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公开(公告)号：CN102074599A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010540778.3
申请日：2010-09-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/02366 , H01L31/0288 , H01L31/03529 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/072 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: 本发明公开了太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的第一杂质，并且由晶体半导体形成；第一场区，其位于所述基板的入射表面上，并且包含第二导电类型的第二杂质；射极区，其包含第三导电类型的第三杂质，由非晶半导体形成，并且位于所述基板的与该基板的所述入射表面相对的非入射表面上；第一电极，其电连接到所述射极区；以及第二电极，其电连接到所述基板。
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公开(公告)号：CN102292828B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080005253.8
申请日：2010-02-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/0368 , H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/03682 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/077 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 示出一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体基板；包括晶体部分的第一非晶半导体层；所述半导体基板上的第一电极部分；和所述半导体基板上的第二电极部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102044579B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201010535062.4
申请日：2010-09-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括第一导电类型的基板；位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极区；与所述射极区隔开地位于所述基板上的所述第一导电类型的第一场区；电连接到所述射极区的第一电极；电连接到所述第一场区的第二电极；以及位于所述射极区和所述第一场区中的至少一个上的绝缘区。
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公开(公告)号：CN102074599B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201010540778.3
申请日：2010-09-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0747 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/02366 , H01L31/0288 , H01L31/03529 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/072 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: 本发明公开了太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的第一杂质，并且由晶体半导体形成；第一场区，其位于所述基板的入射表面上，并且包含第二导电类型的第二杂质；射极区，其包含第三导电类型的第三杂质，由非晶半导体形成，并且位于所述基板的与该基板的所述入射表面相对的非入射表面上；第一电极，其电连接到所述射极区；以及第二电极，其电连接到所述基板。
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公开(公告)号：CN102074593A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010539118.3
申请日：2010-09-06
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/028 , H01L31/03762 , H01L31/065 , Y02E10/547 , Y02E10/548
Abstract: 本发明公开了太阳能电池。该太阳能电池包括：含有第一导电类型的第一杂质的基板；含有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质的射极层；电连接到射极层的第一电极；以及电连接到基板的第二电极。射极层和基板形成p-n结。射极层的第二杂质的掺杂浓度根据在射极层内的位置的深度而线性地或非线性地变化。
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公开(公告)号：CN102292828A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005253.8
申请日：2010-02-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0368 , H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/03682 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/077 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 示出一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体基板；包括晶体部分的第一非晶半导体层；所述半导体基板上的第一电极部分；和所述半导体基板上的第二电极部分。
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公开(公告)号：CN102044579A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010535062.4
申请日：2010-09-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括第一导电类型的基板；位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极区；与所述射极区隔开地位于所述基板上的所述第一导电类型的第一场区；电连接到所述射极区的第一电极；电连接到所述第一场区的第二电极；以及位于所述射极区和所述第一场区中的至少一个上的绝缘区。
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