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公开(公告)号:CN100480861C
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200410095181.7
申请日:2004-10-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: C·A·胡根达姆 , B·斯特里克 , J·C·H·穆肯斯 , E·T·M·比拉亚特 , A·Y·科勒斯恩臣科 , E·R·鲁普斯特拉 , J·J·S·M·梅坦斯 , B·A·斯拉格赫科 , P·A·J·蒂内曼斯 , H·范桑坦
CPC classification number: G03F7/70866 , G03F7/70341 , G03F7/70808
Abstract: 液体通过入口提供给投影系统最后元件和基底之间的贮液器。溢流口排出给定水平面上方的液体。该溢流口位于入口之上,这样液体就不断更新且液体压力保持基本恒定。
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公开(公告)号:CN101872130B
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201010114018.6
申请日:2004-08-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: M·M·T·M·迪里奇斯 , S·N·L·当德斯 , J·H·W·贾科布斯 , H·詹森 , E·R·鲁普斯特拉 , J·J·S·M·梅坦斯 , M·K·斯塔文加 , B·斯特里克 , M·C·M·维哈根 , L·塞恩蒂恩斯-格鲁达
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70866 , B01D19/0031 , B01D61/025 , B01D61/24 , C02F1/04 , C02F1/20 , C02F1/28 , C02F1/283 , C02F1/32 , C02F1/42 , C02F1/441 , C02F2103/40 , G03F7/2041 , G03F7/70341
Abstract: 一种光刻投射装置,包括:用于提供辐射投射光束的辐射系统;用于支撑构图装置的支撑结构,所述构图装置用于根据所需的图案对投射光束进行构图;用于保持基底的基底台;用于将带图案的辐射光束投射到基底的目标部分上的投射系统;用于以浸液至少部分填充所述投射系统的最后元件和所述基底之间的空间的液体供给系统,所述液体供给系统包括用于净化所述浸液的液体净化器,其中所述液体净化器包括位于所述空间的上游并不与所述空间接触的脱气单元;而且所述液体供给系统在所述投射系统的投射镜头周围形成无接触密封,从而所述浸液被限定为填充与所述投射系统面对的基底的主要表面和所述投射系统的最后元件之间的空间。
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公开(公告)号:CN102414623A
公开(公告)日:2012-04-11
申请号:CN201080018387.3
申请日:2010-03-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70333 , G03F7/70233 , G03F7/70266
Abstract: 一种使用EUV光刻设备将图案化的束投影到衬底上的方法,所述光刻设备具有包括多个反射镜(12-16)的投影系统(PS)。所述方法包括以下步骤。使用投影系统(PS)将图案化的束投影到衬底(W)上,同时沿基本上垂直衬底(W)表面的方向移动投影系统的最终反射镜(16)。旋转最终反射镜(16)以基本上补偿所投影的图案化辐射束在衬底上的由于反射镜的移动带来的不想要的平移。
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公开(公告)号:CN1782886B
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN200510128823.3
申请日:2005-12-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: J·J·M·巴塞曼斯 , S·N·L·多德斯 , C·A·霍根达姆 , J·J·S·M·梅坦斯 , J·C·H·穆肯斯 , B·斯特里克
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 光刻装置以及器件制造方法公开了一种包括液体供给系统的浸入式光刻装置,该液体供给系统具有设置成可将液体供给到光刻装置的投影系统与衬底之间的空间中的入口,以及设置成可去除至少部分液体的出口,该液体供给系统设置成可使入口、出口或这两者围绕基本上垂直于衬底的曝光面的轴线旋转。
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公开(公告)号:CN101241316B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200810081442.8
申请日:2005-12-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: J·J·M·巴塞曼斯 , S·N·L·多德斯 , C·A·霍根达姆 , J·J·S·M·梅坦斯 , J·C·H·穆肯斯 , B·斯特里克
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 公开了一种包括液体供给系统的浸入式光刻装置,该液体供给系统具有设置成可将液体供给到光刻装置的投影系统与衬底之间的空间中的入口,以及设置成可去除至少部分液体的出口,该液体供给系统设置成可使入口、出口或这两者围绕基本上垂直于衬底的曝光面的轴线旋转。
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公开(公告)号:CN1591192B
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN200410068266.6
申请日:2004-08-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: M·M·T·M·迪里奇斯 , S·N·L·当德斯 , J·H·W·贾科布斯 , H·詹森 , E·R·鲁普斯特拉 , J·J·S·M·梅坦斯 , M·K·斯塔文加 , B·斯特里克 , M·C·M·维哈根 , L·塞恩蒂恩斯-格鲁达
CPC classification number: G03F7/70866 , B01D19/0031 , B01D61/025 , B01D61/24 , C02F1/04 , C02F1/20 , C02F1/28 , C02F1/283 , C02F1/32 , C02F1/42 , C02F1/441 , C02F2103/40 , G03F7/2041 , G03F7/70341
Abstract: 本发明提供一种光刻投射装置,包括:用于提供辐射投射光束的辐射系统;用于支撑构图装置的支撑结构,所述构图装置用于根据所需的图案对投射光束进行构图;用于保持基底的基底台;用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投射系统;用于以浸液至少部分填充所述投射系统的最后元件和所述基底之间的空间的液体供给系,其中所述液体供给系统包括在浸液进入所述空间前照射所述浸液的紫外线光源;而且所述液体供给系统在所述投射系统的投射镜头周围形成无接触密封,从而所述浸液被限定为填充与所述投射系统面对的基底的主要表面和所述投射系统的最后元件之间的空间。
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公开(公告)号:CN101587303A
公开(公告)日:2009-11-25
申请号:CN200910148882.5
申请日:2005-05-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70875 , B05C9/12 , G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种光刻装置和器件制造方法。其中供液系统可在投影系统的最后一个元件和基底之间提供浸液。提供一个主动干燥站,用于在浸没基底之后从基底W或其它物体主动去除浸液。
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公开(公告)号:CN1782886A
公开(公告)日:2006-06-07
申请号:CN200510128823.3
申请日:2005-12-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: J·J·M·巴塞曼斯 , S·N·L·多德斯 , C·A·霍根达姆 , J·J·S·M·梅坦斯 , J·C·H·穆肯斯 , B·斯特里克
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 公开了一种包括液体供给系统的浸入式光刻装置,该液体供给系统具有设置成可将液体供给到光刻装置的投影系统与衬底之间的空间中的入口,以及设置成可去除至少部分液体的出口,该液体供给系统设置成可使入口、出口或这两者围绕基本上垂直于衬底的曝光面的轴线旋转。
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公开(公告)号:CN101950131A
公开(公告)日:2011-01-19
申请号:CN201010287946.2
申请日:2004-07-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: B·斯特里克 , A·T·A·M·德克森 , J·洛夫 , K·西蒙 , A·斯特拉艾杰
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70875 , G03F7/70258 , G03F7/70341 , G03F7/70716 , G03F7/70891
Abstract: 一种浸没光刻装置,包括温度控制器,它用于将投影系统PL的最后元件、基底W和液体三者的温度调整到接近公共靶部温度T4。对这些元件整体温度的控制以及温度梯度的减小改善了成像一致性和一般的性能。采取的措施包括通过一个反馈电路来控制浸液流率和温度。
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公开(公告)号:CN1700098A
公开(公告)日:2005-11-23
申请号:CN200510071348.0
申请日:2005-05-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70875 , B05C9/12 , G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种光刻装置,其中供液系统可在投影系统的最后一个元件和基底之间提供浸液。提供一个主动干燥站,用于在浸没基底之后从基底W或其它目标主动去除浸液。
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