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公开(公告)号：CN1800974A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510104720.3
申请日：2005-12-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·西蒙
IPC: G03F7/00
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 在实施例中公开了一种压印方法，包括将衬底上的可压印媒介的第一和第二间隔目标区分别与第一和第二模板接触，以在媒介中形成相应的第一和第二压印，以及将第一和第二模板与被压印媒介分离。
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公开(公告)号：CN1501175A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310123328.4
申请日：2003-11-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·洛夫 , E·T·M·比拉亚尔特 , H·布特勒 , S·N·L·唐德斯 , C·A·胡格达姆 , A·科勒斯伊辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , H·J·M·梅杰 , J·J·S·M·默顿斯 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , F·范沙克 , T·F·森格斯 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里夫克 , H·范桑坦
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/7085 , G03F7/70866
Abstract: 公开了一种在投射系统最终元件与基底之间的空间充满液体的光刻投射装置。边缘密封构件17、117至少部分地环绕基底W或其它在基底台WT上的物体以防止当基底的边缘部分被成像或照射时毁灭性的液体损失。
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公开(公告)号：CN102540707B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201210036222.X
申请日：2005-12-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·西蒙
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 压印光刻，在实施例中公开了一种压印方法，包括将衬底上的可压印媒介的第一和第二间隔目标区分别与第一和第二模板接触，以在媒介中形成相应的第一和第二压印，以及将第一和第二模板与被压印媒介分离。
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公开(公告)号：CN102147574B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201110083335.0
申请日：2004-06-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·洛夫 , H·布特勒 , S·N·L·当德斯 , A·科勒斯辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , H·J·M·梅杰 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , F·范沙克 , T·F·森格斯 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里科克 , E·T·M·比拉尔特 , C·A·胡根达姆 , H·范桑坦 , M·A·范德科霍夫 , M·克鲁恩 , A·J·登博夫 , J·J·奥坦斯 , J·J·S·M·梅坦斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70141 , G03F7/70341 , G03F7/7085 , G03F7/70883
Abstract: 本发明公开了一种光刻装置和器件制造方法。在所述装置中，投影系统的最后元件和传感器之间的空间填充有液体。
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公开(公告)号：CN101713932B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910206096.6
申请日：2003-11-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·洛夫 , E·T·M·比拉亚尔特 , H·布特勒 , S·N·L·唐德斯 , C·A·胡格达姆 , A·科勒斯伊辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , H·J·M·梅杰 , J·J·S·M·默顿斯 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , F·范沙克 , T·F·森格斯 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里夫克 , H·范桑坦
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/7085 , G03F7/70866
Abstract: 本发明提供一种光刻装置和器件制造方法，其中光刻装置包括：用于支撑构图部件的支撑结构，构图部件用于根据理想的图案对辐射光束进行构图；用于保持基底的基底台；用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统；以及用于用液体至少部分填充投射系统与基底、或与放置在基底台上的传感器、或者与基底和传感器两者之间的空间的液体供给系统；其中，基底台还包括边缘密封构件，边缘密封构件至少部分环绕基底的边缘、或传感器的边缘、或者基底和传感器两者的边缘，并且用于提供面向投射系统基本上与基底、或传感器、或基底和传感器两者的主表面共面的主表面，其中液体供给系统向传感器和/或边缘密封构件和/或基底的局部区域提供液体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1800974B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200510104720.3
申请日：2005-12-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·西蒙
IPC: G03F7/00
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 在实施例中公开了一种压印方法，包括将衬底上的可压印媒介的第一和第二间隔目标区分别与第一和第二模板接触，以在媒介中形成相应的第一和第二压印，以及将第一和第二模板与被压印媒介分离。
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公开(公告)号：CN100470367C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200310120957.1
申请日：2003-11-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·洛夫 , A·T·A·M·德克森 , C·A·胡根达姆 , A·科勒斯伊辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , T·M·默德曼 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里夫克 , H·范桑坦
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/7085 , G03F9/7088
Abstract: 在光刻投射装置中，密封构件围绕投射系统的末端元件和光刻投射装置基底台之间间隙。气密封在所述密封构件和所述基底的表面之间形成，以容纳间隙中的液体。
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公开(公告)号：CN1327297C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200310122295.1
申请日：2003-11-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·西蒙 , J·洛夫 , A·W·E·明纳尔特 , E·M·J·斯米特斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J2219/00353 , B01J2219/00432 , B01J2219/00434 , B01J2219/00439 , B01J2219/00448 , B01J2219/00711 , B01J2219/0072 , C40B60/14 , G03F7/708
Abstract: 将包括若干分离小室的流体室提供到基底台上，以使流体可接触基底暴露的区域以与之相互作用。可由此实施一系列曝光和化学处理而没有将基底从基底台上移走。
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公开(公告)号：CN1504832A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310122295.1
申请日：2003-11-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·西蒙 , J·洛夫 , A·W·E·明纳尔特 , E·M·J·斯米特斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J2219/00353 , B01J2219/00432 , B01J2219/00434 , B01J2219/00439 , B01J2219/00448 , B01J2219/00711 , B01J2219/0072 , C40B60/14 , G03F7/708
Abstract: 将包括若干分离小室的流体室提供到基底台上，以使流体可接触基底暴露的区域以与之相互作用。可由此实施一系列曝光和化学处理而没有将基底从基底台上移走。
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公开(公告)号：CN1456937A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN03136807.7
申请日：2003-04-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·J·E·范德穆斯迪克 , K·西蒙 , E·范登布林克
IPC: G03F7/00 , G03F9/00 , G06F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70475 , G03F7/70466
Abstract: 为了印制大面积的器件的各层，选择一个投射区域使接缝误差最小化，其中大面积的器件是在多于一个靶区或印模上延伸的器件。优选地，选取该透射区域是基于表征待使用的投射透镜的数据，而且选取该投射区域以便使投射图案中位置误差之间的差别最小化，其中投射图案位于该区域的对边上。
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