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公开(公告)号:CN101265087B
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN200810082345.0
申请日:2008-02-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01L41/187 , H01B3/12
Abstract: 电介质陶瓷组合物,它是含有:含BaTiO3的主成分;含BaZrO3的第1副成分;含Mg氧化物的第2副成分;含稀土类元素氧化物的第3副成分;含选自Mn、Cr、Co和Fe中一种以上元素的氧化物的第4副成分;和含选自Si、Al、Ge、B和Li中一种以上元素的氧化物的第5副成分的电介质陶瓷组合物,其中:在构成电介质陶瓷组合物的电介质粒子之中至少有一部分电介质粒子具有由中心层和存在于其周围的扩散层构成的表面扩散结构。设在电介质粒子界面附近R浓度为CR,设扩散层中R浓度的最大值为CRmax时,CRmax/CR>1。另外,设在电介质粒子界面附近的Mg浓度为CM,设扩散层中Mg浓度的最大值为CMmax时,CMmax/CM>1。
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公开(公告)号:CN101638318B
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN200910159697.6
申请日:2009-07-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/462 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物和电子部件。电介质陶瓷组合物,其具有用通式(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3表示的主成分、包含Mg的氧化物的第1副成分、包含选自Mn或者Cr的至少1种的氧化物的第2副成分、包含R的氧化物(其中,R选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho和Yb的1种以上)的第3副成分、和包含含有Si的氧化物的第4副成分。
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公开(公告)号:CN100497251C
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200710005386.5
申请日:2007-02-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G4/12 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/785 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供介电体陶瓷组合物,其含有含BaTiO3的主成分、至少含R1的氧化物(R1为选自Y、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)的第4副成分和含R2的氧化物(R2为选自Dy、Tb、Gd和Eu的至少一种)的第5副成分,所述介电体陶瓷组合物的特征在于,按R1和R2换算,相对于100摩尔主成分,R1和R2的总摩尔数为2~6摩尔,且按R1和R2换算,第5副成分相对于R1和R2的总摩尔数的比例为0.5≤R2/(R1+R2)≤0.75的关系,其中,所述R1和R2的总摩尔数是相对于100摩尔主成分的摩尔数。通过本发明,可以提供一种具有充分可靠性的介电体陶瓷组合物,即使将电子部件的介电体层制成薄层,也可兼备高温负荷寿命和容量温度特性。
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公开(公告)号:CN102190493A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110036019.8
申请日:2011-02-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/30 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/49 , C04B35/4682 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , H01G4/1227
Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物的制造方法和电子部件的制造方法。具有用通式(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3表示的主成分的电介质陶瓷组合物的制造方法,其具有:准备用通式(Ba1-x1-ySrx1Cay)m(Ti1-zZrz)O3表示的第1主成分原料和用通式(Ba1-x2-ySrx2Cay)m(Ti1-zZrz)O3表示的第2主成分原料的工序、将第1主成分和第2主成分的原料混合、烧成的工序,在第1主成分的摩尔数为a、第2主成分的摩尔数为b时,a+b=1、a∶b=20∶80~80∶20,0.20≤x≤0.40、x=ax1+bx2、x1/x2≥1.05,0≤y≤0.20,0≤z≤0.30,0.950≤m≤1.050。根据本发明,可以提供电介质陶瓷组合物的制造方法,该电介质陶瓷组合物即使容量温度特性的绝对值大,也可以在宽的温度范围,使容量变化率相对于该绝对值在规定的范围。
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公开(公告)号:CN101284732A
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200810082344.6
申请日:2008-02-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01L41/187 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/62807 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3241 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2235/79
Abstract: 本发明提供电介质陶瓷组合物,该电介质陶瓷组合物具有BamTiO2+m(m满足0.99≤m≤1.01)、BanZrO2+n(n满足0.99≤n≤1.01)、Mg的氧化物、R的氧化物(R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)、选自Mn、Cr、Co和Fe中的至少一种元素的氧化物、选自Si、Li、Al、Ge和B中的至少一种元素的氧化物;相对于100mol上述BamTiO2+m,BanZrO2+n:35~65mol;Mg的氧化物:4~12mol;R的氧化物:4~15mol;Mn、Cr、Co和Fe的氧化物:0.5~3mol;Si、Li、Al、Ge和B的氧化物:3~9mol。本发明的目的在于提供耐压高、绝缘电阻的加速寿命优异、适合额定电压高(例如为100V以上)的中高压用途中使用的电介质陶瓷组合物。
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公开(公告)号:CN101024572A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200710005386.5
申请日:2007-02-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G4/12 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/785 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供介电体陶瓷组合物,其含有含BaTiO3的主成分、至少含R1的氧化物(R1为选自Y、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)的第4副成分和含R2的氧化物(R2为选自Dy、Tb、Gd和Eu的至少一种)的第5副成分,所述介电体陶瓷组合物的特征在于,按R1和R2换算,相对于100摩尔主成分,R1和R2的总摩尔数为2~6摩尔,且按R1和R2换算,第5副成分相对于R1和R2的总摩尔数的比例为0.5≤R2/(R1+R2)≤0.75的关系,其中,所述R1和R2的总摩尔数是相对于100摩尔主成分的摩尔数。通过本发明,可以提供一种具有充分可靠性的介电体陶瓷组合物,即使将电子部件的介电体层制成薄层,也可兼备高温负荷寿命和容量温度特性。
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公开(公告)号:CN102190492A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110036009.4
申请日:2011-02-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/30 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785
Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物和电子部件。电介质陶瓷组合物,其具有用通式(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3表示的主成分、Mg氧化物、Mn(Cr)氧化物、稀土类氧化物、含有Si的氧化物、和含有Ba、Sr和Zr的复合氧化物,0.20≤x≤0.40,0≤y≤0.20,0≤z≤0.30、且0.950≤m≤1.050,在-25~105℃的温度范围,相对于具有显示以25℃的静电容量为基准的容量温度特性的斜率a的直线,以25℃为基准的静电容量变化率在-15~+5%的范围内,斜率a为-5500~-1800ppm/℃。根据本发明,可以提供电介质陶瓷组合物,其即使在容量温度特性的绝对值大的情况下,也可以在宽的温度范围、使容量变化率相对于该绝对值在规定的范围。
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公开(公告)号:CN101638318A
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200910159697.6
申请日:2009-07-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/462 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物和电子部件。电介质陶瓷组合物,其具有用通式(Ba 1-x-y Sr x Ca y ) m (Ti 1-zZ r z )O 3 表示的主成分、包含Mg的氧化物的第1副成分、包含选自Mn或者Cr的至少1种的氧化物的第2副成分、包含R的氧化物(其中,R选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho和Yb的1种以上)的第3副成分、和包含含有Si的氧化物的第4副成分。
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公开(公告)号:CN101265087A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200810082345.0
申请日:2008-02-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01L41/187 , H01B3/12
Abstract: 电介质陶瓷组合物,它是含有:含BaTiO3的主成分;含BaZrO3的第1副成分;含Mg氧化物的第2副成分;含稀土类元素氧化物的第3副成分;含选自Mn、Cr、Co和Fe中一种以上元素的氧化物的第4副成分;和含选自Si、Al、Ge、B和Li中一种以上元素的氧化物的第5副成分的电介质陶瓷组合物,其中:在构成电介质陶瓷组合物的电介质粒子之中至少有一部分电介质粒子具有由中心层和存在于其周围的扩散层构成的表面扩散结构。设在电介质粒子界面附近R浓度为CR,设扩散层中R浓度的最大值为CRmax时,CRmax/CR>1。另外,设在电介质粒子界面附近的Mg浓度为CM,设扩散层中Mg浓度的最大值为CMmax时,CMmax/CM>1。
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