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公开(公告)号:CN101445919A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200810173276.4
申请日:2008-10-31
Applicant: OKI半导体株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法,通过适当地设定蓝宝石衬底的预热工序中的预热条件,可顺利地进行蓝宝石衬底的吸引保持。该半导体制造装置具备:加热板,其使蓝宝石衬底在大气中升温;支承部,其使蓝宝石衬底的背面与加热板相对,并隔开规定间隔对蓝宝石衬底进行支承;以及喷出孔,其设置于加热板,朝向蓝宝石衬底的中心部喷出气体;在利用加热板来预热蓝宝石衬底的情况下,将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为:规定间隔为1mm以下,来自喷出孔的气体的喷出量为20L/min以上;将预热的结束条件设定为:蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低65℃以上时。
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公开(公告)号:CN101445919B
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN200810173276.4
申请日:2008-10-31
Applicant: OKI半导体株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法,通过适当地设定蓝宝石衬底的预热工序中的预热条件,可顺利地进行蓝宝石衬底的吸引保持。该半导体制造装置具备:加热板,其使蓝宝石衬底在大气中升温;支承部,其使蓝宝石衬底的背面与加热板相对,并隔开规定间隔对蓝宝石衬底进行支承;以及喷出孔,其设置于加热板,朝向蓝宝石衬底的中心部喷出气体;在利用加热板来预热蓝宝石衬底的情况下,将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为:规定间隔为1mm以下,来自喷出孔的气体的喷出量为20L/min以上;将预热的结束条件设定为:蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低65℃以上时。
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