公开(公告)号：CN110418773B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201880017832.0

申请日：2018-03-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小川修平 ,  宫川直通 ,  篠崎泰夫 ,  吉野晴彦 ,  远山一成 ,  大越雄斗

IPC: C04B35/00

Abstract: 本发明涉及一种透光性陶瓷烧结体，其以10个/mm3以上且4000个/mm3以下的范围包含孔径为1μm以上且不足5μm的气泡，并且闭孔率为0.01体积％以上且1.05体积％以下。这种透光性陶瓷烧结体中，厚度为1.90mm的试验片在波长500～900nm的可见光谱下的平均透过率为70％以上，并且厚度为1.90mm的试验片在0.5mm的光梳宽度下的清晰度为60％以上。

公开(公告)号：CN110198918A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201880007132.3

申请日：2018-01-11

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 贵岛美纱子 ,  生田目真美 ,  本间脩 ,  胜田信 ,  篠崎泰夫 ,  谷田正道

IPC: C03B20/00 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明的目的在于提供激光加工性优异或具有适于杀菌用途的波长选择性透光性的石英玻璃。本发明涉及使用维氏压头在表面形成压痕时的裂纹的产生率成为50％的维氏压头的压入负荷为0.1～0.5kgf的石英玻璃，或者以厚度1mm换算的波长265nm的直线透射率(％)为85％以上且波长230nm的直线透射率(％)与波长200nm的直线透射率(％)的差ΔT为10～50％的石英玻璃。

公开(公告)号：CN111936447A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201980024382.2

申请日：2019-04-01

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 山田兼士 ,  寺田研一郎 ,  篠原伸广 ,  菊川信也 ,  篠崎泰夫 ,  须佐俊介

IPC: C04B35/577 ,  B28B1/30 ,  C04B35/626 ,  C04B41/88

Abstract: 本制造方法具有如下工序：工序(I)，利用3D打印法制备包含SiC粒子的第1成型体的工序，上述第1成型体具有第1平均细孔直径M1，工序(II)，通过使上述第1成型体与含有碳粒子的分散液接触，形成在微孔浸渗有上述碳粒子的第2成型体，将上述碳粒子的二次粒子的平均粒径设为M2，满足M2≤M1/10，工序(III)，通过使金属Si浸渗于上述第2成型体，使上述第2成型体反应烧结，从而得到SiC－Si复合部件；上述工序(III)后得到的SiC－Si复合部件含有5质量％～40质量％的范围的Si。

公开(公告)号：CN109641807A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780051301.9

申请日：2017-08-21

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 胜田信 ,  贵岛美纱子 ,  篠崎泰夫

IPC: C04B35/622

Abstract: 本发明提供向外侧突出的毛刺少的陶瓷材料的成型方法和毛刺少的陶瓷物品的制造方法。所述陶瓷材料的成型方法是将陶瓷粉末、树脂、固化剂和溶剂混合而得到作为陶瓷材料的原料浆料，将原料浆料注入于伸缩性容器，使注入于伸缩性容器的原料浆料中的树脂固化而制成具有期望形状的成型体，使成型体从伸缩性容器脱模。

公开(公告)号：CN110418773A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201880017832.0

申请日：2018-03-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小川修平 ,  宫川直通 ,  篠崎泰夫 ,  吉野晴彦 ,  远山一成 ,  大越雄斗

IPC: C04B35/00

Abstract: 本发明涉及一种透光性陶瓷烧结体，其以10个/mm3以上且4000个/mm3以下的范围包含孔径为1μm以上且不足5μm的气泡，并且闭孔率为0.01体积％以上且1.05体积％以下。这种透光性陶瓷烧结体中，厚度为1.90mm的试验片在波长500～900nm的可见光谱下的平均透过率为70％以上，并且厚度为1.90mm的试验片在0.5mm的光梳宽度下的清晰度为60％以上。