公开(公告)号：CN107393867B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201710345544.5

申请日：2017-05-16

Applicant: ASM知识产权私人控股有限公司

Inventor： 李忠满 ,  刘龙珉 ,  金永宰 ,  千承珠 ,  金仙子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明揭示一种形成金属内连线的方法和使用其制造半导体装置的方法，所述形成金属内连线的方法包含：沉积低介电常数介电层、在所述低介电常数介电层中形成沟槽、在所述沟槽中形成势垒层、在所述势垒层上填充金属、使所述金属平坦化和在经平坦化的所述金属上形成罩盖层，其中所述罩盖层包含至少两个层。本揭示的半导体装置中的罩盖层具有更薄的厚度且具有优异的密封性质。

公开(公告)号：CN107393867A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710345544.5

申请日：2017-05-16

Applicant: ASM知识产权私人控股有限公司

Inventor： 李忠满 ,  刘龙珉 ,  金永宰 ,  千承珠 ,  金仙子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295

Abstract: 本发明揭示一种形成金属内连线的方法和使用其制造半导体装置的方法，所述形成金属内连线的方法包含：沉积低介电常数介电层、在所述低介电常数介电层中形成沟槽、在所述沟槽中形成势垒层、在所述势垒层上填充金属、使所述金属平坦化和在经平坦化的所述金属上形成罩盖层，其中所述罩盖层包含至少两个层。本揭示的半导体装置中的罩盖层具有更薄的厚度且具有优异的密封性质。