公开(公告)号：CN111936447A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201980024382.2

申请日：2019-04-01

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 山田兼士 ,  寺田研一郎 ,  篠原伸广 ,  菊川信也 ,  篠崎泰夫 ,  须佐俊介

IPC: C04B35/577 ,  B28B1/30 ,  C04B35/626 ,  C04B41/88

Abstract: 本制造方法具有如下工序：工序(I)，利用3D打印法制备包含SiC粒子的第1成型体的工序，上述第1成型体具有第1平均细孔直径M1，工序(II)，通过使上述第1成型体与含有碳粒子的分散液接触，形成在微孔浸渗有上述碳粒子的第2成型体，将上述碳粒子的二次粒子的平均粒径设为M2，满足M2≤M1/10，工序(III)，通过使金属Si浸渗于上述第2成型体，使上述第2成型体反应烧结，从而得到SiC－Si复合部件；上述工序(III)后得到的SiC－Si复合部件含有5质量％～40质量％的范围的Si。

公开(公告)号：CN116349406A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180068985.X

申请日：2021-10-04

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 安藤良太 ,  大山峻幸 ,  须佐俊介 ,  山田兼士

IPC: H05B6/12

Abstract: 本发明涉及一种SiSiC部件，是在内部设置有至少1个长孔的SiSiC部件，具有管状区域A和管外区域B，上述管状区域A为上述长孔的外周的区域，上述管外区域B为上述管状区域A的外侧的区域，与上述管状区域A中的Si单质的以体积％计的含量相比，上述管外区域B中的Si单质的以体积％计的含量多。