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公开(公告)号：CN115315865A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022565.8
申请日：2021-03-17
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 根据本发明一个实施例的表面发射激光元件包括：第一区域，其中布置有多个第一发射器；以及第二区域，其中布置有多个第二发射器，其中第二区域的面积小于第一区域的面积，第二区域被设置在第一区域的中心区域内，并且第一发射器和第二发射器能够被分别驱动。
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公开(公告)号：CN109328399A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201780036051.1
申请日：2017-06-09
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405
Abstract: 一个实施例提供一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层并且还包括从第二导电半导体层穿过有源层延伸到第一导电半导体层的第一凹槽和第二凹槽；第一电极，与第一凹槽中的第一导电半导体层接触；第二电极，与第二导电半导体层接触；以及反射层，形成在第二凹槽中，其中第二凹槽具有设置在第二导电半导体层的下侧的开口的下部、设置在第一导电半导体层上的上部以及从下部延伸到上部的侧部，并且反射层包括布置在第二凹槽的内部的反射部以及从第二凹槽的下部延伸并接触第二电极的延伸部。
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公开(公告)号：CN103811597B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201310534465.0
申请日：2013-11-01
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 本发明涉及一种发光器件和包括该发光器件的发光器件阵列。公开了一种发光器件，该发光器件包括：衬底；包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层，以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层的发光结构，该发光结构布置在衬底上；以及布置在上半导体层上的第一电极层，其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置反射层。
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公开(公告)号：CN102969415B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201210315681.1
申请日：2012-08-30
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开一种发光器件。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一半导体层，该第一半导体层被掺杂有第一掺杂物同时包括第一区域和相对于第一区域成台阶的第二区域、第二半导体层，该第二半导体层被掺杂有不同于第一掺杂物的第二掺杂物同时设置在第二区域上、以及有源层，该有源层设置在第一半导体层和第二半导体层之间；第一电极，该第一电极设置在第一区域上；以及功能构件，该功能构件设置在与第一电极相邻的发光结构的一个侧表面和第一电极之间同时设置在第一区域处，其中，相对于第一区域的表面，该功能构件具有大于第一电极的高度并且小于发光结构的厚度的高度。
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公开(公告)号：CN109923682A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780068543.9
申请日：2017-11-03
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 在一个实施例中公开了一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，与第一导电半导体层电连接；第二电极，与第二导电半导体层电连接；反射层，设置在第二电极上；以及覆盖层，设置在反射层上并包括多个层，其中，覆盖层包括直接设置在所述反射层上的第一层，并且第一层包括Ti。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107949920A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680049969.5
申请日：2016-08-25
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 实施例涉及一种发光器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，并且该发光结构还包括多个第一凹部，该第一凹部构造为贯穿第二导电半导体层和有源层并且设置在第一导电半导体层的区域的一部分上；第一电极，电连接至在多个第一凹部内的第一导电半导体层；导电支撑基板，电连接至第一电极；第二电极，电连接到第二导电半导体层；以及绝缘层，设置在导电支撑基板和第二导电半导体层之间，其中，第二凹部贯穿第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，并且设置在绝缘层的区域的一部分上。
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公开(公告)号：CN103855180B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201310651693.6
申请日：2013-12-05
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 一种发光器件，包括：衬底；发光单元，每个发光单元包括：包括下半导体层和上半导体层的发光结构、上电极以及下电极；将发光单元中的第一发光单元的下电极与发光单元中的第二发光单元的上电极电连接的导电互连层；以及布置为从上电极与上半导体层之间延伸的电流阻挡层，其中每个发光单元还包括布置为将第二发光单元的上电极电连接到第二发光单元的上半导体层的导电层。
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公开(公告)号：CN109417111A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780038448.4
申请日：2017-06-20
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014
Abstract: 实施例公开了一种半导体器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，以及穿过第二导电半导体层和有源层并设置为延伸到第一导电半导体层的一部分的多个凹槽；设置在多个凹槽内并与第一导电半导体层电连接的多个第一电极；以及与第二导电半导体层电连接的第二电极，其中，多个第一电极和第一导电半导体层接触的第一面积与第二电极和第二导电半导体层接触的第二面积的比例(第一面积：第二面积)范围是从1：3至1:10。
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公开(公告)号：CN108352427A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680062147.0
申请日：2016-07-29
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405
Abstract: 实施例提供了一种发光元件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电半导体层；多个导体层，选择性地设置在所述第二导电半导体层上；以及反射电极，设置在导体层和第二导电半导体层上。
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公开(公告)号：CN103811597A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310534465.0
申请日：2013-11-01
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: H01L27/156 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光器件和包括该发光器件的发光器件阵列。公开了一种发光器件，该发光器件包括：衬底；包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层，以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层的发光结构，该发光结构布置在衬底上；以及布置在上半导体层上的第一电极层，其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置反射层。
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