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公开(公告)号：CN113168122B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980082667.1
申请日：2019-11-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本公开涉及对光刻工艺的参数的测量以及量测装置。在一个布置中，修改来自辐射源的辐射，并且该辐射用于照射使用光刻工艺形成在衬底上的目标。对从目标散射的辐射进行检测和分析以确定参数。对辐射进行修改包括：修改辐射的波长谱以具有介于全局最大值与局部最大值之间的局部最小值，其中局部最小值处的辐射的功率谱密度小于全局最大值处的辐射的功率谱密度的20％，并且局部最大值处的辐射的功率谱密度至少为全局最大值处的辐射的功率谱密度的50％。
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公开(公告)号：CN112424697B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201980044059.1
申请日：2019-06-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种用于确定衬底(W)的目标(330)的位置的传感器装置(300)包括：被配置为将辐射束(310)投影到衬底上的投影光学元件(315；321)；被配置为收集从目标散射的测量辐射(325)的收集光学元件(321)；被配置为确定测量辐射的至少一部分(355)的光瞳函数变化，并且输出指示其的信号(340)的波前感测系统(335)；以及被配置为接收信号，并且至少部分根据所收集的测量辐射和测量辐射的至少一部分的所确定的光瞳函数变化，确定目标的位置的测量系统(350)。
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公开(公告)号：CN113168122A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980082667.1
申请日：2019-11-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本公开涉及对光刻工艺的参数的测量以及量测装置。在一个布置中，修改来自辐射源的辐射，并且该辐射用于照射使用光刻工艺形成在衬底上的目标。对从目标散射的辐射进行检测和分析以确定参数。对辐射进行修改包括：修改辐射的波长谱以具有介于全局最大值与局部最大值之间的局部最小值，其中局部最小值处的辐射的功率谱密度小于全局最大值处的辐射的功率谱密度的20％，并且局部最大值处的辐射的功率谱密度至少为全局最大值处的辐射的功率谱密度的50％。
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公开(公告)号：CN111226172B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201880067247.1
申请日：2018-10-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种声学散射仪(502)具有声学源(520)，其可操作以将声学辐射(526)投影到形成在衬底(536)上的周期性结构(538)和(540)上。声学检测器(518)可操作以检测由周期性结构(538)和(540)衍射的负第一声学衍射阶(528)，同时区别于镜面反射(第0阶532)。另一声学检测器(522)可操作以检测由周期性结构衍射的正第一声学衍射阶(530)，同时再次区别于镜面反射(第0阶532)。声学源和声学检测器可以是压电换能器。相对于周期性结构(538)和(540)布置投影声学辐射(526)的入射角和检测器(518)和(522)的位置，使得对负第一声学衍射阶(528)和正第一声学衍射阶(530)的检测区别于第0阶镜面反射(532)。
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公开(公告)号：CN110603492A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880030470.9
申请日：2018-03-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·A·戈登 , S·R·惠斯曼 , D·阿克布鲁特 , A·波洛 , S·G·J·马斯杰森
IPC: G03F9/00
Abstract: 公开了一种量测传感器装置及其相关方法。量测传感器装置包括：照射系统，可操作用于利用具有第一偏振状态的照射辐射来照射衬底上的量测标记；以及光学收集系统，被配置为在照射辐射被量测标记散射之后收集散射辐射。量测标记包括主结构，并且相对于第一偏振状态改变主要通过主结构的散射得到的散射辐射的第一部分的偏振状态和主要通过除主结构之外的一个或多个特征的散射得到的辐射的第二部分的偏振状态中的至少一个，使得散射辐射的第一部分的偏振状态不同于散射辐射的第二部分的偏振状态。量测传感器装置还包括光学过滤系统，光学过滤系统基于其偏振状态滤除散射辐射的第二部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109643072A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780051545.7
申请日：2017-06-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·R·休斯曼 , S·G·J·马斯杰森 , S·A·戈登 , D·阿克布鲁特 , A·波洛
IPC: G03F9/00
Abstract: 一种光刻设备中的对准传感器，包括被配置为在第一波段(例如，500-900nm)和/或第二波段(例如，1500-2500nm)中选择性地传递、收集和处理辐射的光学系统(500；600)。第一波段和第二波段的辐射在光学系统的至少一些部分中共享公共光学路径(506-508；606)，而第一波段的辐射由第一处理子系统(552a)处理并且第二波段(552b)的辐射由第二处理子系统处理。在一个示例中，处理子系统包括自参考干涉仪(556a/556b；656a/656b)。第二波段的辐射允许通过诸如碳硬掩模的不透明层(308)来测量标记。每个处理子系统的光学涂层和其他组件可以根据相应的波段进行定制，而不是完全复制光学系统。
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公开(公告)号：CN112368647B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201980045196.7
申请日：2019-06-05
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明提供了一种位置传感器(300)，包括被配置为向衬底(307)提供测量辐射(304)的光学系统(305，306)。光学系统被布置为接收由设置在衬底上的标记(308)衍射的辐射(309)的至少一部分。应用处理器(313)以从接收到的辐射中得出至少一个位置敏感信号(312)。测量辐射包括至少第一选定辐射波长和第二选定辐射波长。至少第一辐射波长和第二辐射波长的选择基于位置误差摆动曲线模型。
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公开(公告)号：CN110603492B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201880030470.9
申请日：2018-03-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·A·戈登 , S·R·惠斯曼 , D·阿克布鲁特 , A·波洛 , S·G·J·马斯杰森
IPC: G03F9/00
Abstract: 公开了一种量测传感器装置及其相关方法。量测传感器装置包括：照射系统，可操作用于利用具有第一偏振状态的照射辐射来照射衬底上的量测标记；以及光学收集系统，被配置为在照射辐射被量测标记散射之后收集散射辐射。量测标记包括主结构，并且相对于第一偏振状态改变主要通过主结构的散射得到的散射辐射的第一部分的偏振状态和主要通过除主结构之外的一个或多个特征的散射得到的辐射的第二部分的偏振状态中的至少一个，使得散射辐射的第一部分的偏振状态不同于散射辐射的第二部分的偏振状态。量测传感器装置还包括光学过滤系统，光学过滤系统基于其偏振状态滤除散射辐射的第二部分。
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公开(公告)号：CN112424697A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980044059.1
申请日：2019-06-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种用于确定衬底(W)的目标(330)的位置的传感器装置(300)包括：被配置为将辐射束(310)投影到衬底上的投影光学元件(315；321)；被配置为收集从目标散射的测量辐射(325)的收集光学元件(321)；被配置为确定测量辐射的至少一部分(355)的光瞳函数变化，并且输出指示其的信号(340)的波前感测系统(335)；以及被配置为接收信号，并且至少部分根据所收集的测量辐射和测量辐射的至少一部分的所确定的光瞳函数变化，确定目标的位置的测量系统(350)。
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公开(公告)号：CN111226172A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880067247.1
申请日：2018-10-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种声学散射仪(502)具有声学源(520)，其可操作以将声学辐射(526)投影到形成在衬底(536)上的周期性结构(538)和(540)上。声学检测器(518)可操作以检测由周期性结构(538)和(540)衍射的负第一声学衍射阶(528)，同时区别于镜面反射(第0阶532)。另一声学检测器(522)可操作以检测由周期性结构衍射的正第一声学衍射阶(530)，同时再次区别于镜面反射(第0阶532)。声学源和声学检测器可以是压电换能器。相对于周期性结构(538)和(540)布置投影声学辐射(526)的入射角和检测器(518)和(522)的位置，使得对负第一声学衍射阶(528)和正第一声学衍射阶(530)的检测区别于第0阶镜面反射(532)。
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