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公开(公告)号：CN119708006A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311280958.6
申请日：2023-09-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: C07D495/22 , H10K50/16 , H10K85/60
Abstract: 本申请公开了一种有机化合物及其制备方法、电子传输材料、光电器件及显示装置。本申请的所述有机化合物为具有苯并三氮唑结构的双砜基苯并吡咯类有机化合物，所述化合物具有紫外吸收性能，可以吸收紫外线，避免紫外光损伤，具有较佳的光稳定性；此外，所述化合物具有良好的电子注入能力和电荷传输性能，且可有效调节其自身LUMO能级。
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公开(公告)号：CN119584769A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202311153533.9
申请日：2023-09-07
Applicant: 广东聚华新型显示研究院 , TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/115 , H10K50/84 , H10K71/00
Abstract: 本申请公开了一种发光器件及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。发光器件包括：层叠设置的第一电极、发光层和第二电极，发光层的材料包括纳米颗粒；发光器件还包括第一载流子功能层、钝化层，第一电极和第二电极之间的功能层中的一种含有钝化剂，钝化剂包括AX类化合物，A选自R‑COOH‑，X选自锂离子、ⅡA族元素的金属离子或ⅡB族元素的金属离子。本申请提供的发光器件，钝化剂中的A离子作为富电性的路易斯碱，可与纳米颗粒表面含正电荷的缺陷结合，钝化缺陷，提高纳米颗粒的性能，促进量子点发光；钝化剂中的X离子的离子半径小，可钝化纳米颗粒表面含负电荷的缺陷，降低发光器件的功耗，提高发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN119735602A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202311291092.9
申请日：2023-09-29
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: C07D513/04 , C07D519/00 , C07F7/08 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K30/86 , H10K50/15
Abstract: 本申请公开了一种三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物、光电器件和显示装置，三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物具有式(I)所示的结构：#imgabs0#本申请所述的三氮唑并吩噻嗪二氧化物类化合物以三氮唑并吩噻嗪二氧化物为核心结构，一方面，吩噻嗪中的硫原子的氧化，能够有效钝化硫原子的孤对电子，提升化合物的稳定性；另一方面，将三氮唑引入吩噻嗪结构中，形成的苯并三氮唑结构，可以作为紫外吸收剂，吸收进入到化合物中的紫外线，减少紫外线对化合物的损伤，再一方面，三氮唑的结构还可以有效调节整个化合物分子骨架上的电子密度，更有利于空穴的迁移，进而提升化合物的光电性能。
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公开(公告)号：CN119176817A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310748355.8
申请日：2023-06-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: C07D495/22 , C07D519/00 , H10K50/16 , H10K85/60 , H10K85/40
Abstract: 本申请公开了一种有机化合物及其制备方法、电子器件。本申请的所述有机化合物为双砜基苯并吡咯类有机化合物，由于其具有多个富电子的氮原子，具备了良好的电子注入能力，而砜基的引入，可有效调节其自身LUMO能级；并且其大共轭的线性结构，有利于电子传输。
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公开(公告)号：CN119072146A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310653166.2
申请日：2023-06-02
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/844 , H10K50/854 , H10K50/11 , H10K50/115 , H10K71/00 , H10K59/10
Abstract: 本申请公开了一种光电器件及显示装置。本申请的光电器件包括器件主体和设置在所述器件主体上的封装层，所述封装层中包括第一微球和/或第二微球，所述第一微球的材料反射率大于等于90％，所述第二微球的材料透光率大于等于90％，通过在封装层中掺有反射率大于等于90％的第一微球和/或透光率大于等于90％的第二微球，提高了散射光路的数量以及提高了光路的无序性，从而改善了可视角度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119730667A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311281034.8
申请日：2023-09-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司 , 广东聚华新型显示研究院
Abstract: 本申请公开了一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件的制备方法，在所述发光层上先制备所述第一电子传输层，然后在所述第一电子传输层上通过电弧离子镀法制备所述第二电子传输层，通过使用两种不同方法的制备得到包含层叠的所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的电子功能层，能够优化电子功能层与第二电极电极的界面，稳定界面状态，减小正老化且提升所述光电器件的稳定性，同时避免在制备过程中对其他膜层的材料产生损伤。
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公开(公告)号：CN119730582A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311281072.3
申请日：2023-09-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/86 , H10K50/165 , H10K71/12 , H10K71/16
Abstract: 本申请公开了一种光电器件及其制备方法及显示装置，所述光电器件包括底电极、电子功能层以及顶电极，所述光电器件还包括第一功能层，所述第一功能层设于所述顶电极和所述电子功能层之间；其中，所述电子功能层的材料包括第一化合物，所述第一功能层的材料包括紫外吸收材料。本申请提出的光电器件，采用紫外吸收材料在电子功能层的上侧设置第一功能层，第一功能层与电子功能层具有较佳的能级匹配性，且在器件进行紫外照射处理时，可以吸收紫外光，避免紫外光损伤电子功能层，有助于提高器件的使用寿命和发光效率。
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公开(公告)号：CN119233671A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202310798196.2
申请日：2023-06-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/816 , H10K50/826 , H10K71/60 , H10K59/10 , H01F1/053 , H01F1/057 , H01F7/02
Abstract: 本申请提供一种复合电极、制备方法、光电器件及显示器件，属于显示技术领域。本申请中的复合电极包括永磁材料，从而使磁化后的复合电极在磁场环境下能够保持较稳定的电阻值，进而提高具有该复合电极的光电器件在磁场环境下的性能稳定性。
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公开(公告)号：CN117186871B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311170617.3
申请日：2023-09-11
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种复合材料、薄膜、发光器件及其制备方法、mini‑LED背光模组及显示装置，复合材料包括纳米颗粒和修饰材料，所述修饰材料包括结构式为R‑Zn‑R的第一化合物中的一种或多种；其中，R选自‑F、‑Cl、‑Br、‑I、以及，取代或未取代的环碳原子数为4~10的不饱和环烃基中的一种；取代基为‑F、‑Cl、‑Br或者‑I。在纳米颗粒中引入修饰材料，修饰材料具有较强的负电性，可以钝化纳米颗粒表面缺陷，提高纳米颗粒稳定性。
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公开(公告)号：CN117186871A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311170617.3
申请日：2023-09-11
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种复合材料、薄膜、发光器件及其制备方法、mini‑LED背光模组及显示装置，复合材料包括纳米颗粒和修饰材料，所述修饰材料包括结构式为R‑Zn‑R的第一化合物中的一种或多种；其中，R选自‑F、‑Cl、‑Br、‑I、以及，取代或未取代的环碳原子数为4~10的不饱和环烃基中的一种；取代基为‑F、‑Cl、‑Br或者‑I。在纳米颗粒中引入修饰材料，修饰材料具有较强的负电性，可以钝化纳米颗粒表面缺陷，提高纳米颗粒稳定性。
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