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公开(公告)号：CN112997118B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201980071940.0
申请日：2019-10-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·沃纳尔 , H·D·波斯 , H·J·H·斯米尔德 , M·哈吉阿玛迪 , L·J·马赫特 , K·H·W·范登伯斯 , S·索科洛夫 , L·T·库内曼
Abstract: 本公开涉及确定图案化工艺的感兴趣参数的值。在计量过程中从目标获取多个校准数据单元。至少两个校准数据单元中的每个校准数据单元表示在计量过程中使用不同相应偏振设置而获取的检测辐射，每个偏振设置限定计量过程的入射辐射的偏振属性和计量过程的检测辐射的偏振属性。使用校准数据单元获取关于计量过程的校准信息。获取表示从另外的目标散射的检测辐射的测量数据单元，该另外的目标包括使用图案化工艺在衬底上或在另外的衬底上形成的结构。使用测量数据单元和所获取的校准信息确定感兴趣参数的值。
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公开(公告)号：CN114080536A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080049670.6
申请日：2020-07-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种方法，该方法包括：测量从量测目标反射的辐射，以及将经测量的辐射以分量进行分解，例如傅里叶分量或空间分量。此外，公开一种方案选择方法，其提供一种用于基于基于单分量的经测量的辐射的重新计算的相关性来选择量测设备的参数的算法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107111245B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201580069463.6
申请日：2015-12-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 在暗场成像模式中使用散射仪来测量诸如重叠等非对称性相关参数。使用相同的光学路径进行小光栅目标的测量，其中目标处于两个定向以获得对+1和‑1衍射阶的单独测量。以此方式，避免了强度标度差异(工具非对称性)。然而，无法避免在光学系统中由杂散光(虚像)引起的附加强度缺陷。附加强度问题在很大程度上取决于0阶衍射与1阶衍射之间的比率，并且因此在很大程度上反向取决于晶片(工艺)。对具有偏差(+d、‑d)的几个代表性目标光栅进行校准测量(CM1至CM4)。不仅使用不同的晶片旋转(RZ＝0、π)，而且还使用互补孔径(13N、13S)来进行所述校准测量。计算并且应用校正(δ、G)，以计算经校正的非对称性A’，以便减小由杂散光引起的误差。
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公开(公告)号：CN113168122B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980082667.1
申请日：2019-11-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本公开涉及对光刻工艺的参数的测量以及量测装置。在一个布置中，修改来自辐射源的辐射，并且该辐射用于照射使用光刻工艺形成在衬底上的目标。对从目标散射的辐射进行检测和分析以确定参数。对辐射进行修改包括：修改辐射的波长谱以具有介于全局最大值与局部最大值之间的局部最小值，其中局部最小值处的辐射的功率谱密度小于全局最大值处的辐射的功率谱密度的20％，并且局部最大值处的辐射的功率谱密度至少为全局最大值处的辐射的功率谱密度的50％。
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公开(公告)号：CN112997118A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980071940.0
申请日：2019-10-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·沃纳尔 , H·D·波斯 , H·J·H·斯米尔德 , M·哈吉阿玛迪 , L·J·马赫特 , K·H·W·范登伯斯 , S·索科洛夫 , L·T·库内曼
Abstract: 本公开涉及确定图案化工艺的感兴趣参数的值。在计量过程中从目标获取多个校准数据单元。至少两个校准数据单元中的每个校准数据单元表示在计量过程中使用不同相应偏振设置而获取的检测辐射，每个偏振设置限定计量过程的入射辐射的偏振属性和计量过程的检测辐射的偏振属性。使用校准数据单元获取关于计量过程的校准信息。获取表示从另外的目标散射的检测辐射的测量数据单元，该另外的目标包括使用图案化工艺在衬底上或在另外的衬底上形成的结构。使用测量数据单元和所获取的校准信息确定感兴趣参数的值。
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公开(公告)号：CN113168122A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980082667.1
申请日：2019-11-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本公开涉及对光刻工艺的参数的测量以及量测装置。在一个布置中，修改来自辐射源的辐射，并且该辐射用于照射使用光刻工艺形成在衬底上的目标。对从目标散射的辐射进行检测和分析以确定参数。对辐射进行修改包括：修改辐射的波长谱以具有介于全局最大值与局部最大值之间的局部最小值，其中局部最小值处的辐射的功率谱密度小于全局最大值处的辐射的功率谱密度的20％，并且局部最大值处的辐射的功率谱密度至少为全局最大值处的辐射的功率谱密度的50％。
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公开(公告)号：CN107111245A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069463.6
申请日：2015-12-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 在暗场成像模式中使用散射仪来测量诸如重叠等非对称性相关参数。使用相同的光学路径进行小光栅目标的测量，其中目标处于两个定向以获得对+1和‑1衍射阶的单独测量。以此方式，避免了强度标度差异(工具非对称性)。然而，无法避免在光学系统中由杂散光(虚像)引起的附加强度缺陷。附加强度问题在很大程度上取决于0阶衍射与1阶衍射之间的比率，并且因此在很大程度上反向取决于晶片(工艺)。对具有偏差(+d、‑d)的几个代表性目标光栅进行校准测量(CM1至CM4)。不仅使用不同的晶片旋转(RZ＝0、π)，而且还使用互补孔径(13N、13S)来进行所述校准测量。计算并且应用校正(δ、G)，以计算经校正的非对称性A’，以便减小由杂散光引起的误差。
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