半导体制造装置及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN101445919A

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200810173276.4

    申请日:2008-10-31

    CPC classification number: C23C16/46

    Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法,通过适当地设定蓝宝石衬底的预热工序中的预热条件,可顺利地进行蓝宝石衬底的吸引保持。该半导体制造装置具备:加热板,其使蓝宝石衬底在大气中升温;支承部,其使蓝宝石衬底的背面与加热板相对,并隔开规定间隔对蓝宝石衬底进行支承;以及喷出孔,其设置于加热板,朝向蓝宝石衬底的中心部喷出气体;在利用加热板来预热蓝宝石衬底的情况下,将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为:规定间隔为1mm以下,来自喷出孔的气体的喷出量为20L/min以上;将预热的结束条件设定为:蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低65℃以上时。

    半导体制造装置及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN101445919B

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN200810173276.4

    申请日:2008-10-31

    CPC classification number: C23C16/46

    Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法,通过适当地设定蓝宝石衬底的预热工序中的预热条件,可顺利地进行蓝宝石衬底的吸引保持。该半导体制造装置具备:加热板,其使蓝宝石衬底在大气中升温;支承部,其使蓝宝石衬底的背面与加热板相对,并隔开规定间隔对蓝宝石衬底进行支承;以及喷出孔,其设置于加热板,朝向蓝宝石衬底的中心部喷出气体;在利用加热板来预热蓝宝石衬底的情况下,将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为:规定间隔为1mm以下,来自喷出孔的气体的喷出量为20L/min以上;将预热的结束条件设定为:蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低65℃以上时。

Patent Agency Ranking