加速度传感器以及磁盘驱动器装置

    公开(公告)号:CN100447570C

    公开(公告)日:2008-12-31

    申请号:CN200610145374.8

    申请日:2006-11-24

    Abstract: 一种加速度传感器,包括外壳构件(20)、第一和第二具有重物的磁场产生构件(22a-22d)、具有连接到外壳构件(20)的支点(26)的弹簧构件(21)、和连接到外壳构件(20)以分别面对第一和第二具有重物的磁场产生构件(22a-22d)的第一和第二磁场探测传感器(23,24),所述弹簧构件(21)用于支撑第一和第二具有重物的磁场产生构件(22a-22d),以及当具有互相垂直的第一和第二轴方向上的分量的外力被施加时使第一和第二具有重物的磁场产生构件(22a-22d)发生位移。第一和第二磁场探测传感器(23,24)中的每一个具有两对多层磁阻效应元件(23a-23d,24a-24d),每个多层磁阻效应元件包括一磁化固定层和一磁化自由层。所述磁化固定层沿着与第一和第二具有重物的磁场产生构件(22a-22d)的位移方向平行的方向被磁性固定。第一磁场探测传感器(23)中的一对多层磁阻效应元件(23a,23b)和第二磁场探测传感器(24)中的一对多层磁阻效应元件(24b,24a)以全桥形式连接。第一磁场探测传感器(23)中的另一对多层磁阻效应元件(23c,23d)和第二磁场探测传感器(24)中的另一对多层磁阻效应元件(24c,24d)以全桥形式连接。

    电子组件
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102479601B

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201110379111.4

    申请日:2011-11-24

    CPC classification number: H01F17/04 H01F27/292 H01F41/042

    Abstract: 一种电子组件(100),其设置有基板(11)、设置在基板(11)上的薄膜元件层(12)、设置在薄膜元件层(12)的表面上的第一凸块电极(13a)和第二凸块电极(13b)以及设置在第一凸块电极(13a)和第二凸块电极(13b)之间的绝缘体层(14)。薄膜元件层(12)包含作为平面线圈图案的第一螺旋导体(16)。第一凸块电极(13a)连接到第一螺旋导体(16)的内周端。第二凸块电极(13b)连接到第一螺旋导体的外周端。第一凸块电极(13a)和第二凸块电极(13b)均具有露出于绝缘体层(14)的主表面的第一露出表面和露出于绝缘体层(14)的端面的第二露出表面。第一凸块电极(13a)的第一露出表面和第二凸块电极(13b)的第一露出表面具有不同的形状和大小。

    电子组件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102479601A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201110379111.4

    申请日:2011-11-24

    CPC classification number: H01F17/04 H01F27/292 H01F41/042

    Abstract: 一种电子组件(100),其设置有基板(11)、设置在基板(11)上的薄膜元件层(12)、设置在薄膜元件层(12)的表面上的第一凸块电极(13a)和第二凸块电极(13b)以及设置在第一凸块电极(13a)和第二凸块电极(13b)之间的绝缘体层(14)。薄膜元件层(12)包含作为平面线圈图案的第一螺旋导体(16)。第一凸块电极(13a)连接到第一螺旋导体(16)的内周端。第二凸块电极(13b)连接到第一螺旋导体的外周端。第一凸块电极(13a)和第二凸块电极(13b)均具有露出于绝缘体层(14)的主表面的第一露出表面和露出于绝缘体层(14)的端面的第二露出表面。第一凸块电极(13a)的第一露出表面和第二凸块电极(13b)的第一露出表面具有不同的形状和大小。

    加速度传感器以及磁盘驱动器装置

    公开(公告)号:CN1971284A

    公开(公告)日:2007-05-30

    申请号:CN200610145374.8

    申请日:2006-11-24

    Abstract: 一种加速度传感器,包括外壳构件(20)、第一和第二具有重物的磁场产生构件(22a-22d)、具有连接到外壳构件(20)的支点(26)的弹簧构件(21)、和连接到外壳构件(20)以分别面对第一和第二具有重物的磁场产生构件(22a-22d)的第一和第二磁场探测传感器(23,24),所述弹簧构件(21)用于支撑第一和第二具有重物的磁场产生构件(22a-22d),以及当具有互相垂直的第一和第二轴方向上的分量的外力被施加时使第一和第二具有重物的磁场产生构件(22a-22d)发生位移。第一和第二磁场探测传感器(23,24)中的每一个具有两对多层磁阻效应元件(23a-23d,24a-24d),每个多层磁阻效应元件包括一磁化固定层和一磁化自由层。所述磁化固定层沿着与第一和第二具有重物的磁场产生构件(22a-22d)的位移方向平行的方向被磁性固定。第一磁场探测传感器(23)中的一对多层磁阻效应元件(23a,23b)和第二磁场探测传感器(24)中的一对多层磁阻效应元件(24b,24a)以全桥形式连接。第一磁场探测传感器(23)中的另一对多层磁阻效应元件(23c,23d)和第二磁场探测传感器(24)中的另一对多层磁阻效应元件(24c,24d)以全桥形式连接。

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