公开(公告)号：CN112470295A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980048617.1

申请日：2019-07-22

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 泷川淳平 ,  菊川信也 ,  平本诚 ,  榎本康太郎

IPC: H01L33/48 ,  H01L23/02

Abstract: 一种光学封装体，具备：电路基板，在上表面具有凹部，并且在凹部具备光学元件；无机材料的基体，以覆盖凹部的开口部的方式配置在电路基板上；及金属层，将无机材料的基体与电路基板接合，在与电路基板和无机材料的基体的层叠方向平行且通过凹部的截面中，L1、L2、L3、L4满足L1

公开(公告)号：CN111936447A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201980024382.2

申请日：2019-04-01

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 山田兼士 ,  寺田研一郎 ,  篠原伸广 ,  菊川信也 ,  篠崎泰夫 ,  须佐俊介

IPC: C04B35/577 ,  B28B1/30 ,  C04B35/626 ,  C04B41/88

Abstract: 本制造方法具有如下工序：工序(I)，利用3D打印法制备包含SiC粒子的第1成型体的工序，上述第1成型体具有第1平均细孔直径M1，工序(II)，通过使上述第1成型体与含有碳粒子的分散液接触，形成在微孔浸渗有上述碳粒子的第2成型体，将上述碳粒子的二次粒子的平均粒径设为M2，满足M2≤M1/10，工序(III)，通过使金属Si浸渗于上述第2成型体，使上述第2成型体反应烧结，从而得到SiC－Si复合部件；上述工序(III)后得到的SiC－Si复合部件含有5质量％～40质量％的范围的Si。

公开(公告)号：CN112753100A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201980062389.3

申请日：2019-10-02

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 泷川淳平 ,  菊川信也 ,  平本诚 ,  榎本康太郎

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明提供一种窗材料，其为具有光学元件的光学封装体用窗材料，其中，所述窗材料具有无机材料的基体和在所述无机材料的基体的一个面上沿着所述无机材料的基体的外周配置的接合层，并且所述接合层的宽度为0.2mm以上且2mm以下，且所述接合层的厚度大于15μm且小于等于100μm。

公开(公告)号：CN108349047B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201680060307.8

申请日：2016-09-23

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 山田实 ,  山田笃 ,  渋谷幸一 ,  菊川信也 ,  花岛圭辅

IPC: B23K35/26 ,  C22C13/00

Abstract: 提供一种接合用组合物，其含有锡、锗、及镍，前述锗的含量为10质量％以下，前述锗的含量与前述镍的含量满足以下的式(1)。(其中，[Ni]表示以质量％换算的镍的含量，[Ge]表示以质量％换算的锗的含量。)[Ni]≤2.8×[Ge]0.3···(1)。