-
公开(公告)号：CN119856116A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380065323.6
申请日：2023-09-08
Applicant: ASML荷兰有限公司 , IMEC非营利协会
Inventor： 保罗·亚历山大·维梅伦 , E·E·加拉格尔 , I·K·A·保伦提亚 , S·布雷姆斯
Abstract: 一种用于在光刻设备中使用的表膜，所述表膜包括：隔膜，所述隔膜具有第一部分和第二部分；以及保护部分，所述保护部分在所述隔膜的至少一侧上位于所述第二部分处。一种用于形成用于在光刻设备中使用的表膜的方法，所述方法包括：提供隔膜，所述隔膜具有第一部分和第二部分；以及在所述隔膜的至少一侧上在所述第二部分处提供保护部分。
-
公开(公告)号：CN118891582A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380031199.1
申请日：2023-02-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 保罗·亚历山大·维梅伦 , V·D·希尔德布兰德 , I·唐梅兹诺扬
Abstract: 用于EUV光刻的表膜包括：芯部层，所述芯部层包括硅且具有至少一个非氧化表面；和盖层，所述盖层位于所述芯部层的至少一个主表面处。所述盖层包括碳和/或硼。可以在曝光操作之前或期间移除所述盖层。
-
公开(公告)号：CN118302720A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280078310.8
申请日：2022-11-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Z·S·豪厄林 , 保罗·亚历山大·维梅伦 , A·L·克莱因
IPC: G03F1/62
Abstract: 披露了一种用于形成在光刻设备中使用的表膜的方法。所述方法包括：设置由第一材料形成的多孔隔膜；将至少一个二维材料层施加至所述多孔隔膜的至少一侧；和将覆盖层施加至所述多孔隔膜的至少一侧上的所述至少一个二维材料层，使得所述至少一个二维材料层被设置在所述或每个覆盖层与所述多孔隔膜之间。所述至少一个二维材料层用于封闭所述多孔隔膜的相邻侧且形成所述表膜的较光滑且较平坦的外表面。有利地，这允许保护所述多孔隔膜免受蚀刻，而同时减少EUV闪烁，而不管用于所述覆盖层的材料如何。
-
公开(公告)号：CN116018557A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180052634.X
申请日：2021-07-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 瓦蒂姆·耶乌金耶维奇·班尼恩 , 保罗·亚历山大·维梅伦 , C·A·德迈耶雷 , J·H·J·莫尔斯 , A·尼基帕罗夫 , G·萨尔玛索 , M·A·范德柯克霍夫 , P·耶格霍比
IPC: G03F1/62
Abstract: 一种用于还原部分氧化的掩模版和表膜组件的设备，包括：支撑件；氢气供应装置；以及电子源。所述支撑件用于支撑掩模版和表膜组件。所述氢气供应装置可操作以在掩模版和表膜组件由所述支撑件支撑时将氢气供应到掩模版和表膜组件的表膜附近。所述电子源可操作以在掩模版和表膜组件由所述支撑件支撑时引导电子入射到掩模版和表膜组件的表膜上。
-
公开(公告)号：CN115698851A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180037514.2
申请日：2021-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Z·S·豪厄林 , V·D·希尔德布兰德 , A·L·克莱因 , 保罗·亚历山大·维梅伦
Abstract: 描述了一种用于光刻设备的光学元件，所述光学元件包括被选择以支撑顶部层的锚固层，所述顶部层在工作的光刻设备或包含等离子体的环境中具有自终止生长性。还描述了一种制造光学元件的方法，所述方法包括以下步骤：经由曝露于优选地为电磁诱发的等离子体的等离子体而将顶部层沉积于锚固层上。还描述了包括此类光学元件的光刻设备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114556167A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080071117.2
申请日：2020-09-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 约斯特·安德烈·克鲁格斯特 , A·尼基帕罗夫 , W·J·恩格伦 , 廉晋 , 保罗·亚历山大·维梅伦 , 哈利勒·戈凯·叶根
Abstract: 一种扩散器，所述扩散器被配置成接收和透射辐射。所述扩散器包括散射层(510)，所述散射层被配置成散射所接收的辐射，所述散射层(510)包括第一物质且具有在其中分布的多个空隙。所述第一物质可以是散射物质，或替代地，所述空隙中的至少一个空隙可以包含所述散射物质，并且所述第一物质具有与所述散射物质相比更低的折射率。
-
公开(公告)号：CN118742852A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380020190.0
申请日：2023-01-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·W·J·范德古尔 , E·加卢茨克 , A·M·雅库尼恩 , P·詹森 , A·J·沃尔夫 , 保罗·亚历山大·维梅伦 , Z·S·豪厄林 , L·C·J·海伊曼斯 , A·尼基帕罗夫
Abstract: 描述一种用于光刻设备的组件，其中，所述组件被配置成通过i)提供经加热的气体、ii)辐射加热、iii)电阻加热和iv)感应加热中的一种或组合对表膜隔膜进行加热，和/或通过利用具有从约91nm至约590nm的波长的光对所述表膜隔膜进行照射，来加热表膜隔膜。也描述一种延长表膜隔膜的操作寿命的方法，所述方法包括通过借助于i)提供经加热的气体、ii)辐射加热、iii)电阻加热和iv)感应加热中的一种或组合，和/或通过利用具有从约91nm至约590nm的波长的光照射所述表膜隔膜，来对表膜隔膜的在由EUV照射时的至少一部分进行加热。
-
公开(公告)号：CN118284851A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077318.2
申请日：2022-11-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·尼基帕罗夫 , T·W·范德伍德 , 保罗·亚历山大·维梅伦 , Z·S·豪厄林
IPC: G03F1/62 , G03F7/20 , C01B32/158
Abstract: 提供了一种用于调节表膜隔膜的透射率的设备，所述设备包括蚀刻单元和控制器，蚀刻单元被配置为蚀刻表膜隔膜的材料，其中控制器被配置为基于表膜隔膜的预测的和/或观察的磨损图案来控制蚀刻单元以蚀刻表膜隔膜。还提供了一种调节表膜隔膜的透射率的方法以及表膜隔膜、表膜组件以及其用途。
-
公开(公告)号：CN118202303A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280069982.2
申请日：2022-10-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： I·唐梅兹诺扬 , T·W·范德伍德 , J·赖宁克 , T·W·J·范德古尔 , A·L·克莱因 , Z·S·豪厄林 , 保罗·亚历山大·维梅伦 , A·J·M·吉斯贝斯 , J·H·克洛特韦克 , L·I·J·C·贝格斯
IPC: G03F1/62
Abstract: 提供了一种表膜隔膜，包括在硅基基质中的金属硅化物晶体群，其中表膜隔膜具有0.3或更高的发射率。还提供了一种制造表膜隔膜、表膜组件、包括这种表膜隔膜或表膜组件的光刻设备的方法。还描述了这种表膜隔膜、表膜组件或光刻设备在光刻设备或方法中的用途。
-
公开(公告)号：CN118613764A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380018616.9
申请日：2023-01-05
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·特斯莱特 , A·L·克莱因 , 保罗·亚历山大·维梅伦 , A·J·沃尔夫 , I·格瑞森
Abstract: 一种用于清洁与光刻过程相关的诸如表膜、掩膜、晶片的部件或另一光刻部件的清洁系统，包括至少一个辐射发射器，所述至少一个辐射发射器被配置成在使用中辐照所述部件的区，以在所述部件中引起热机械振动和/或引发存在于所述部件上的污染物的溅射。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.031 seconds)
