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公开(公告)号：CN111936447A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980024382.2
申请日：2019-04-01
Applicant: AGC株式会社
IPC: C04B35/577 , B28B1/30 , C04B35/626 , C04B41/88
Abstract: 本制造方法具有如下工序：工序(I)，利用3D打印法制备包含SiC粒子的第1成型体的工序，上述第1成型体具有第1平均细孔直径M1，工序(II)，通过使上述第1成型体与含有碳粒子的分散液接触，形成在微孔浸渗有上述碳粒子的第2成型体，将上述碳粒子的二次粒子的平均粒径设为M2，满足M2≤M1/10，工序(III)，通过使金属Si浸渗于上述第2成型体，使上述第2成型体反应烧结，从而得到SiC－Si复合部件；上述工序(III)后得到的SiC－Si复合部件含有5质量％～40质量％的范围的Si。
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