的反射率的分布的布拉格反射器(DBR)，所述反射器包括不超过15层的外延半导体材料对。在另一方面，本发明提供包括层状构造的激光器或光电探测器。
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公开(公告)号：CN102124582A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980132156.2
申请日：2009-06-01
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L25/0756 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L31/1013 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L51/5036 , H01L51/5262 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了半导体光转换构造。所述半导体光转换构造包括：第一半导体层，用于吸收第一波长的光的至少一部分；半导体势阱，用于将所吸收的第一波长的光的至少一部分转换成更长的第二波长的光；以及第二半导体层，能够吸收所述第一波长的光的至少一部分。第一半导体层在第二波长下具有最大第一折射率。第二半导体层在第二波长下具有大于最大第一折射率的第二折射率。
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公开(公告)号：CN101939855A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200880126542.6
申请日：2008-11-07
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/34
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。所述发光装置包括发光二极管(LED)，所述LED发射蓝光或紫外光并且附接到半导体构造。所述半导体构造包括再发光半导体构造，所述再发光半导体构造包含至少一层II-VI化合物，并且把发射的蓝光或紫外光的至少一部分转换成更长波长的光。所述半导体构造还包括腐蚀停止构造，所述腐蚀停止构造包含AlInAs或GaInAs化合物。所述腐蚀停止构造能够抵抗可以腐蚀InP的腐蚀剂。
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公开(公告)号：CN101076898A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200580042503.4
申请日：2005-08-22
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/28 , B82Y20/00 , H01L33/0008 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供一种包括位于pn结内部的第一势阱和不位于pn结内部的第二势阱的半导体器件。该势阱可以是量子阱。该半导体器件典型地为LED，可以是白光或接近白光的LED。该半导体器件可能另外包含一个不位于pn结内部的第三势阱。该半导体器件可能另外包含围绕或靠近或直接相邻第二势阱或第三量子阱的吸收层。此外，提供包括根据本发明的半导体器件的图形显示设备和照明设备。
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公开(公告)号：CN114450759A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080068332.7
申请日：2020-09-28
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 托马斯·J·米勒 , 谢尔盖·A·马努伊洛夫
Abstract: 一种制品包括一个或多个磁性隔离器。每个磁性隔离器包括粘附到基底的碎片化磁性金属材料层。该磁性金属材料的这些碎片由空间隔开并以非随机图案布置。该碎片化磁性金属材料层具有大于1μm的厚度t，并且这些空间具有小于0.5t的平均宽度。
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公开(公告)号：CN102124582B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980132156.2
申请日：2009-06-01
Applicant: 3M创新有限公司
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L25/0756 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L31/1013 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L51/5036 , H01L51/5262 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了半导体光转换构造。所述半导体光转换构造包括：第一半导体层，用于吸收第一波长的光的至少一部分；半导体势阱，用于将所吸收的第一波长的光的至少一部分转换成更长的第二波长的光；以及第二半导体层，能够吸收所述第一波长的光的至少一部分。第一半导体层在第二波长下具有最大第一折射率。第二半导体层在第二波长下具有大于最大第一折射率的第二折射率。
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