公开(公告)号：CN101855707A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115393.3

申请日：2008-11-12

Applicant: EMD株式会社 ,  株式会社永创科技

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪 ,  井野英二 ,  石原伸一郎 ,  芦田肇 ,  渡边亮

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/503 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/28 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32715

Abstract: 本发明目的在于提供一种等离子处理装置，其对平面状被处理基体进行等离子处理，离子的利用效率及均匀性优良、且生产性高。本发明的等离子处理装置包含：真空容器(11)；一个或多个的天线支撑部(等离子产生机构支撑部)(12)，其向真空容器(11)的内部空间(111)内突出而设置；高频天线(等离子产生机构)(13)，分别安装于天线支撑部(12)；以及一对的基体保持部(16)，其在真空容器(11)内夹着天线支撑部(12)而设置，用以保持平面状的被处理基体(21)。

公开(公告)号：CN102203909A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980142724.7

申请日：2009-11-17

Applicant: 株式会社永创科技

Inventor： 井野英二 ,  渡边亮 ,  石原俊一 ,  芦田肇 ,  庄子博 ,  吉村桂一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32568 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明的等离子体处理装置(10)具有：由真空容器构成的等离子体处理室(11)；在等离子体处理室(11)内以面对面方式立设的一对基体保持部(12)；在两个基体保持部(12)之间所设置的多个第一反应气体管(13)；在两个基体保持部(12)双方各自与第一反应气体管(13)之间所设置的多个第二反应气体管(14)。第一反应气体管(13)为导体制，与高频电源(151、152)连接。第二反应气体管(14)为导体制，经由匹配器与第一交流偏压电源(153)电连接。第一反应气体管(13)兼作高频天线，第二反应气体管(14)兼作电极。

公开(公告)号：CN101827766A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880112243.7

申请日：2008-09-29

Applicant: 株式会社永创科技

Inventor： 井野英二 ,  渡边亮 ,  芦田肇

IPC: B65G49/06 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C16/54 ,  B65G49/061 ,  B65G49/063 ,  B65G49/068 ,  B65G2249/02 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67718 ,  H01L21/67724 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/6776

Abstract: 本发明提供一种可实现省空间化及低成本化的基板处理装置。基板处理装置具有多个基板处理室(230，240，250)、用于向各基板处理室输送基板(W)的共用输送室(220)，并且以立起姿势输送基板(W)，同时对该基板(W)进行规定的处理，其中，将至少一个基板处理室(230，240，250)设置在共用输送室(220)的上方或下方，在该处理室和输送室(220)的边界部设有基板(W)能够穿过的基板通过口。

公开(公告)号：CN101855707B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880115393.3

申请日：2008-11-12

Applicant: EMD株式会社

Inventor： 节原裕一 ,  江部明宪 ,  井野英二 ,  石原伸一郎 ,  芦田肇 ,  渡边亮

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/503 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/28 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32715

Abstract: 本发明目的在于提供一种等离子处理装置，其对平面状被处理基体进行等离子处理，离子的利用效率及均匀性优良、且生产性高。本发明的等离子处理装置包含：真空容器(11)；一个或多个的天线支撑部(等离子产生机构支撑部)(12)，其向真空容器(11)的内部空间(111)内突出而设置；高频天线(等离子产生机构)(13)，分别安装于天线支撑部(12)；以及一对的基体保持部(16)，其在真空容器(11)内夹着天线支撑部(12)而设置，用以保持平面状的被处理基体(21)。