公开(公告)号：CN112094396A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010550604.9

申请日：2020-06-16

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 郑恩先 ,  尹钟旭 ,  许惠暎 ,  徐章源

IPC: C08G18/76 ,  C08G18/75 ,  C08G18/66 ,  C08G18/48 ,  C08G18/32 ,  C08G18/12 ,  C08J9/04 ,  C08L75/08 ,  B24B37/24 ,  B24B1/00 ,  H01L21/3105

Abstract: 根据本发明的组合物可调节聚氨酯类预聚物中的一个NCO基团反应过的甲苯2，4‑二异氰酸酯及未反应的甲苯2，6‑二异氰酸酯的重量比，以控制胶凝时间等物性。因此，通过固化根据本发明的组合物来获得的抛光垫既具有适合于软垫的硬度又可以控制抛光率和垫切割率，从而利用上述抛光垫可有效地制造出高质量的半导体器件。

公开(公告)号：CN110191781A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201880006888.6

申请日：2018-01-09

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 许惠暎 ,  徐章源 ,  韩赫熙

IPC: B24B37/24 ,  H01L21/304 ,  C08L75/04 ,  C08J9/38 ,  C08J9/00 ,  B29C44/02

Abstract: 本实施方案涉及一种用于半导体的化学机械平坦化(CMP)工艺的多孔性聚胺酯抛光垫及其制备方法。在所述多孔性聚胺酯抛光垫中，可以通过调整所述抛光垫中的孔洞尺寸及分布，从而控制其抛光性能(或抛光率)。

公开(公告)号：CN110385641A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910305360.5

申请日：2019-04-16

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 许惠暎 ,  徐章源 ,  尹钟旭 ,  尹晟勋 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/20 ,  B24D18/00

Abstract: 本发明的实施例涉及使用于半导体的化学机械平坦化工序的多孔性研磨垫及其制备方法，根据实施例，可调节考虑包含于多孔性研磨垫的多个气孔的体积的大小及分布，由此使上述多个气孔具有特定范围的表观体积加权平均气孔直径，从而可提供研磨率等物性优秀的多孔性研磨垫。

公开(公告)号：CN112571303A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910931497.1

申请日：2019-09-29

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 徐章源 ,  安宰仁 ,  尹晟勋 ,  许惠暎 ,  尹钟旭 ,  文寿泳

IPC: B24D11/00 ,  B24D11/02

Abstract: 本发明涉及一种减少抛光基板的缺陷数量的抛光垫、该抛光垫的制造方法及利用该抛光垫的抛光方法，该抛光垫含有在其主链上包含硅烷类重复单元的聚氨酯，通过抛光垫和气相二氧化硅浆抛光的基板具有缺陷为在40个以下的低缺陷特性。

公开(公告)号：CN112571273A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910931840.2

申请日：2019-09-29

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 徐章源 ,  安宰仁 ,  尹晟勋 ,  许惠暎 ,  尹钟旭 ,  文寿泳

IPC: B24B37/22 ,  B24B37/24

Abstract: 本发明涉及一种减少抛光基板的缺陷数量的抛光垫、该抛光垫的制造方法及利用该抛光垫的抛光方法，该抛光垫含有在其主链上包含氟化重复单元的聚氨酯，通过所述抛光垫和气相二氧化硅浆抛光的基板具有缺陷为在40个以下的低缺陷特性。

公开(公告)号：CN110625511A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910407219.6

申请日：2019-05-15

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  徐章源 ,  许惠暎 ,  尹钟旭 ,  安宰仁 ,  文寿泳

IPC: B24B29/02 ,  B24B37/20 ,  B24B37/22 ,  B24B37/26 ,  B24B55/06 ,  B24D18/00

Abstract: 本申请提供一种抛光垫，其包括多个第一凹槽，该第一凹槽为具有相同中心的几何形状；和多个第二凹槽，该第二凹槽从该中心向外周边径向延伸，其中该第二凹槽的深度等于或者深于该第一凹槽的深度。抛光垫可以快速排出在抛光过程中产生的任何碎屑，以减少例如晶片表面上的划痕等缺陷。

公开(公告)号：CN110385642A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910317852.6

申请日：2019-04-19

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 许惠暎 ,  徐章源 ,  尹钟旭 ,  尹晟勋 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: B24B37/26 ,  B24B37/24 ,  B24D18/00 ,  C08J5/18 ,  C08J9/236 ,  C08J9/12 ,  C08L75/04

Abstract: 本发明的实例涉及使用于半导体的化学机械平坦化(chemical mechanical planarization，CMP)工序的多孔性聚氨酯研磨垫及其制备方法，根据实例，可调节包含于上述多孔性聚氨酯研磨垫的多个气孔的大小及分布，由此可以提供具有适当的耐电压及优秀的研磨性能(研磨率)等物性提高的多孔性聚氨酯研磨垫。