-
公开(公告)号：CN112513742B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201980051246.2
申请日：2019-07-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 , 帕特里克·华纳 , V·T·滕纳 , M·范德斯卡
IPC: G03F7/20
Abstract: 披露了一种用于获得对由一对结构散射辐射进行描述的按计算方式确定的干涉电场的方法，所述一对结构包括位于衬底上的第一结构和第二结构，所述方法包括：确定与由所述第一结构散射的第一辐射相关的第一电场；确定与由所述第二结构散射的第二辐射相关的第二电场；和按计算方式确定所述第一电场和所述第二电场的干涉，以获得按计算方式确定的干涉电场。
-
公开(公告)号：CN116758012A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310622332.2
申请日：2019-05-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·特里波迪 , 帕特里克·华纳 , G·格热拉 , M·哈伊赫曼达 , F·法哈德扎德 , P·A·J·廷尼曼斯 , S·A·米德尔布鲁克斯 , 安卓尼斯·科内利斯·马修斯·科普曼 , 弗兰克·斯塔尔斯 , 布伦南·彼得森 , A·B·范奥斯汀
Abstract: 公开了一种确定与衬底上的结构相关的感兴趣的特性的方法、掩模版、衬底。方法包括：获得结构的输入图像；和使用训练后的神经网络以从所述输入图像确定感兴趣的特性。
-
公开(公告)号：CN110998449B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880051260.8
申请日：2018-07-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括：针对使用图案化过程产生的衬底的器件图案的多个特征中的每个特定特征，获得在所述衬底的测量目标与所述特定特征之间的所述图案化过程的参数的模型化或模拟关系；和基于所述关系和来自量测目标的所述参数的测量值，产生针对所述特征中的每个特征的横跨所述衬底的至少一部分的所述参数的分布，所述分布用于设计、控制或修改所述图案化过程。
-
公开(公告)号：CN114080569A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080048483.6
申请日：2020-07-06
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Abstract: 公开了一种图案形成装置和使用该图案形成装置进行图案化的辅助衬底，该图案形成装置用于将产品结构图案化到衬底上。该图案形成装置包括目标图案化元件，其用于图案化至少一个目标，从至少一个目标能够推断感兴趣参数。目标图案化元件和用于图案化产品结构的产品图案化元件。目标图案化元件和产品图案化元件被配置为使得所述至少一个目标具有至少一个边界，该至少一个边界既不平行也不垂直于所述衬底上的所述产品结构。
-
公开(公告)号：CN113168119B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980080754.3
申请日：2019-12-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种用于确定光刻过程的性能参数的目标，所述目标包括：第一子目标，所述第一子目标由至少两个叠置光栅形成，其中所述第一子目标的底层光栅具有第一节距且所述第一子目标的顶部光栅具有第二节距；至少一个第二子目标，所述第二子目标由至少两个叠置光栅形成，其中所述第二子目标的底层光栅具有第三节距且所述第二子目标的顶部光栅具有第四节距。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN109478023B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201780043927.5
申请日：2017-06-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·范德斯卡 , M·博兹库尔特 , 帕特里克·华纳 , S·C·T·范德山登
IPC: G03F7/20
Abstract: 描述了一种用于提供准确的且鲁棒性的测量光刻特征或量测参数的方法和设备。所述方法包括为量测目标的多个量测参数中的每一个量测参数提供一个范围的值或多个值，为多个量测参数中的每一个量测参数提供约束，并且通过处理器计算以在所述一个范围的值或多个值内优化/修改这些参数，从而导致多个量测目标设计具有满足约束的量测参数。
-
公开(公告)号：CN108700829B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201780013518.0
申请日：2017-02-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 帕特里克·华纳 , 西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯 , 阿尔伯托·达科斯特阿萨法劳 , 卢卡斯·杰吉·马赫特
IPC: G03F7/20
Abstract: 检查设备(140)测量通过光刻工艺形成在衬底上的目标结构(T)的不对称性或其他属性。对于一组给定照射条件，所述测量的精度受到跨越整个衬底上和/或在衬底之间的工艺变化的强烈影响。该设备被配置成在所述照射条件的两个或更多个变量(p1‑，p1，p1+；λ1‑，λ1，λ1+)下收集由多个结构所散射的辐射。处理系统(PU)被配置为使用针对所述结构中的不同结构的所述变量的不同选择或组合的情况下所收集的辐射来导出所述属性的所述测量结果。变量可以是例如波长、或角度分布、或者照射条件的任何特征。参考在不同变量中观察到的信号品质(302，Q，A)进行变量的选择和/或组合。
-
公开(公告)号：CN110998449A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051260.8
申请日：2018-07-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括：针对使用图案化过程产生的衬底的器件图案的多个特征中的每个特定特征，获得在所述衬底的测量目标与所述特定特征之间的所述图案化过程的参数的模型化或模拟关系；和基于所述关系和来自量测目标的所述参数的测量值，产生针对所述特征中的每个特征的横跨所述衬底的至少一部分的所述参数的分布，所述分布用于设计、控制或修改所述图案化过程。
-
公开(公告)号：CN114667446A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202080065378.3
申请日：2020-09-03
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
IPC: G01N21/95 , G01N21/956 , G03F7/20
Abstract: 披露了一种用于在衬底的包括目标结构的至少一部分的区域上进行量测测量的方法。所述方法包括：接收表示由所述区域所散射的辐射的一部分的辐射信息；以及在傅里叶域中使用滤波器以用于移除或抑制所接收的辐射信息的、与已由所述目标结构散射的辐射不相关的至少一部分，以用于获得用于所述量测测量的经滤波的辐射信息，其中所述滤波器的特性基于与所述目标结构相关的目标信息。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.035 seconds)
