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公开(公告)号：CN100437251C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510083614.1
申请日：2002-08-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133
Abstract: 制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为100℃-170℃。另一方面，当在非加热状态下在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，将氧流速比设置为1%或更低，在形成膜之后进行退火。从而，当在夹层绝缘膜上刻蚀ITO膜时，不产生腐蚀残渣。此外，能一致地减少在ITO膜和下层金属之间的接触电阻，并避免显示缺限。
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公开(公告)号：CN100432807C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200410098290.4
申请日：2004-12-01
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 木村茂
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136286 , H01L27/124
Abstract: 本文提出了一种有源矩阵液晶显示单元，其中在漏极布线和栅极布线相交处的布线损坏可以得到有效防止。沿着漏极布线延伸并且深度等于或大于漏极布线宽度的一或多个凹进在栅极布线的位于栅极布线与漏极布线相交处附近区域中的至少一侧处形成。进而，栅极布线由例如Mo和Al两层组成，并且栅极布线的侧面逐渐变细。在栅极布线的与漏极布线相交处附近区域中形成的具有足够深度的凹进足以加长蚀刻剂的渗透路径。另外，由于栅极布线的侧面变细，因此漏极布线上形成的台阶可以制作得坡度缓一些，并且台阶处的漏极布线的质量恶化和厚度减少可以受到抑制。结果，可以更加有效地防止与栅极布线相交处的漏极布线的损坏。
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公开(公告)号：CN1716068A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510081052.7
申请日：2005-06-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F1/136209 , G02F2001/136272
Abstract: 液晶显示基板包括下述结构，其中在与栅极总线相同的层上形成遮光导电膜，在漏极总线与透明像素电极之间具有间隙。在漏极总线上形成多个突出使其朝向遮光导电膜突出。此外，遮光导电膜形成为仅在突出处与漏极总线重叠。当在漏极总线上发生断开时，通过将激光束照射在位于断开部分的两侧的突出上而将突出焊接并连接到遮光导电膜，从而形成可替换的路径。
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公开(公告)号：CN1196962C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN02127661.7
申请日：2002-08-06
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133504 , G02F1/136227 , G02F2001/136236
Abstract: 在每个像素中设有透明区域和发射区域的透射一反射型LCD中，当在有源矩阵基板(12)上形成波纹膜(11)、以形成反射电极膜(6)的波纹时，所述波纹膜(11)特别地在透射和反射区域中形成几乎相同的厚度，以在这两个区域形成几乎相同的基板之间的间隙，以致它们具有几乎相同的V-T特性，另外，形成由Al/Mo制造的反射电极膜(6)，使得在透射电极膜(5)的外周边周围，与由ITO制造的透射电极膜(5)重叠至少2微米的宽度，从而抑制在透射电极膜(5)边缘上发生ITO和Al材料之间的电腐蚀。
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公开(公告)号：CN1479145A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02132129.9
申请日：2002-08-30
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786
Abstract: 一种用来制造液晶显示器的方法，该方法提供宽视角、缩短制造过程和提供高可靠性。该方法包括形成栅极金属层、栅极绝缘层和a－硅层并且通过光刻制图形成岛的过程、形成层间绝缘膜和漏极金属层并且通过光刻制图形成漏极线的过程、形成有机的绝缘膜并且借助光刻在规定的位置形成用来提供与源极和漏极连接的有机绝缘触点的过程、以及形成透明的导电膜并且通过光刻制图形成像素电极和公共电极的过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1466006A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN02140183.7
申请日：2002-07-03
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , G03F7/00 , G03F7/26
Abstract: 一种有源矩阵基板由一个矩阵阵列的TFT组成。一种双层膜包括下层的铝钕(Al－Nd)合金和上层的高熔点金属。该双层膜形成用于连接TFT的第一互连线。一种三层膜包括下层的所述高熔点金属，中间层的所述铝钕Al－Nd合金和上层的高熔点金属。该三层膜形成用于连接TFT的第二互连线。
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公开(公告)号：CN1226659C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02130565.X
申请日：2002-08-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为100℃-170℃。另一方面，当在非加热状态下在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，将氧流速比设置为1%或更低，在形成膜之后进行退火。从而，当在夹层绝缘膜上刻蚀ITO膜时，不产生腐蚀残渣。此外，能一致地减少在ITO膜和下层金属之间的接触电阻，并避免显示缺限。
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公开(公告)号：CN1475852A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN02130565.X
申请日：2002-08-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为100℃－170℃。另一方面，当在非加热状态下在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，将氧流速比设置为1％或更低，在形成膜之后进行退火。从而，当在夹层绝缘膜上刻蚀ITO膜时，不产生腐蚀残渣。此外，能一致地减少在ITO膜和下层金属之间的接触电阻，并避免显示缺限。
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公开(公告)号：CN100416771C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200310116505.6
申请日：2003-11-14
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L21/306 , G03F7/26 , H01L21/027 , C23F1/02
CPC classification number: H01L21/6708 , C23F1/02 , C23F1/08 , H01L21/32134 , H01L21/67028 , H05K3/068 , H05K2201/0317 , H05K2201/0338 , H05K2203/1476 , Y10S438/978
Abstract: 一种用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法，它能够以协同方式执行蚀刻过程，同时控制叠层膜中各层膜的侧蚀刻以使得侧边形状均匀。在该湿蚀刻方法中，对顺序淀积于衬底上的包含薄膜特性各不相同的第一和第二膜的叠层膜组合执行两种或多种类型的蚀刻方法。这两种或多种类型的蚀刻方法至少包括：第一湿蚀刻方法，其中对第一膜的侧蚀刻比对第二膜的侧蚀刻更容易进行；和第二湿蚀刻方法，其中对第二膜的侧蚀刻比对第一膜的侧蚀刻更容易进行。
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公开(公告)号：CN100401144C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200410057654.4
申请日：2004-08-23
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368
Abstract: 通过在源极和漏极上的拐角上形成斜面，LCD设备中的非晶硅TFT(薄膜晶体管)在TFT的沟道的两个边缘部分上与沟道的中心部分上相比，具有较大的沟道长度。在两个边缘部分上的较大沟道长度减少了由入射到沟道上的转向光线所导致的泄漏电流。
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