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发明授权
场效应晶体管失效转让

公开(公告)号：CN1162917C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN99110924.4

申请日：1999-06-16

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 水田正志 , 葛原正明 , 梨本泰信 , 麻埜和则 , 三好阳介 , 望月康则

IPC: H01L29/812

CPC classification number: H01L29/812 , H01L27/095 , H01L29/402 , H01L29/7813

Abstract: 在栅电极(5)和漏电极(8)之间的沟道层(2)上的绝缘膜(6)上形成场控制电极(9)。氧化钽(Ta2O5)例如可以用做绝缘膜(6)的材料。

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