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公开(公告)号：CN106030411B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201580008855.1
申请日：2015-01-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70591 , G01B11/272 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70683
Abstract: 一种确定使用光刻过程而产生的结构内的边缘定位误差的方法，所述方法包括如下步骤：(a)接收包括使用所述光刻过程而产生的第一结构的衬底，所述第一结构包括第一层及第二层，所述层中的每个层具有导电材料的第一区域及非导电材料的第二区域；(b)接收指示第一目标相对位置的目标信号，所述第一目标相对位置指示在所述光刻过程期间在所述第一结构中所述第一层的所述第一区域与所述第二区域之间的边缘相对于所述第二层的所述第一区域与所述第二区域之间的边缘而言的目标位置；(c)在利用光学辐射来照射所述第一结构的同时检测散射的辐射以获得第一信号；和(d)基于所述第一信号及所述第一目标相对位置来确定边缘定位误差参数。
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公开(公告)号：CN106030411A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008855.1
申请日：2015-01-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70591 , G01B11/272 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70683
Abstract: 一种确定使用光刻过程而产生的结构内的边缘定位误差的方法，所述方法包括如下步骤：(a)接收包括使用所述光刻过程而产生的第一结构的衬底，所述第一结构包括第一层及第二层，所述层中的每个层具有导电材料的第一区域及非导电材料的第二区域；(b)接收指示第一目标相对位置的目标信号，所述第一目标相对位置指示在所述光刻过程期间在所述第一结构中所述第一层的所述第一区域与所述第二区域之间的边缘相对于所述第二层的所述第一区域与所述第二区域之间的边缘而言的目标位置；(c)在利用光学辐射来照射所述第一结构的同时检测散射的辐射以获得第一信号；和(d)基于所述第一信号及所述第一目标相对位置来确定边缘定位误差参数。
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公开(公告)号：CN101978255B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200980109332.0
申请日：2009-03-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·登鲍埃夫 , H·A·J·克瑞姆 , M·A·范德克尔克豪夫 , H·P·M·派勒曼斯 , M·埃伯特
IPC: G01N21/47 , G01N21/956 , G03F7/20
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/47 , G01N21/95607 , G01N2021/8845 , G03F7/70625
Abstract: 本发明提出了一种评估衬底的模型的方法。使用第一波长的辐射进行散射测量。之后改变辐射的波长，且进行另外的散射测量。如果散射测量在波长范围上是一致的，那么模型是足够准确的。然而，如果散射测量随着波长变化而变化，那么衬底的模型是不充分准确的。
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公开(公告)号：CN114080569A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080048483.6
申请日：2020-07-06
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Abstract: 公开了一种图案形成装置和使用该图案形成装置进行图案化的辅助衬底，该图案形成装置用于将产品结构图案化到衬底上。该图案形成装置包括目标图案化元件，其用于图案化至少一个目标，从至少一个目标能够推断感兴趣参数。目标图案化元件和用于图案化产品结构的产品图案化元件。目标图案化元件和产品图案化元件被配置为使得所述至少一个目标具有至少一个边界，该至少一个边界既不平行也不垂直于所述衬底上的所述产品结构。
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公开(公告)号：CN108369381B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201680071040.2
申请日：2016-11-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种方法，所述方法包括：获得器件制造过程或该器件制造过程的产品的测量结果；通过分别针对于所述测量结果拟合分布来获得所述分布的一个或更多个参数的一个或更多个值的多个组；使用计算机通过针对于所述参数的值的多个组拟合超分布获得所述超分布的一个或更多个超参数的一个或更多个值的组。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111727407A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201980011519.0
申请日：2019-01-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·V·梅德韦久瓦 , A·齐亚托马斯 , H·A·J·克瑞姆 , M·H·M·范维尔特 , B·O·夫艾格金格奥尔 , 尚晓昕 , J·M·范博克斯梅尔 , B·韦斯特拉特恩
Abstract: 本发明公开确定最佳聚焦高度的方法。在一种布置中，获得来自所述量测过程至目标的多次应用的测量数据。所述量测过程的每次应用包括利用辐射斑来照射所述目标并检测由所述目标改变方向的辐射。所述量测过程的所述应用包括在不同名义聚焦高度处的应用。针对所述量测过程的每次应用，所述测量数据包含被改变方向的辐射的光学特性在光瞳平面中的检测到的光瞳表示的至少一个分量。所述方法包括使用所获得的测量数据来确定所述量测过程的最佳聚焦高度。
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公开(公告)号：CN101978255A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109332.0
申请日：2009-03-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·登鲍埃夫 , H·A·J·克瑞姆 , M·A·范德克尔克豪夫 , H·P·M·派勒曼斯 , M·埃伯特
IPC: G01N21/47 , G01N21/956 , G03F7/20
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/47 , G01N21/95607 , G01N2021/8845 , G03F7/70625
Abstract: 本发明提出了一种评估衬底的模型的方法。使用第一波长的辐射进行散射测量。之后改变辐射的波长，且进行另外的散射测量。如果散射测量在波长范围上是一致的，那么模型是足够准确的。然而，如果散射测量随着波长变化而变化，那么衬底的模型是不充分准确的。
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公开(公告)号：CN118159911A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071653.1
申请日：2022-10-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： D·J·马斯 , 威廉默斯·P·E·M·奥特罗特 , M·乔詹姆森 , H·A·J·克瑞姆
IPC: G03F7/20
Abstract: 披露了一种用于测量衬底上的衍射结构的量测设备，包括：辐射源，所述辐射源能够操作以提供用于激发所述衍射结构的第一辐射，所述第一辐射具有第一波长；检测装置，所述检测装置能够操作以至少检测经衍射的第二辐射，所述经衍射的第二辐射包括所述第一辐射的二阶谐波，所述经衍射的第二辐射是由所述衍射结构和/或衬底产生并且由所述衍射结构衍射的；和处理装置，所述处理装置能够操作以至少根据所述经衍射的第二辐射确定与所述衍射结构有关的关注的参数。
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公开(公告)号：CN111065974B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201880057808.X
申请日：2018-08-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： B·O·夫艾格金格奥尔 , P·C·赫因恩 , H·A·J·克瑞姆 , A·齐亚托马斯 , M·V·梅德韦久瓦
Abstract: 此处公开了一种形成在衬底上的目标，所述目标包括：对准结构；和量测结构；其中所述对准结构包括被布置成当用源辐射照射所述对准结构时产生拍频图案的结构。有利地，当照射所述目标时，在所述目标的图像中出现的拍频图案允许使用图案识别技术容易地识别出所述目标。
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公开(公告)号：CN115004113A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180011634.5
申请日：2021-01-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 , 帕特里克·华纳 , V·T·滕纳 , H·A·J·克瑞姆 , B·A·G·洛马士 , B·L·W·M·范德文 , A·B·昆布尔 , A·P·康宁贝格
IPC: G03F7/20 , G01N21/95 , G01N21/956
Abstract: 披露了一种利用具有至少一个波长的照射辐射来测量衬底上的周期性结构的方法，所述周期性结构具有至少一个间距。所述方法包括基于所述间距与所述波长的比率来配置成下各项中的一个或更多个：照射孔轮廓，所述照射孔轮廓包括傅里叶空间中的一个或更多个照射区；用于测量的所述周期性结构的取向；以及检测孔轮廓，所述检测孔轮廓包括傅里叶空间中的一个或更多个分离的检测区。这种配置使得：i)在所述检测孔轮廓内捕获至少一对互补衍射阶的衍射辐射，和ii)所述衍射辐射填充所述一个或更多个分离的检测区的至少80％。所述周期性结构被测量，而同时应用照射孔轮廓、检测孔轮廓和所述周期性结构的取向中的经配置的一个或更多个。
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