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公开(公告)号：CN101855707B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200880115393.3
申请日：2008-11-12
Applicant: EMD株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/509 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/503 , C03C17/22 , C03C2217/28 , C03C2218/153 , C23C16/24 , C23C16/509 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32715
Abstract: 本发明目的在于提供一种等离子处理装置，其对平面状被处理基体进行等离子处理，离子的利用效率及均匀性优良、且生产性高。本发明的等离子处理装置包含：真空容器(11)；一个或多个的天线支撑部(等离子产生机构支撑部)(12)，其向真空容器(11)的内部空间(111)内突出而设置；高频天线(等离子产生机构)(13)，分别安装于天线支撑部(12)；以及一对的基体保持部(16)，其在真空容器(11)内夹着天线支撑部(12)而设置，用以保持平面状的被处理基体(21)。
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公开(公告)号：CN101855707A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115393.3
申请日：2008-11-12
IPC: H01L21/205 , C23C16/509 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/503 , C03C17/22 , C03C2217/28 , C03C2218/153 , C23C16/24 , C23C16/509 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32715
Abstract: 本发明目的在于提供一种等离子处理装置，其对平面状被处理基体进行等离子处理，离子的利用效率及均匀性优良、且生产性高。本发明的等离子处理装置包含：真空容器(11)；一个或多个的天线支撑部(等离子产生机构支撑部)(12)，其向真空容器(11)的内部空间(111)内突出而设置；高频天线(等离子产生机构)(13)，分别安装于天线支撑部(12)；以及一对的基体保持部(16)，其在真空容器(11)内夹着天线支撑部(12)而设置，用以保持平面状的被处理基体(21)。
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公开(公告)号：CN101971715B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN200980107376.X
申请日：2009-03-03
Applicant: EMD株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高频天线单元，其可在真空容器内产生高密度的放电等离子。本发明的高频天线单元的特征为，包括用以流动高频电流的高频天线(11)、被设置在高频天线之中位于真空容器内的部分的周围的绝缘体制作的保护管(12)、及上述高频天线(11)与上述保护管(12)之间的缓冲区域(13)。在此，“缓冲区域”表示抑制电子加速的区域，例如，可由真空或绝缘体形成。通过这种构成，因为可抑制在天线(11)及保护管(12)之间发生放电，故可在真空容器内产生高密度的放电等离子。
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公开(公告)号：CN102144044B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200980133584.7
申请日：2009-08-25
Applicant: EMD株式会社
CPC classification number: H01J37/3408 , C23C14/3407 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/3411 , H01J37/3417
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够以较快的速度进行溅镀处理的溅镀薄膜形成装置。溅镀薄膜形成装置(10)具备下述构成：真空容器(11)、设于真空容器(11)内的靶保持器(13)、设成与靶保持器(13)相对向的基板保持器(14)、用以在靶保持器(13)与基板保持器(14)之间施加电压的电源(15)、设置于靶保持器(13)背面的用以生成具有与靶(T)平行的分量的磁场的磁控管溅镀用磁铁(12)、用以在磁控管溅镀用磁铁(12)所生成的规定强度以上的磁场所存在的靶T附近的区域生成高频感应耦合等离子的高频天线(16)。藉由以高频天线(16)所生成的高频感应耦合等离子，可促进电子供给至上述磁场内，故可以较快的速度进行溅镀处理。
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公开(公告)号：CN102349356A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011018.1
申请日：2010-03-10
Applicant: EMD株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32477 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够在真空容器内形成强的感应电磁场，且能够防止天线导体的溅射或温度上升及颗粒的产生。本发明的等离子体处理装置(10)具备：真空容器(11)；高频天线(21)，其配置于所述真空容器(11)的壁的内面(111A)和外面(111B)之间；电介质制成的分隔件(16)，其将所述高频天线(21)和所述真空容器(11)的内部加以隔开。由此，与外部天线方式相比，能够在真空容器(11)内形成强感应电磁场。另外，利用分隔件(16)能够抑制由真空容器(11)内生成的等离子体引起的高频天线(21)被溅射或高频天线(21)的温度上升及颗粒产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103202105B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180042545.3
申请日：2011-09-09
Applicant: EMD株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32477 , H05H2001/4667
Abstract: 本发明公开一种等离子处理装置，其能够以比外部天线方式的等离子处理装置高的密度生成等离子，并且能够抑制作为内部天线方式的问题点的、杂质向被处理物的混入或颗粒的产生。本发明的等离子处理装置具有金属制的真空容器(11)、在真空容器(11)的上壁(112)设置的贯通孔(空洞)的内部配置有高频天线(18)的天线配置部(14)、以及覆盖上壁(112)的内表面(1121)整体的电介质制的分隔板(15)。在该等离子处理装置中，通过上壁(112)的内表面(1121)侧整体由分隔板(15)覆盖，由此在内表面(1121)与分隔板(15)之间不会产生台阶，因此能够防止在台阶部分产生附着物引起的颗粒的产生。
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公开(公告)号：CN102349356B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201080011018.1
申请日：2010-03-10
Applicant: EMD株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32477 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够在真空容器内形成强的感应电磁场，且能够防止天线导体的溅射或温度上升及颗粒的产生。本发明的等离子体处理装置(10)具备：真空容器(11)；高频天线(21)，其配置于所述真空容器(11)的壁的内面(111A)和外面(111B)之间；电介质制成的分隔件(16)，其将所述高频天线(21)和所述真空容器(11)的内部加以隔开。由此，与外部天线方式相比，能够在真空容器(11)内形成强感应电磁场。另外，利用分隔件(16)能够抑制由真空容器(11)内生成的等离子体引起的高频天线(21)被溅射或高频天线(21)的温度上升及颗粒产生。
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公开(公告)号：CN102144044A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980133584.7
申请日：2009-08-25
Applicant: EMD株式会社
CPC classification number: H01J37/3408 , C23C14/3407 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/3411 , H01J37/3417
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够以较快的速度进行溅镀处理的溅镀薄膜形成装置。溅镀薄膜形成装置(10)具备下述构成：真空容器(11)、设于真空容器(11)内的靶保持器(13)、设成与靶保持器(13)相对向的基板保持器(14)、用以在靶保持器(13)与基板保持器(14)之间施加电压的电源(15)、设置于靶保持器(13)背面的用以生成具有与靶(T)平行的分量的磁场的磁控管溅镀用磁铁(12)、用以在磁控管溅镀用磁铁(12)所生成的规定强度以上的磁场所存在的靶T附近的区域生成高频感应耦合等离子的高频天线(16)。藉由以高频天线(16)所生成的高频感应耦合等离子，可促进电子供给至上述磁场内，故可以较快的速度进行溅镀处理。
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公开(公告)号：CN101971715A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980107376.X
申请日：2009-03-03
Applicant: EMD株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高频天线单元，其可在真空容器内产生高密度的放电等离子。本发明的高频天线单元的特征为，包括用以流动高频电流的高频天线(11)、被设置在高频天线之中位于真空容器内的部分的周围的绝缘体制作的保护管(12)、及上述高频天线(11)与上述保护管(12)之间的缓冲区域(13)。在此，“缓冲区域”表示抑制电子加速的区域，例如，可由真空或绝缘体形成。通过这种构成，因为可抑制在天线(11)及保护管(12)之间发生放电，故可在真空容器内产生高密度的放电等离子。
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公开(公告)号：CN103202105A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180042545.3
申请日：2011-09-09
Applicant: EMD株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32477 , H05H2001/4667
Abstract: 本发明公开一种等离子处理装置，其能够以比外部天线方式的等离子处理装置高的密度生成等离子，并且能够抑制作为内部天线方式的问题点的、杂质向被处理物的混入或颗粒的产生。本发明的等离子处理装置具有金属制的真空容器(11)、在真空容器(11)的上壁(112)设置的贯通孔(空洞)的内部配置有高频天线(18)的天线配置部(14)、以及覆盖上壁(112)的内表面(1121)整体的电介质制的分隔板(15)。在该等离子处理装置中，通过上壁(112)的内表面(1121)侧整体由分隔板(15)覆盖，由此在内表面(1121)与分隔板(15)之间不会产生台阶，因此能够防止在台阶部分产生附着物引起的颗粒的产生。
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